直流變換器并聯(lián)運(yùn)行時(shí)的環(huán)流和振蕩控制

摘要：開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生的環(huán)流和振蕩會(huì)對(duì)電子元件產(chǎn)生高電壓沖擊，降低功率因數(shù)，并且使并聯(lián)的各個(gè)模塊之間產(chǎn)生抑止。因此，對(duì)開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)的技術(shù)研究得到了廣泛的關(guān)注。分析了直流變換器并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流和振蕩的原因和過(guò)程，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果得以驗(yàn)證。最后總結(jié)出幾種有效解決并聯(lián)系統(tǒng)環(huán)流和振蕩問(wèn)題的方法。

關(guān)鍵詞：直流變換器；并聯(lián)；環(huán)流；振蕩

引言

多個(gè)開(kāi)關(guān)電源模塊并聯(lián)是解決大功率供電系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)，它的優(yōu)點(diǎn)是，可以靈活組合成各種功率等級(jí)的供電系統(tǒng)、提高了系統(tǒng)的可靠性、通過(guò)N＋1冗余獲得容錯(cuò)冗余功率、可以實(shí)現(xiàn)熱更換、便于維修等。

原來(lái)應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中的整流器二極管，由于效率較低，大部分已經(jīng)被MOSFET代替。這樣，在采用高效率MOSFET的同時(shí)，也產(chǎn)生了一些問(wèn)題。

在同步整流器中的MOSFET相當(dāng)于一個(gè)雙向開(kāi)關(guān)，它不僅可以通過(guò)正向的電流，也允許反向電流通過(guò)。

在同步整流器中，控制MOSFET的電路與MOSFET導(dǎo)通電路形成了交叉連接（cross-coupled）。這樣一種電路的拓?fù)渑c晶體管多諧振蕩器很相似，也就是說(shuō)，這種電路本身就可以形成振蕩。

所以，模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)，由于各個(gè)模塊輸出電壓之間的差異，會(huì)導(dǎo)致輸出電壓高的模塊與輸出電壓低的模塊之間產(chǎn)生環(huán)流，形成振蕩。這樣，輸出電壓低的模塊不僅不對(duì)外提供電流，還吸收輸出電壓高的模塊的電流；輸出電壓高的模塊不僅要提供負(fù)載電流，還要提供其它模塊的電流。因此，輸出電壓高的模塊就會(huì)受到大電流的沖擊；振蕩會(huì)產(chǎn)生大的電壓沖擊；幾個(gè)模塊之間互相干擾，輸出電壓高的模塊會(huì)抑制輸出電壓低的模塊。

本文主要針對(duì)直流開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)，通過(guò)對(duì)可能產(chǎn)生環(huán)流的結(jié)構(gòu)進(jìn)行理論分析，闡明了產(chǎn)生環(huán)流和振蕩的原因和過(guò)程，并總結(jié)出幾種有效解決環(huán)流的控制方法。

1 并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流的分析

圖1為兩個(gè)采用自驅(qū)動(dòng)同步整流的正激DC/DC電源模塊的并聯(lián)系統(tǒng)原理圖。

圖1

圖1模塊1中，S1是同步整流管，S2是續(xù)流管，L1是濾波電感，C2是濾波電容，R是并聯(lián)系統(tǒng)的負(fù)載。S3是MOSFET開(kāi)關(guān)，控制變壓器原邊線圈的導(dǎo)通。C1和D4構(gòu)成變壓器原邊線圈的續(xù)流回路。

由于S1代替了原來(lái)的二極管，使得原本只能單向?qū)ǖ闹?，允許反向電流通過(guò)。在并聯(lián)系統(tǒng)中，當(dāng)兩個(gè)模塊之間存在差異時(shí)，輸出電壓會(huì)有差值，這是導(dǎo)致整流回路出現(xiàn)環(huán)流的主要原因。

兩個(gè)模塊的輸入電壓相同，控制方式都相同，當(dāng)其中一個(gè)模塊的參考電壓較高時(shí)，這里假設(shè)模塊2的參考電壓較高，就會(huì)導(dǎo)致S7的導(dǎo)通角要大于S3，使模塊2的輸出電壓較高。

這時(shí)，從輸出端看，可以將兩個(gè)模塊分別等效為理想電壓源與電阻串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。如圖2所示。

從圖2可以很明顯地看出，當(dāng)Vout2>Vout1時(shí)，極有可能構(gòu)成回路，產(chǎn)生環(huán)流。

2 產(chǎn)生自激振蕩時(shí)的理論分析

由于環(huán)流現(xiàn)象的存在，使得如圖1所示的并聯(lián)運(yùn)行的電源系統(tǒng)會(huì)產(chǎn)生自激振蕩現(xiàn)象。

根據(jù)開(kāi)關(guān)狀態(tài)不同，可以分為4個(gè)時(shí)段。

1）狀態(tài)1 S3關(guān)斷，S1關(guān)斷，S2導(dǎo)通。

此時(shí)模塊1的等效電路如圖3所示。圖中Lm是變壓器的勵(lì)磁電感，Cp是變壓器原邊等效到副邊的電容值，S1，S2和S3關(guān)斷時(shí)分別等效成電容CS1，CS2和CS3，V2是輸出電壓。

