Flyback的次級(jí)側(cè)整流二極管的RC尖峰吸收問(wèn)題

　　如滿(mǎn)載時(shí)，C上電壓低于或等于Uin/N+Uo，說(shuō)明吸收太強(qiáng)，需加大電阻R;

　　如滿(mǎn)載時(shí)C上電壓略高于Uin/N+Uo(5%~10%，根據(jù)整流管耐壓而定)，可視為設(shè)計(jì)參數(shù)合理;

　　在不同輸入電壓下，再驗(yàn)證參數(shù)是否合理，最終選取合適的參數(shù)。

　　我們?cè)倏纯磧煞N吸收電路對(duì)應(yīng)的吸收損耗問(wèn)題(以Flyback為例)：

　　采用RC吸收：C上的電壓在初級(jí)MOS開(kāi)通后到穩(wěn)態(tài)時(shí)的電壓為Vo+Ui/N,(Vo為輸出電壓，Ui輸入電壓，N為變壓器初次級(jí)匝比)，因?yàn)槲覀冊(cè)O(shè)計(jì)的RC的時(shí)間參數(shù)遠(yuǎn)小于開(kāi)關(guān)周期，可以認(rèn)為在一個(gè)吸收周期內(nèi)，RC充放電能到穩(wěn)態(tài)，所以每個(gè)開(kāi)關(guān)周期，其吸收損耗的能量為：次級(jí)漏感尖峰能量+RC穩(wěn)態(tài)充放電能量，近似為RC充放電能量=C*(Vo+Ui/N)^2(R上消耗能量，每個(gè)周期充一次放一次)，所以RC吸收消耗的能量為 fsw*C*(Vo+Ui/N)^2,以DC300V輸入，20V輸出，變壓器匝比為5，開(kāi)關(guān)頻率為100K，吸收電容為2.2nF為例，其損耗的能量為2.2N*(20+300/5)^2*100K=1.4w ;

　　采用RCD吸收，因?yàn)椴捎肦CD吸收，其吸收能量包括兩部分，一部分是電容C上的DC能量，一部分就是漏感能量轉(zhuǎn)換到C上的尖峰能量，因?yàn)槁└蟹浅Ｐ?，其峰值電流由不可能太大，所以能量也非常有限，相?duì)來(lái)講，只考慮R消耗的直流能量就好了，以上面同樣的參數(shù)，C上的直流電壓為Vo+Ui/N=80V，電阻R取47K，其能量消耗為0.14W，相比上面的1.4W，“低碳”效果非凡。

　　再談?wù)勥@兩種吸收電路的特點(diǎn)及其他吸收電路：

　　RC吸收：吸收尖峰的同時(shí)也將變壓器輸出的方波能量吸收，吸收效率低，損耗大，但電路簡(jiǎn)單，吸收周期與開(kāi)關(guān)頻率一致，可以用在低待機(jī)功耗電路中;

　　RCD吸收:適合所有應(yīng)用RC吸收漏感尖峰的地方(包括正激、反激、全橋、半橋等拓?fù)?吸收效率較RC高，但是存在一直消耗電容(一般比較大)儲(chǔ)存的能量的情況，不適合應(yīng)用在低待機(jī)功耗電路中(包括初級(jí)MOS管的漏感吸收);

　　再討論一下ZENER吸收：可以應(yīng)用于初級(jí)MOS漏感尖峰吸收，次級(jí)整流管電壓尖峰吸收，還可應(yīng)用于低待機(jī)功耗電路，吸收效率最高，成本高，但ZENER穩(wěn)壓參數(shù)變化較大，需仔細(xì)設(shè)計(jì)。

　　整流管的反向恢復(fù)只會(huì)出現(xiàn)在連續(xù)工作模式中，斷續(xù)工作模式的電源拓?fù)?，都不?huì)存在整流管的反向恢復(fù)問(wèn)題;

　　整流管的電容效應(yīng)及次級(jí)雜散電容與次級(jí)漏感會(huì)引起振蕩，這種振蕩在整流管大的dv/dt(變壓器連整流管端電壓變化率)和二極管反向恢復(fù)電流(連續(xù)模式)影響下，表現(xiàn)為變壓器輸出端+輸出電壓通過(guò)次級(jí)漏感與整流管等雜散電容的諧振，從而引起整流管反向電壓尖峰。

　　通俗來(lái)講，二極管的反向恢復(fù)指正在導(dǎo)通的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為反向截至狀態(tài)的一個(gè)動(dòng)態(tài)過(guò)程，這里有兩個(gè)先決條件：二極管在反向截至之前要有一定正向電流(電流大小影響到反向恢復(fù)的最大峰值電流及恢復(fù)時(shí)間，本來(lái)已截至的狀態(tài)不在此列，故只有連續(xù)模式才存在反向恢復(fù)問(wèn)題);為滿(mǎn)足二極管快速進(jìn)入截至狀態(tài)，會(huì)有一個(gè)反向電壓加在二極管兩端(這個(gè)反向電壓的大小也影響已知二極管的反向恢復(fù)電流及恢復(fù)時(shí)間)。所以看有無(wú)反向恢復(fù)問(wèn)題，可以對(duì)比其是否具備這兩個(gè)條件。

　　準(zhǔn)諧振電路的好處是將斷續(xù)模式整流二極管最大的端變化電壓N*Uo+Uo變成N*Uo-Uo，減小了其整流二極管在初級(jí)MOS管開(kāi)通時(shí)的電壓變化率，從而減少了漏感振蕩的激勵(lì)源，降低其產(chǎn)生的振蕩尖峰，如幅值不影響整流管耐壓安全，完全可以省去RC等吸收電路。