Cygnal 51單片機(jī)的特點(diǎn)與應(yīng)用

3.2軟件設(shè)計(jì)

軟件設(shè)計(jì)有幾點(diǎn)需要注意：

3.2.1如何從應(yīng)用程序?qū)慒lash

(1)要點(diǎn)

在線編程允許將Flash像E2PROM一樣用于非易失性信息的存儲(chǔ),用MOVC指令讀?。∕OVC a,@A+DPTR）,用MOVX指令寫(xiě)入（MOVX @A+DPTR, a）。Flash 是按一系列512 k的頁(yè)組織的,另外還有一個(gè)128 k的頁(yè),該頁(yè)位于Flash的頂部,起始地址為0x8000 。由于寫(xiě)操作只能寫(xiě)入0, 因此在寫(xiě)一個(gè)Flash字節(jié)之前,包含該字節(jié)的頁(yè)必須首先被擦除（使該頁(yè)中的所有位都為1）,該字節(jié)必須被初始化為0xFF,一個(gè)Flash 擦除操作將一頁(yè)內(nèi)的所有字節(jié)初始化為0xFF。含有讀鎖定字節(jié)和寫(xiě)/擦除鎖定字節(jié)的Flash 頁(yè)不能由用戶軟件擦除（但是,該頁(yè)可以由用戶軟件寫(xiě)入）,該頁(yè)只能通過(guò)JTAG 接口擦除。
　
(2)擦除一個(gè)Flash頁(yè)

在進(jìn)行Flash寫(xiě)或擦除之前,必須根據(jù)當(dāng)前的系統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)置FLSCL中的FLASCL位,在進(jìn)行寫(xiě)之前必須將PSWE置1。在進(jìn)行Flash擦除之前,必須將PSWE和PSEE置1。

一個(gè)Flash頁(yè)可以通過(guò)下述過(guò)程擦除：

①根據(jù)當(dāng)前系統(tǒng)時(shí)鐘頻率值按C8051F000數(shù)據(jù)表的說(shuō)明設(shè)置FLSCL(當(dāng)使用缺省的2 MHz內(nèi)部振蕩器時(shí),FLSCL=0x86)。

②通過(guò)向PSCTL寫(xiě)入03 H使PSWE和PSEE置1。

④如果不再進(jìn)行擦除操作,將PSEE設(shè)置為‘0’。

擦除每個(gè)頁(yè)需要10～20 ms的時(shí)間。注意CPU內(nèi)核在Flash擦除過(guò)程中停止工作,但外設(shè)（像ADC,UART,SMBus和定時(shí)器）仍然工作。在擦除過(guò)程中產(chǎn)生的任何中斷都將被掛起,直到該過(guò)程結(jié)束。在寫(xiě)一個(gè)Flash字節(jié)期間CPU的工作情況與此相同。

(3)寫(xiě)一個(gè)Flash字節(jié)

(4)更新Flash 中的數(shù)據(jù)

當(dāng)保存一組配置信息時(shí),經(jīng)常需要在一組字節(jié)中單獨(dú)改變某個(gè)字節(jié)的數(shù)值。單獨(dú)更新某個(gè)字節(jié)（或字節(jié)子集）的一般過(guò)程如下：

①將Flash頁(yè)拷貝到一個(gè)臨時(shí)存儲(chǔ)區(qū)（RAM或一個(gè)已被擦除的‘臨時(shí)’Flash頁(yè)）。

外接100 kHz RC方式外部時(shí)鐘,用于低功耗設(shè)計(jì)。

4個(gè)按鍵：由于I/O口很多,而鍵盤(pán)數(shù)目又很少,因此采用簡(jiǎn)單的非編碼鍵盤(pán),工作于中斷方式。

LCD顯示（16字符×2行）：采用由HD44780構(gòu)成的液晶顯示模塊。

輸入電路由測(cè)量變壓器、精密檢波電路構(gòu)成：電壓互感器和電流互感器將被測(cè)電壓和電流變換至精密檢波電路所能接受的信號(hào),然后經(jīng)精密檢波電路傳送給8051F000的A/D。

輸出控制電路由P1口輸出控制信號(hào),控制8路固態(tài)繼電器的接通和短開(kāi)。