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Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

—— 器件具有0.8mm x 0.8mm封裝 在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?
作者: 時間:2012-11-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT 封裝的CSP規(guī)格尺寸,具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET 功率。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/139552.htm

  

 

  日前發(fā)布的器件將用于智能手機、平板電腦和移動計算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中的電池或負載開關(guān)。的外形緊湊小巧,可節(jié)省PCB空間并實現(xiàn)超薄的外形,使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕,低導(dǎo)通電阻可實現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗,以減少功耗并延長電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還可以降低負載開關(guān)上的壓降,避免討厭的欠壓鎖定。

  這些是首批采用這種規(guī)格尺寸的產(chǎn)品,采用超高密度技術(shù)制造,使用自對齊工藝技術(shù),將10億個晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過MICRO FOOT的無封裝CSP技術(shù),使器件在給定的外形面積內(nèi)實現(xiàn)了盡可能低的導(dǎo)通電阻。

  12V Si8806DB是P溝道器件,在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為43m?。如需要20V電壓,Si8812DB提供59m?的最大導(dǎo)通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉(zhuǎn)化器等高速開關(guān)應(yīng)用,開啟/關(guān)斷時間小于100ns。

  20V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為76m?,可用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的導(dǎo)通電阻更低,只有54m?,適用于導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用。

  器件規(guī)格表:  

 

  新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

  Si8489EDB是首個1mm x 1mm規(guī)格尺寸的P溝道Gen III器件,典型ESD保護達2500V。此外,Si8817DB可以在1.5V電壓下導(dǎo)通,可以搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓柵極驅(qū)動和更低的總線電壓一起工作,節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。

  器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。



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