Cp=n2CS3 （1）

式中：n為變壓器變比。

此時(shí)vS2=0，加在S1兩端的電壓為

由于S1由導(dǎo)通到關(guān)斷，vS1的初值為零，可以得到

式中：iL10和iLm0為iL1和iLm的初始值。

當(dāng)vS1減小到零時(shí)，進(jìn)入狀態(tài)2。

2）狀態(tài)2 S3關(guān)斷，S1導(dǎo)通，S2關(guān)斷。此時(shí)的等效電路圖如圖4所示。

此時(shí)有vS1=0。且

由于vS2的初始值為零，可以得到

式中：

其中：iLm0和iL10為iL1和iLm在第二階段的初始值；

Ts為單位時(shí)間。

3）狀態(tài)3 S3導(dǎo)通，S1導(dǎo)通，S2關(guān)斷。此時(shí)的等效電路圖如圖5所示。

V1/n是變壓器副邊繞組的電壓，此時(shí)iL1和iLm都線性增長(zhǎng)。

4）狀態(tài)4 S3關(guān)斷，S1導(dǎo)通，S2關(guān)斷。此時(shí)的等效電路圖和狀態(tài)2是相同的，所有量的時(shí)間函數(shù)表達(dá)式也都相同，只是初始值不同。

3 仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果

為了驗(yàn)證上述環(huán)流和振蕩現(xiàn)象的分析結(jié)果，用Pspice對(duì)圖1所示的兩個(gè)自驅(qū)動(dòng)的電源模塊系統(tǒng)進(jìn)行了仿真，并制作了實(shí)驗(yàn)?zāi)K。

仿真和實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的主要參數(shù)為：輸入電壓60V，輸出電壓5V，開(kāi)關(guān)頻率為200kHz。并使模塊2單獨(dú)運(yùn)行時(shí)的輸出電壓略高于模塊1的輸出電壓。

圖6和圖7分別為仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。其中V1為模塊1中整流管S1源-漏極之間的電壓；V3為開(kāi)關(guān)管S3源-漏極之間的電壓。

仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，由于環(huán)流的存在，使得在并聯(lián)系統(tǒng)中出現(xiàn)了自激振蕩現(xiàn)象。

4 解決環(huán)流及振蕩問(wèn)題的幾種措施

并聯(lián)運(yùn)行的電源模塊出現(xiàn)環(huán)流和振蕩后，會(huì)影響系統(tǒng)的正常工作。必須采取適當(dāng)?shù)拇胧┍苊猸h(huán)流和振蕩現(xiàn)象的產(chǎn)生?？梢圆扇∪缦麓胧?。

4.1 電阻器法

在產(chǎn)生環(huán)流的回路中加入電阻器，這相當(dāng)于增加了整個(gè)環(huán)流回路的電阻，可以減小環(huán)流。但是，所加入的電阻器在開(kāi)關(guān)電源的輸出回路中，必然減小輸出電壓和電流。只有在對(duì)開(kāi)關(guān)電源的輸出要求不高時(shí)，可以使用本方法。

4.2 采用檢測(cè)的手段加以控制消除

在各個(gè)開(kāi)關(guān)電源模塊中加入電流檢測(cè)器，當(dāng)某一模塊的電流發(fā)生非正常變化時(shí)，將檢測(cè)到的信號(hào)送到控制器，控制器通過(guò)控制電路使該模塊恢復(fù)正常工作，防止環(huán)流現(xiàn)象的發(fā)生。

這種方法可以與均流控制相結(jié)合，在防止環(huán)流產(chǎn)生的同時(shí)，使電流在各個(gè)模塊之間均勻分配。

4.3 改變整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)

4.3.1 改進(jìn)自驅(qū)動(dòng)[5]

圖8所示為一自驅(qū)動(dòng)同步整流模塊。

電路在多模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)，當(dāng)某一模塊因某種原因停止輸出電壓時(shí)，由于其它模塊仍在工作，且該模塊輸出端與其它模塊相聯(lián)，故輸出電壓Vout仍然存在。這時(shí)雖然該模塊不工作，但是由于結(jié)構(gòu)上的原因，S1和S2的源極與漏極的電壓為Vds=Vout，柵極與漏極的電壓為Vgs=Vout，因此S1和S2都導(dǎo)通，從而將Vout短路，勢(shì)必導(dǎo)致環(huán)流。

改進(jìn)后的自驅(qū)動(dòng)模塊如圖9所示。

圖9

S5和S6是P溝道MOSFET。當(dāng)模塊正常工作時(shí)，S5和S6只起驅(qū)動(dòng)電壓緩沖作用，不影響S1和S2的驅(qū)動(dòng)電壓波形。當(dāng)模塊不工作時(shí)，雖然Vout仍然存在，但由于S5和S6的阻斷，電壓Vout不能加到S1和S2的柵極上，而且由于電阻R5和R6，靜電不會(huì)在柵極上積累，此時(shí)S1和S2的管腳電壓為Vds=Vout及Vgs=0。因此，S1和S2都不會(huì)導(dǎo)通。這樣便有效地改進(jìn)了自驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)。

4.3.2 將自驅(qū)動(dòng)改為他驅(qū)動(dòng)

整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)不用自驅(qū)動(dòng)，而用他驅(qū)動(dòng)。將前面的單整流MOSFET結(jié)構(gòu)按此方法修改后如圖10所示。整流MOSFET S1的柵極接到PWM控制電路上，改變了原來(lái)的十字交叉（Cross-coupled）結(jié)構(gòu)，避免了環(huán)流和振蕩的產(chǎn)生。

圖10

將有兩個(gè)整流MOSFET的自驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)改為他驅(qū)動(dòng)后如圖11所示。整流MOSFET S1和S2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)由PWM控制電路提供，同樣改變了原來(lái)的十字交叉結(jié)構(gòu)，有效地避免了環(huán)流和振蕩的產(chǎn)生。

圖11

5 結(jié)語(yǔ)

在分析了直流變換器并聯(lián)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流和振蕩原因的基礎(chǔ)上，提出了幾種有效解決問(wèn)題的方法。