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基于虛擬空間矢量的中點電壓平衡控制

作者: 時間:2013-08-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

此時的輸出電壓矢量時序圖如圖2所示。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/175743.htm

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同理,在小區(qū)域1,2和5中,也可通過f來控制,但在小區(qū)域4中,由于無冗余小矢量,故不能通過此方法來控制,這是所提方案的不足之處。

4 仿真及實驗結(jié)果分析
4.1 仿真分析
基于Matlab/Simulink搭建了仿真模型,并與傳統(tǒng)SVPWM算法進行對比。仿真參數(shù):直流母線電壓Ud=500 V,直流分壓電容C1=C2=2 200μF,負(fù)載電阻R=10 Ω,電感L=15 mH。圖3為仿真波形。

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圖3a為傳統(tǒng)SVPWM算法時,在t=0.05 s時,調(diào)制度m由0.8突變到1時的差波形??梢?,當(dāng)m由0.8突變到1時,中點電壓差會出現(xiàn)明顯的3倍基波頻率的振蕩,對的正常運行極為不利。采用基于虛擬矢量并加入平衡因子的中點電壓平衡控制算法,當(dāng)m=1時,中點電壓差波形如圖3b(上)所示。考慮更惡劣的情況,令C1=1 200μF,C2=1 000μF,m=1;且在t=0.03 s時,改變負(fù)載,使功率因數(shù)由0.9減小到0.4時的仿真波形如圖3b(下)所示??梢?,在高調(diào)制度和低功率因數(shù)的情況下,此方法仍然能夠較好地控制中點電壓平衡。
4.2 實驗分析
基于DSP TMS320F28335搭建了二極管箝位型三電平實驗平臺。主電路直流側(cè)為2個2 200μF/400 V的電解電容,開關(guān)管采用IRF8 40型MOSFET,光耦隔離為TLP250;吸收電路為RCD型,電阻10 Ω,電容為2μF的無感電容;負(fù)載為Y型連接三相對稱阻感負(fù)載,電阻10 Ω,電感5 mH。圖4為m為0.5和1時兩種算法的中點電壓波形。由圖4a可知,當(dāng)m較低且不加平衡因子時,虛擬矢量對中點電壓的控制優(yōu)于傳統(tǒng)SVPWM算法。當(dāng)m較高時,中矢量作用時間變長,通過調(diào)節(jié)正負(fù)小矢量的作用時間,傳統(tǒng)SVPWM算法不能較好地控制中點電壓,由圖4b可知,加入平衡因子后,當(dāng)直流電壓為200 V時,中點電壓仍有較大偏移,而虛擬矢量消除了中矢量對中點電位不可控的影響,與傳統(tǒng)SVPWM相比,能更好地控制中點電壓。

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5 結(jié)論
傳統(tǒng)SVPWM算法在高調(diào)制度和低功率因數(shù)時中點電位存在3倍基波頻率的紋波。在分析中點電壓波動原因的基礎(chǔ)上,采用方法合成中矢量,從而消除其對中點電壓的影響,并加入平衡因子控制由于電容特性不一致和開關(guān)延時等造成的電壓偏移,能實現(xiàn)對中點電壓的控制。仿真和實驗驗證了此方法的正確性及有效性。

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