內(nèi)置AMD Radeon HD 7970處理器拆解

圖2：AMD-RADEON HD 7970顯卡處理器工藝節(jié)點(diǎn)的確定(點(diǎn)擊圖片可放大)

　　基于掃描式電子顯微鏡(SEM)以及透射電子顯微鏡(TEM)的結(jié)構(gòu)分析報(bào)告表明，上述過程的工藝節(jié)點(diǎn)為低于30納米的節(jié)點(diǎn)。我們選擇了金屬1層pitch和6T-SRAM單元的區(qū)域，對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行確定，并在圖2中進(jìn)行了繪制。NMOS和PMOS具有相似的結(jié)構(gòu)，但PMOS的晶體管使用的是源/漏極水平的鍺化硅，從而提高可移動(dòng)性，同時(shí)，這種半導(dǎo)體在柵極疊層中還采用了其他的金屬層，從而對(duì)逸出功進(jìn)行調(diào)整。我們將在后面的報(bào)告中對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)探討。

　　過去廣泛認(rèn)為，第三代Redeon顯卡將會(huì)使用TSMC最新的工藝節(jié)點(diǎn)。但是，在獲得帶有內(nèi)置鍺化硅的HKMG產(chǎn)品，以及超低介電IMD后，Radeon顯卡成為了非常優(yōu)秀的世界領(lǐng)先的處理器中的一員。此外，這款產(chǎn)品還成就了一家顯卡設(shè)計(jì)公司和一家晶圓帶工廠之間的長(zhǎng)期合作關(guān)系。這款顯卡很可能會(huì)發(fā)掘出更多的電腦游戲創(chuàng)新。