閃速存儲器硬件接口和程序設計中的關鍵技術

正確識別器件之后，就可以根據(jù)器件的命令集對器件進行各種操作。對閃速存儲器的所有操作都是通過芯片的命令用戶接口CUI實現(xiàn)的。通過CUI寫入不同的控制命令，閃速存儲器就從一個工作狀態(tài)轉(zhuǎn)移到另一個工作狀態(tài)。其主要的工作狀態(tài)是：讀存儲單元操作、擦除操作和編程操作。

2.2 讀存儲單元操作

　　在閃速存儲器芯片上電以后，芯片就處于讀存儲單元狀態(tài)，也可以通過寫入復位命令進入讀存儲單元狀態(tài)，讀存儲單元的操作與SRAM相同。

2.3 擦除操作

　　在對閃速存儲器芯片編程操作前，必須保證存儲單元為空。如果不空，必須對閃速存儲器芯片進行擦除操作。由于閃速存儲器采用模塊分區(qū)的陣列結構，使得各個存儲模塊可以被獨立地擦除。當給出的地址是在模塊地址范圍之內(nèi)且向命令用戶接口寫入模塊擦除命令時，相應的模塊就被擦除。要保證擦除操作的正確完成，必須考慮以下幾個參數(shù)：(1)該閃速存儲器芯片的內(nèi)部模塊分區(qū)結構。(2)擦除電壓Vpp。(3)整片擦除時間和每個模塊分區(qū)的擦除時間參數(shù)。上面三個參數(shù)在器件識別中獲得。

2.4 編程操作

　　閃速存儲器芯片的編程操作是自動字節(jié)編程，既可以順序?qū)懭?，也可指定地址寫入。編程操作時注意芯片的編程電壓Vpp和編程時間參數(shù)，這兩個參數(shù)也可以在器件識別中獲得。

　　上面，我們給出了單片機與閃速存儲器硬件接口電路和軟件編程設計中應注意的關鍵技術問題。硬件上主要考慮芯片的工作電壓和編程電壓，軟件上要考慮到器件的內(nèi)部結構、使用命令集和時間參數(shù)等因素。隨著閃速存儲器器件朝著容量越來越大、工作電壓越來越低、支持共同的接口標準的方向發(fā)展，將會使閃速存儲器硬件接口和軟件編程設計越來越容易，也會使閃速存儲器的應用更加廣泛。