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DC/DC轉(zhuǎn)換器中的電流檢測電路設(shè)計方案

作者: 時間:2011-09-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
可以看出, rON與V GS - VTH成反比, 因此電阻值會隨著VGS的變化而變化, 這樣不同的電阻值形成的非線性源與鏡結(jié)合, 就會有不同的穩(wěn)定工作點。因此, 在整個工作中, 對于一直變化的電感, 偏置電路是通過改變電阻值而達到不同的動態(tài)穩(wěn)定狀態(tài)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/178586.htm

  為了達到電路的精確度, 本文用帶反饋控制、電阻值可變的電流源來代替復雜的運放。

  圖2所示電流電路中, MP、MN 為功率管,M1 與M4、M2 與M5 的W/L相同, VP 為MP 的控制信號, MPS用作開關(guān), 其W/L比較大, 具有低導通電阻。在電流模DC /DC 中, 反饋控制環(huán)路只需MP 功率管導通時的電流, 因此, 為降低功耗, 可控制電流檢測電路只在MP 功率管導通時工作, 即只檢測電感充電階段的電流, 而在MP 功率管截止時, 電流檢測電路不工作, 進而有效地減小了功率損耗。

  當VP 為低電平時, MP 導通, MPS作開關(guān)也導通,并且可以看作近似短路, 進而流過MPS的電流也可以忽略, 因此MP、M1 的VDS近似相同, 流過MP 的電流被鏡像復制至M1。MP 與M1 的W/L成比例, 且比例系數(shù)較大, 因此檢測到的電流與MP 中的電流成比例, 同時遠小于MP 中的電流。

  下面分析VB 與VA 的關(guān)系。假設(shè)在某個時刻,VB 的電位高于VA, 則VDS4 VDS1, M4 中的電流I4 小于M1 中的電流I1, 而VDS5 > VDS2, 要求I5 > I2, 這使得在同一支路中I4 I5, 顯然不太可能, 所以VB 會與VA 相同, 且保持相同的動態(tài)變化。因此, M1 中的電流被再次鏡像至M4, 而且, 由于反饋控制電流源的作用, VA 處的任何微小變化都會強迫VB 也有相同的變化, 保證了電流檢測的精度。

  根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計要求, 電流檢測的比例應該為K = 1 000:1, 電路圖中給出了各級電流復制的比例,由于電流檢測電路采用帶反饋控制、電阻值可變的電流源結(jié)構(gòu), 可以得到VA 等于VB, 又由于設(shè)置M1,M4, 和M7 的寬長比相等, 根據(jù)MOS 電流公式可以得到:

  

  檢測精度和速度是電流檢測電路兩個重要的指標。由于每個檢測周期的開始階段, 電流檢測電路處于啟動狀態(tài), 所以Is 都有一段啟動時間。這個時間主要由電路中M9、M10管的寄生電容決定, 當兩管的寬度和長度比較小時, 啟動時間很短, 相反, 啟動時間會變長。為了保證電流檢測的精度, M9、M10兩管的L 不能太小, 現(xiàn)取1 um。

  3 仿真結(jié)果

  通過仔細調(diào)整MP 管和M1 管的參數(shù), 設(shè)置為MP 管的寬長比為5 000 um /1 um, M1 管的寬長比為5 um /1um。其他管子的參數(shù)參見電路圖上的比例復制標注。通過在在Cadence軟件中的spe tre仿真設(shè)計工具下, 采用CSMC 0. 5 m CMOS工藝在25℃進行仿真驗證。

  下圖3給出電流檢測電路的仿真結(jié)果。

  

圖3 電流檢測電路的仿真波形

  圖3 電流檢測電路的仿真波形

  從輸出波形的測量可知, 當電感電流IL 最大值如A 點測得的479. 55 A 時, 檢測電流Is 最大值如B點測得的486. 81 A, 基本上滿足了:

  

  故所設(shè)計的電流檢測電路能很好滿足設(shè)計要求。

基爾霍夫電流相關(guān)文章:基爾霍夫電流定律



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