準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算

　　如果不用固定的時鐘來初始化導(dǎo)通時間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值,并僅在這時啟動MOSFET導(dǎo)通時間,結(jié)果會是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會最小化。這情況常被稱為谷值開關(guān) (Valley Switching) 或準(zhǔn)諧振開關(guān)。這篇文章的目的目的在于和大家分享關(guān)于準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算方面的知識。

　　準(zhǔn)諧振 QR

　　Q(Quasi)

　　R( resonant)

　　主要是降低mosfet的開關(guān)損耗，而mos的開關(guān)損耗主要是來源于自身的輸出電容。

　　從上圖中，大家可以討論一下，一般的開關(guān)損耗來自于那幾個部分的寄生電容產(chǎn)生的。在傳統(tǒng)的非連續(xù)模式反激DCM)的停滯時間內(nèi)，寄生電容將會跟VDC周圍的主要電感產(chǎn)生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當(dāng)大的數(shù)值。當(dāng)下一個周期MOSFET導(dǎo)通時間開始時，寄生電容會通過MOSFET放電，產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個電流出現(xiàn)時MOSFET存在一個很大的電壓,該電流尖峰因此會做成開關(guān)損耗。

　　從上面的圖可以看到，準(zhǔn)諧振跟一般的傳統(tǒng)反激原理基本一樣。

　　Lleak是初級漏感，Rp是初級電阻，Cp是諧振電容;