IDT72V3680芯片的內部結構介紹
IDT72V3680屬于IDT公司的高密度supersyncTMⅡ36位系列存儲器IDT72V3640~3690中的一種,其存儲結構為16,384×36。這一系列CMOS工藝的FIFO(先入先出)芯片具有極大的深度。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/148890.htm其基本功能特點如下:
對讀/寫口都可進行靈活的總線寬度設置,可選擇不同的輸入/輸出數據線寬度(可在36 in 36 out;36 in 18 out;36in 9 out;18 in 36 out;9in 36 out中選擇);
重傳操作延時很低且固定;
首字的寫入到讀出的延時很低且固定;
數據密度高達1Mbit;
操作時鐘可達166MHz;
可選大/小字節(jié)排列格式;
主復位方式可提供FIFO整體清零,部分復位只清掉存儲數據,但保留可編程設置項;
幾乎空/滿標志置位或無效操作可選擇同步或異步時間模式;
具有兩種時間工作模式,分別為IDT標準模式(采用和標志位)和FWFT首字直傳模式(采用標志位);
讀寫操作采用獨立時鐘,并可異步操作;
采用TQFP(128引腳)和PBGA(144引腳)兩種封裝形式,其中PBGA封裝形式不僅可用JTAG口提供邊界掃描功能,還可選擇同步或者異步讀寫操作(只對PBGA封裝);
與5V輸入兼容;
具有節(jié)電模式;
管腳可與更高密度的芯片IDT72V36100和IDT72V36110兼容。
IDT72V3680的內部結構框圖如圖1所示。
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