ST推出先進(jìn)調(diào)諧芯片提升4G網(wǎng)速和電池續(xù)航能力

 　　中國(guó)，2012年11月8日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及市場(chǎng)領(lǐng)先的手機(jī)用半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列高度微型化自適應(yīng)器件。新產(chǎn)品可動(dòng)態(tài)優(yōu)化手機(jī)天線性能，有助于避免電話掉線，并延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。

　　意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品 ParaScan 集成調(diào)諧電容(STPTIC)通過調(diào)整電容值，使手機(jī)功率放大器與天線之間在各種工作條件下高效傳輸電能。STPTIC有助于最大限度提升手機(jī)射頻輻射功率，改善通話性能，解決手機(jī)貼近或遠(yuǎn)離人耳時(shí)的多頻使用問題，同時(shí)盡可能降低放大器功耗，以延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。

　　不同于市場(chǎng)上通常含有多個(gè)開關(guān)電容的手機(jī)天線解決方案，STPTIC可平滑地調(diào)整電容，無(wú)需分步調(diào)整，因此電容調(diào)節(jié)更精確。此外，STPTIC采用意法半導(dǎo)體的集成無(wú)源有源器件(IPAD™)技術(shù)整合一個(gè)可變電容以及相關(guān)控制電路，產(chǎn)品尺寸更小。

　　意法半導(dǎo)體部門副總裁兼專用分立器件與IPAD產(chǎn)品部總經(jīng)理Ricardo De-Sa-Earp表示：“由于4G手機(jī)需要出色的無(wú)線性能以確?？煽康耐ㄔ捹|(zhì)量和高速數(shù)據(jù)服務(wù)，以及更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間，我們?nèi)伦钕冗M(jìn)的STPTIC系列產(chǎn)品為未來(lái)的4G LTE手機(jī)帶來(lái)一個(gè)更加引人注目的調(diào)諧電容選擇。全球五大手機(jī)廠商中已有兩家選擇了這項(xiàng)技術(shù)并用于現(xiàn)有產(chǎn)品的天線匹配設(shè)計(jì)。”

　　全新STPTIC系列采用最先進(jìn)的新一代 ParaScan 鈦酸鍶鋇(BST)調(diào)諧電容技術(shù)。新產(chǎn)品可滿足無(wú)線系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的要求，Q系數(shù)[1]高值達(dá)到2.7GHz，控制電壓變化引起的電容變化比高于3:1，在規(guī)定工作溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定。新產(chǎn)品易于設(shè)計(jì)，需要最少的外部元件，大功率輸出能夠滿足GSM標(biāo)準(zhǔn)要求。

　　STPTIC系列的主要特性：

　　電容值范圍：2.7 至 8.2 pF

　　大輸出功率(+36 dBm)

　　大調(diào)諧范圍(3.5:1)

　　高線性器件(IP3 > 60dB)

　　高品質(zhì)系數(shù)(Q 系數(shù))高達(dá)2.7 GHz

　　低泄漏電流(小于 100 nA)

　　兼容意法半導(dǎo)體的天線調(diào)諧電路(STHVDAC 系列)

　　STPTIC器件采用 6引腳的microDFN 封裝和倒裝片封裝，已向客戶提供樣片，由意法半導(dǎo)體直接供貨。

　　[1] Q 系數(shù)是能量損耗與電容貯存電能之比，Q值高說明能量損耗低。高效射頻性能需要高Q值電容。由于貯存電能與電能損耗均因頻率不同而變化，因此Q值也受頻率影響。在900 MHz和1800 MHz時(shí)，STPTIC 調(diào)諧電容的Q值分別為65和45。