淺談低功耗控制電路和程序設計思路

一：首先了解芯片的內部功耗

芯片制作完整過程包括 芯片設計、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個環(huán)節(jié)，其中晶片片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計，根據設計的需求，生成的圖樣開發(fā)一個手持設備，有一個設計重點問題是必須要重視和解決的。那就是在待機狀態(tài)下如何做到最省電，即在待機狀態(tài)下如何做到盡可能的低功耗，比如用芯唐科技的Cortex-M0內核的NUC100做手持電臺的開發(fā)，

1、首先要了解的就是該芯片在深度休眠或睡眠模式下功耗是多少(即該模式下的工作電流時多大，注一般的芯片都是uA級別的)。

通過查看NUC100芯片資料(在每個芯片手冊電氣特性或DC電氣特性一節(jié)會有說明)了解到該芯片的工作最大電流(體積小、低功耗、效率高、低閘極數、指令精簡的處理器，8位機價格，32位機效能，C-語言，與Cortex-M3開發(fā)工具以及二進制程序代碼兼容，便利的開發(fā)環(huán)境Keil? RVMDK 和IAR EWARM,180 uLL制程并運用ARM標準單元資源庫，低閘極數的空間內，功耗低到85 microwatts/MHz以下，NUC1xx系列包括：NUC100/ NUC120/NUC130/NUC140,NUC100 Cortex?-M0內核系列最高可運行至50MHz外部時鐘。)和深度休眠模式下的最低功耗 (最低功耗有Ipwd1,Ipwd2,Ipwd3,Ipwd4,表示NUC100內部的模塊工作需要外部提供四個VDD接口，計算功耗時要把他們累加起來，這里給出了每個VDD接口的休眠模式下最低功耗值，當然如果芯片可以關閉某個模塊的對應的VDD,那就可以降低更多不必要的功耗了)

2、首先要了解的就是該芯片在深度休眠或睡眠模式下功耗是多少。

通過查看NUC100芯片資料了解到該芯片的工作最大電流(即最大功耗)和深度休眠模式下的最低功耗 .

二：電路供電系統(tǒng)的功耗分析

下圖是7R手臺控制電路(用2個端口做開關機判斷處理，按鍵開關機時波形圖(開/關機波形一樣))

上圖的工作原理是這樣的：

當POWER_KEY按下不，TP1點就持續(xù)高電平(下面示波器波形圖的下面一個通道的波形圖)，

由于C1兩端電平不能突變，所以C1在POWER_KEY按下瞬間其兩端都是高電平(其實C1起到加速作用)，這樣三極管Q1的由于基極出現高電平會瞬間導通，然后，TP2點出現低電平，然后C1會通過Q1的基--Q1發(fā)射--R1--C1構成一個回路進行放電，注意C2電容的容量相比C1很小，0.1u=100000p,估計C2在此電路的作用就是濾除高頻成分的目的。

(這里容易糊涂：C1不能突變，POWER_KEY按下瞬間C1兩端不能突變，可是C2兩端也不能突變，所以C2兩端都是低電平，那C1和C2的交點電壓就打架了?,因為C2電容量相比C1的電容量很小，幾乎對C1不會產生影響，當然如果C1和C2都是0.1uf,這POWER_KEY1導通瞬間，由于C1 C2兩端電壓都不能突變，則他們的交點電壓應該是2.5V)

下面用一個端口實現的開關機功能(因為INT0和PB14功能可以做程序中作改變)：