大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計

目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是，存儲體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64 ms，也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64 ms。這樣刷新速度為：64 ms／行數(shù)量。由于行地址有13位(在MDCNFG寄存器的DRACO[1：0]中設(shè)置，需要與硬件一致)，所以每行的的刷新時間為64 ms／213=64 ms／8 192=7．812 5／μs，則7．812 5μs×100 MHz／32=0x18，這樣就得到了系統(tǒng)的DRI值。

(4) 潛伏期的設(shè)置。潛伏期是指SDRAM在讀寫過程中所存在的延遲，潛伏期的時間長度是由以下幾個參數(shù)共同決定的：
CL：在選定列地址后，就已經(jīng)確定了具體的存儲單元，剩下的事情就是數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)I／O通道(數(shù)據(jù)總線)輸出到內(nèi)存總線上。但是在CAS發(fā)出之后，仍要經(jīng)過一定的時間才能有數(shù)據(jù)輸出，從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸出的這段時間被稱為讀取潛伏期。tRP：在發(fā)出預(yù)充電命令之后，要經(jīng)過一段時間才能允許發(fā)送行有效命令打開新的工作行，這個間隔被稱為預(yù)充電有效周期(Precharge command Period)。tRCD：在發(fā)送列讀寫命令時必須要與行有效命令有一個間隔，這個間隔被定義為tRCD，即RAS to CASDelay(RAS至CAS延遲)，也可以理解為行選通周期。tRAS：行有效至預(yù)充電命令間隔周期。tRC：包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時間。
所有參數(shù)可以從SDRAM數(shù)據(jù)手冊得到，計算出理論潛伏期時長為200／μs。

(5)其他設(shè)置

設(shè)置操作系統(tǒng)的入口點，這里用到的虛擬地址需要與系統(tǒng)中建立的映射表相對應(yīng)。
3．2 BSP內(nèi)代碼的實現(xiàn)
Windows cE系統(tǒng)啟動中，對SDRAM的操作分為兩個部分：首先對SDRAM的物理空間進行分配；其次將SDRAM所對應(yīng)的物理地址轉(zhuǎn)換為虛擬地址。
3．2．1 地址的分配
地址的分配和系統(tǒng)加載的順序有著密切的關(guān)系。首先要在內(nèi)存中開辟一段空間用來存放啟動代碼BootLoader，它被存放在sDRAM的第一個區(qū)域空間內(nèi)。當(dāng)發(fā)生外部復(fù)位中斷時系統(tǒng)會從這里重新開始運行。其次分配操作系統(tǒng)內(nèi)核空間，它被存放在SDRAM的第二個區(qū)域，以便使BootLoader能夠順利加載操作系統(tǒng)內(nèi)核。分配地址空間根據(jù)所建立系統(tǒng)內(nèi)核來確定。剩余的內(nèi)存空間用來存放系統(tǒng)下的應(yīng)用程序。
3．2．2 地址的映射
在操作系統(tǒng)中，需要把SDRAM的空間連續(xù)起來并作為首地址，不僅方便內(nèi)存管理，而且當(dāng)應(yīng)用程序申請大塊內(nèi)存時，操作系統(tǒng)內(nèi)核也可方便的分配。這就引入了將不連續(xù)的物理地址空間映射為連續(xù)的虛擬地址空間。PXA255的SDRAM起始物理地址OxA0000000，可將其映射為0x80000000，這里0x80000000將作為系統(tǒng)虛擬空間的起始地址，當(dāng)有IRQ中斷發(fā)生時，系統(tǒng)PC指針會重新指向這個地址。需要注意的是這里分配的虛擬地址要與啟動代碼中BootLoader中所使用的虛擬地址對應(yīng)起來。

3．2．3 軟件的移植
針對于PXA27x系列的高端處理器，微軟在Plat-Build 5.0中給出了相對應(yīng)的內(nèi)核代碼雖然在內(nèi)核代碼的架構(gòu)上有了很大的變化，但對于擴展SDRAM的思想并沒有改變，首先在BootLoader中初始化所使用的SDRAM，其次在BSP內(nèi)建立地址映射表。

4 結(jié) 語
介紹了在嵌入式Windows CE系統(tǒng)平臺上，使用大容量SDRAM作為動態(tài)存儲設(shè)備的方案。詳細介紹了sDRAM硬件連接方案以及軟件接口的實現(xiàn)。該方案已經(jīng)在工程設(shè)計中投入使用，其可以在同類的嵌入式高端產(chǎn)品中推廣使用。