微功耗A32XX系列霍爾開關(guān)
關(guān)鍵詞:霍爾開關(guān);微功耗;低電壓;斬波調(diào)零;A32xx
1 概述
美國Allegro Microsystems公司生產(chǎn)有各種類型的磁敏感(霍爾)器件,其中A32xx系列是一組微功耗霍爾開關(guān)型傳感器。該系列有A3209、A3210、A3212等三種器件,它們的共同特點為工作電壓和功耗極低、不依賴于磁極,即任何磁極都能使其動作(開關(guān)導通)、超敏感、數(shù)字鎖存輸出等。特別適用于電池供電的手持設備,如手機、傳呼機、無繩電話、掌上電腦等。
A32xx系列的2.5V~3.5V低工作電壓和內(nèi)部定時工作結(jié)構(gòu)降低了器件的平均功耗。A3209的功耗為400μW、A3210為25μW、A3212為15μW。該系列中各型號產(chǎn)品除了平均工作電流、磁靈敏性、工作時間和休眠時間比(以下稱忙閑比)有差異外,其它特性幾乎一樣。
該產(chǎn)品通過斬波調(diào)零(動態(tài)消除失調(diào))技術(shù)來改善其穩(wěn)定性,從而使殘余失調(diào)電壓得以降低。這些失調(diào)電壓通常是由器件成型過程、溫度系數(shù)和熱應力產(chǎn)生的。該產(chǎn)品在一個硅晶片上集成了霍爾電壓產(chǎn)生器、小信號放大器、斬波穩(wěn)零器、鎖存器和MOS-FET輸出驅(qū)動器。先進的BiCMOS工藝使該產(chǎn)品具有低工作電壓、極低功耗、極低失調(diào)誤差和很小的幾何尺寸等特點。
該產(chǎn)品有兩種封裝形式,一種是三腳貼片微小型封裝,后綴為“LH”,如圖1(a);另一種是三腳直插封裝,后綴為“UA”,如圖1(b)。
2 低功耗特點
A32xx系列產(chǎn)品內(nèi)部有一個定時電路,其作用是定時激活(也稱喚醒)霍爾傳感器以使其工作一段時間后,再定時使傳感器休眠一段時間。傳感器的工作時間加上休眠時間為一個定時周期,如圖2所示。傳感器的工作時間對不同的器件是不一樣的,A3209、A3210為60μs?A3212為45μs。定時周期對不同的器件也是不一樣的,其中A3209為480μs、A3210為60ms、A3212為 45ms。在短暫的喚醒時間內(nèi),傳感器進行采樣測量并在定時脈沖的下降沿將數(shù)據(jù)鎖存。而在休眠時間內(nèi),器件的輸出為最近一次采樣的結(jié)果。該器件的電源電流不受輸出狀態(tài)的影響。
3 動態(tài)斬波技術(shù)
霍爾器件可以被看成類似于惠斯頓電橋的一組電阻陣列,這些電阻的匹配是造成器件失調(diào)的主要因素,而器件的成型過程、熱應力和溫度系數(shù)則是造成電阻不匹配的最主要因素。A32xx系列產(chǎn)品采用動態(tài)斬波技術(shù)消除失調(diào),并通過內(nèi)部集成的高頻時鐘控制CMOS開關(guān)來動態(tài)改變流過器件的電流方向和霍爾電壓測量端內(nèi)部采樣保持電路所捕獲的霍爾電壓信號,然后通過低失調(diào)的雙極電路進行處理,以使得電阻不匹配所造成的殘余失調(diào)電壓能相互抵消。該技術(shù)使A32xx器件具有極穩(wěn)定的靜態(tài)霍爾輸出電壓,而與熱應力無關(guān)。圖3為該技術(shù)的工作過程示意圖,其中圖3(a)、(b)為技術(shù)原理圖、圖3(c)為電路技術(shù)結(jié)構(gòu)圖。
4 工作特性
A32xx系列與一般的霍爾開關(guān)不一樣,該系列無論對N極還是對S極磁場,只要垂直于器件且磁通密度達到其動作點Bopn或Bops以上,都會使器件開關(guān)導通?輸出為低?,此時器件可以吸收1mA的電流。只要磁通密度降低到釋放點Brpn或Brps以下,都會使器件開關(guān)斷開?輸出為高?。磁通密度動作點和釋放點的差異稱為器件的磁滯Bhys。該磁滯特性可保證即使出現(xiàn)外部振動和電氣噪聲,器件的開關(guān)過程均無抖動。圖4給出了該系列器件的輸出電壓與磁通密度的關(guān)系特性。
還有一種磁性開關(guān)稱為舌簧開關(guān),該開關(guān)有兩大特點,一是基本無功耗,二是其開關(guān)動作不依賴于磁場磁力線的方向,即只要有磁力線穿過舌簧開關(guān),無論其方向是從左到右還是從右到左,都會使舌簧開關(guān)動作。由于舌簧開關(guān)本質(zhì)上是一種機械開關(guān),其速度、可靠性和壽命都難以與電子開關(guān)相比。而A32xx系列器件本質(zhì)上是一種電子開關(guān),它的動作(導通)不依賴于磁極性,同時極低的功耗使得該產(chǎn)品能夠方便地取代舌簧開關(guān)且具有更高的可靠性。
