基于MAX16024的低功耗設(shè)備電源備份方案

在MAX16024的典型連接中，OUT端為SRAM供電；如果VCC高于復(fù)位門(mén)限(VTH)，或者VCC低于VTH但高于VRATT，穩(wěn)壓器將由VCC 供電。如果VCCVRATT，穩(wěn)壓器進(jìn)人非穩(wěn)壓狀態(tài)，此時(shí)穩(wěn)壓器將由BATT端供電。OUT端由VCC供電時(shí)，可輸出最高100mA的電流。
(1)備份電源切換在斷電和電源失效的情況下，往往需要保存RAM內(nèi)的數(shù)據(jù)內(nèi)容。MAX16024的BATT帶有備份電源切換電路，當(dāng)VCC跌落時(shí)將自動(dòng)切換到備份電源供電。MAX16024帶有BATT ON輸出，進(jìn)入電源備份模式時(shí)該引腳變?yōu)楦唠娖?。?dāng)滿(mǎn)足以下條件之一時(shí)，器件將切換到電源備份模式：1)VCC低于復(fù)位門(mén)限；2)VCC低于VRATT； 3)穩(wěn)壓器進(jìn)入非穩(wěn)壓狀態(tài)(除1．2 V輸出電壓版本之外)。
(2)片選信號(hào)選通MAX16024提供內(nèi)部CE信號(hào)的選通控制，可避免在電源失效或斷電時(shí)向CMOS RAM寫(xiě)入錯(cuò)誤數(shù)據(jù)。正常工作期間，CE選通使能并將CE瞬變直接傳送到輸出端。觸發(fā)復(fù)位輸出時(shí)，該選通通道被禁止，以避免破壞CMOSRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)， CEOUT通過(guò)內(nèi)部電流源被拉高至OUT。CEIN至CEOUT之間的1．5 ns傳輸延遲使器件可以配合大多數(shù)微處理器和高速DSP工作。正常工作模式下(沒(méi)有復(fù)位)，CEIN通過(guò)低導(dǎo)通電阻的傳輸門(mén)連接到CEOUT。復(fù)位時(shí)，如果CEIN為高電平，則無(wú)論隨后如何變化，CEOUT在復(fù)位狀態(tài)下均保持高電平。復(fù)位時(shí)，如果CEIN為低電平，CEOUT將保持12μs的低電平，以完成讀／寫(xiě)操作。12μs延遲后，CEOUT將變?yōu)楦唠娖?，無(wú)論CEIN隨后如何變化，復(fù)位期間輸出都將保持在高電平。當(dāng)CEOUT與CEIN斷開(kāi)時(shí)， CEOUT被上拉至OUT。片選電路的傳輸延時(shí)取決于驅(qū)動(dòng)CEIN的源阻抗和CEOUT的容性負(fù)載。降低CEOUT的容性負(fù)載將最大限度地減小傳輸延時(shí)，同時(shí)應(yīng)該采用低阻輸出的驅(qū)動(dòng)器。
(3)手動(dòng)復(fù)位輸入MAX16024中的為邏輯低電平時(shí)將觸發(fā)RESET。當(dāng)MR為邏輯低電平時(shí)，RESET保持復(fù)位狀態(tài)。MR變高后，經(jīng)過(guò)最小145 ms(tRP)的超時(shí)周期后RESET解除復(fù)位。MR在內(nèi)部通過(guò)30 kΩ上拉電阻連接到VCC。MR可由TTL/COMS邏輯電平或開(kāi)漏／集電極輸出驅(qū)動(dòng)。在MR和GND之間可連接一個(gè)常開(kāi)的瞬態(tài)開(kāi)關(guān)，提供手動(dòng)復(fù)位功能，無(wú)需外部去抖電路。如果由長(zhǎng)電纜驅(qū)動(dòng)或設(shè)備工作在嘈雜環(huán)境下，需要在MR和GND之間連接一個(gè)0．1μF的電容，以提供額外的噪聲抑制功能。
(4)電池連接指示器當(dāng)進(jìn)入電源備份模式時(shí)MAX160224的BATT ON輸出變高，用來(lái)指示電源切換狀態(tài)。
(5)電池保鮮在第一次連接VCC之前，MAX16024的電池保鮮功能可以確保備份電池不和內(nèi)部電路及OUT連接，保證最終產(chǎn)品在第一次使用時(shí)，連接到 BATT的備份電池是全新的。內(nèi)部保鮮鎖存功能可以保持閉鎖狀態(tài)，避免BATT在VCC第一次上電之前為OUT供電。當(dāng)VCC隨后關(guān)閉時(shí)，BATT開(kāi)始為 OUT供電。
(6)復(fù)住輸出在上電、斷電和低電壓狀態(tài)下MAX16024的P監(jiān)控電路將觸發(fā)處理器復(fù)位，以避免代碼運(yùn)行錯(cuò)誤。當(dāng)VCC低于復(fù)位門(mén)限時(shí)，觸發(fā)RESET，并在VCC上升超過(guò)復(fù)位門(mén)限后繼續(xù)保持至少145 ms(tRP)的低電平時(shí)間。MR為低電平時(shí)，也會(huì)觸發(fā)RESET。