智能功率開關(guān)電源IC設(shè)計

1 引言

開關(guān)電源是近幾年電源市場的焦點之一,它最大的優(yōu)點是大幅度縮小變壓器的體積和重量,這樣就縮小了整個系統(tǒng)的體積和重量。一般說來,開關(guān)電源的重量是線性電源的1/4,相應(yīng)的體積大概是線性電源的1/3。所以開關(guān)電源對低檔的線性電源,尤其是20W以下的線性電源構(gòu)成了威脅,大有取而代之之勢。但是傳統(tǒng)的開關(guān)電源除了PWM 和功率MOSFET之外還包括50個左右的分立元件,這不但增加了成本、體積,而且還使可靠性受到了影響。這主要是生產(chǎn)工藝上的原因,開關(guān)電源在集成化上一直沒有突破。

近幾年,隨著生產(chǎn)工藝技術(shù)的成熟,已經(jīng)能將低壓控制單元和高壓大功率管集成到同一塊芯片之中。TI、ON Semiconductor、Power、 Integrations等公司都已經(jīng)有類似的產(chǎn)品,而國內(nèi)則幾乎是一片空白。由于開關(guān)電源在體積、重量、效率以及可靠性上的優(yōu)勢,它的研究和發(fā)展速度是驚人的。其主要應(yīng)用領(lǐng)域有：①郵電通信：作程控交換機、移動通信基站電源;②計算機：作為各種PC機、服務(wù)器、工業(yè)控制機的開關(guān)電源;③家用電子產(chǎn)品：目前使用開關(guān)電源的家用電子產(chǎn)品有電視機、影碟機等;④其他行業(yè)：如電力、航天、軍事等領(lǐng)域。

根據(jù)工藝的發(fā)展和市場的需要,將核心部分功率MOSFET和低壓PWM控制器集成在一塊芯片中。同時,還具有過熱保護(hù)、過壓保護(hù)、欠壓鎖定、自動重啟動、過流保護(hù)等功能。這種新型的開關(guān)電源集成電路給電源系統(tǒng)帶來了很多優(yōu)勢。該芯片交流輸入可直接從電網(wǎng)接入,應(yīng)用功耗低,成本低,體積小,同時還提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性,降低了成本,使電子工程師的設(shè)計更加簡單。該芯片可用于驅(qū)動一個單端接地電源系統(tǒng),如接一個振蕩回掃的二次線圈變壓器后輸出一直流電壓。

2 工作原理

此開關(guān)電源為一中頻集成模塊,設(shè)計頻率為 100kHz,最大占空比為70%,它包括一個恒頻脈寬調(diào)制器和一個高集成度電源開關(guān)電路,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。這個組合開關(guān)的高壓側(cè)可對從85~265V的交流電壓進(jìn)行連續(xù)控制,可以應(yīng)用于多數(shù)常規(guī)電源系統(tǒng)。

通過一個光電耦合管,將負(fù)載變化情況反饋到芯片內(nèi)部,反饋信號在2.7k的電阻上產(chǎn)生電壓降,經(jīng)過7kHz的低通濾波器,把高頻開關(guān)噪音濾掉,以直流電壓形式輸入到PWM模塊進(jìn)行調(diào)節(jié),產(chǎn)生占空比隨反饋信號變化的脈沖波,通過驅(qū)動電路驅(qū)動功率MOSFET,從而實現(xiàn)了PWM的調(diào)節(jié)。除此之外,功率MOSFET的源極接一電阻,來實現(xiàn)每周期的限流保護(hù)。

正常情況下,1/8分頻器輸出信號使得功率 MOSFET導(dǎo)通,若故障發(fā)生,它的輸出信號使得功率MOSFET關(guān)斷,并且它自身開始計數(shù),第1 個周期,功率MOSFET導(dǎo)通。若沒有排除,以此規(guī)律循環(huán)下去;若故障排除,則進(jìn)入正常工作狀態(tài)。該IC外接變壓器,實現(xiàn)AC-DC功能后,不同規(guī)格的變壓器可獲得不同的直流電壓。

3 內(nèi)部功能模塊介紹

3.1 振蕩器電路

如圖2所示,該振蕩器利用兩個比較器輪流導(dǎo)通,對電容進(jìn)行充放電,獲得了在電壓在2.7~4.1V震蕩的鋸齒波。其設(shè)計頻率為100kHz,占空比為 70%。對電容充放電時,利用MOS管飽和區(qū)工作電流恒定的原理,實現(xiàn)恒流充放電。其等效簡化電路模型如圖3所示。充電時,開關(guān)S合到3端,可得

DQ=DU×C (1)

且DU=4.1-2.7=1.4v (3)

式中,C = 40pF, IP=18.6mA,可以計算出T P=3ms。 放電時,開關(guān)S打到8端,可得

nbsp; 式中,IN=8mA,可以計算出 TN =7ms。

T=Tp+T N=10ms (5)

占空比的設(shè)計也是需要考慮的,當(dāng)占空比提高后,整個IC及外接電路構(gòu)成的電源效率都會提高。

但是又不能無限的提高,使之接近100%,這主要是變壓器磁通的建立和恢復(fù)是有時間限制的。同時,長時間的導(dǎo)通,功率MOSFET容易燒壞。

3.2 偏置電路

該電路采用三管能隙基準(zhǔn)電源,如圖4所示。 T2的發(fā)射極電壓如式(6)所示。由公式可知,利用等效熱電壓 Vt的正溫度系數(shù)和Vbe 的負(fù)溫度系數(shù)相互補償,可使輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)接近為零 (由于T6和T2的Vbe相同,所以輸出電壓 Vref和T2發(fā)射極電壓相同)。

3.3 PWM調(diào)制電路

由光耦管耦合過來的反應(yīng)負(fù)載變化情況的信號首先經(jīng)過一個7kHz的低通濾波器,然后送到PWM比較器和振蕩器產(chǎn)生的鋸齒波進(jìn)行比較,從而實現(xiàn)脈寬調(diào)制。該低通濾波器的頻率響應(yīng)為

可作為設(shè)計參數(shù)使用。

3.4 過壓保護(hù),欠壓鎖定電路

設(shè)計的內(nèi)部電路工作電壓環(huán)境為7.5~8.6V,該電路如圖5所示,由比較器C1,C2和電阻R1 、R2、R3、R 4組成。由于遲滯比較器的作用,當(dāng)Vcc 處于7.5~8.6V時,IC正常運行。當(dāng)Vcc >8.6V時,C1輸出高電平,直接使放電NMOS管導(dǎo)通,進(jìn)行放電。該NMOS管設(shè)計得比較大,這樣可以迅速地放電,使IC及時地回到安全狀態(tài)。若該 Vcc故障仍然存在,將用八分頻計數(shù)器來計數(shù)。這個八分頻計數(shù)器使得功率MOSFET關(guān)閉,電容將在8個連續(xù)周期內(nèi)反復(fù)充放電,8個周期后,若故障排除,整個IC進(jìn)入正常工作狀態(tài),功率MOSFET開通。這種設(shè)計可大大減少功率MOSFET的耗散功率。當(dāng)內(nèi)部工作電壓Vcc7.5V時,C1輸出一低電平,關(guān)閉驅(qū)動,同時驅(qū)動高壓啟動電路,對外接10μF電容進(jìn)行充電。同時,該低電平也送入計數(shù)器計數(shù),這樣便實現(xiàn)了自啟動功能。一般說來Vcc 7.5V,是由負(fù)載短路或過載引起電源變壓器的附加線圈輸出電壓失落,沒有足夠的電壓對芯片供電所致。

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