A32xx系列產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖5所示。圖中,X為霍爾傳感器。電路工作時,霍爾傳感器、動作失調(diào)消除電路、小信號放大器、采樣保持器電路共同完成測量與穩(wěn)零,而后經(jīng)過放大后進行施密特整形,并在喚醒脈沖的下降沿將整形結(jié)果鎖存,再經(jīng)MOS-FET驅(qū)動輸出。定時邏輯用于實現(xiàn)器件的喚醒和休眠周期的控制。在休眠階段,開關(guān)斷開,此時除定時邏輯和鎖存器外,其它電路均不工作,降低了功耗。
5 應用提示
在實際使用時,建議在器件的電源端加上0.1μF的旁路電容,以便對外部噪聲和器件內(nèi)部時鐘噪聲進行抑制,其典型連線方式見圖6所示。
由于A32xx器件本身帶有喚醒測量和休眠停止工作方式,因此,A32xx系列器件通常不能用于較高速度的測量。設忙/閑定時周期為T,理論上速度小于1/T的測量均可使用,實際中往往在速度小于1/2T~1/3T的場合使用。因此,A3209適用于小于等于1kHz速率的測量,A3210適用于不大于8Hz速率的測量,A3212適用于11Hz速率的測量。表1和表2分別列出了A32xx系列器件的電氣參數(shù)和磁特性參數(shù)指標,以供使用時參考。
表1 A32xx系列器件的電氣參數(shù)
特 性 | 符 號 | 測試條件 | 范 圍 | |||
最 小 | 典 型 | 最 大 | 單 位 | |||
電源電壓 | VDD | 動作過程 | 2.5 | 2.75 | 3.5 | V |
輸出漏電流 | IOFF | VOUT=3.5、BRPNBBRPS | - | 1.0 | 1.0 | μA |
輸出接通電壓 | VOUT | IOUT=1mA/VDD=2.5V | - | 100 | 300 | mV |
喚醒時間 | tawake | A3209Ex、A3210Ex | 30 | 60 | 90 | μs |
A3212Ex | - | 45 | 90 | μs | ||
忙閑時間 | tperiod | A3212Ex | 240 | 480 | 720 | μs |
A3209Ex | 30 | 60 | 90 | ms | ||
A3210Ex | - | 45 | 90 | ms | ||
忙閑比 | d.c | A3209Ex | - | 12.5 | - | % |
A3210Ex | - | 0.1 | - | % | ||
A3212Ex | - | 0.1 | - | % | ||
斬波頻率 | fc | - | 340 | - | kHz | |
電源電流(2.5V≤VDD ≤3.5V) | IDD(EN)芯片喚醒 | A3209Ex、A3210Ex | 0.1 | - | 3.0 | mA |
A3212Ex | - | - | 2.0 | mA | ||
IDD(DIS)芯片休眠 | A3209Ex、A3210Ex | 1.0 | 10 | 50 | μA | |
A3212Ex | - | - | 8 | μA | ||
IDD(AVG)平均電流 | A3209Ex、VDD=2.75 | - | 145 | 425 | μA | |
A3210Ex、VDD=2.75 | - | 8.8 | 2.5 | μA | ||
A3212Ex、VDD=2.75 | - | 4.2 | 10 | μA | ||
A3209Ex、VDD=3.5V | - | 195 | 425 | μA | ||
A3210Ex、VDD=3.5V | - | 13 | 60 | μA | ||
A3212Ex、VDD=3.5V | - | 4.8 | 10 | μA |
表2 A32xx系列器件的磁特性
特 性 | 符 號 | 測試條件 | 范 圍 | |||
最小 | 典型 | 最大 | 單位 | |||
動作點 | BOPS | A3209、A3210 | - | 30 | 60 | G |
A3212 | - | - | 55 | G | ||
BOPN | A3209、A3210 | -60 | -35 | - | G | |
A3212 | -55 | - | - | G | ||
釋放點 | BRPS | A3209、A3210 | 5.0 | 22 | - | G |
A3212 | 10 | - | - | G | ||
BRPN | A3209、A3210 | - | -2.7 | -5.0 | G | |
A3212 | - | - | -10 | G | ||
滯后 | Bhys(BOPX-BRPX) | A3209、A3210 | - | 7.7 | - | G |
A3212 | - | 8 | - | G |
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