英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會成功舉辦

　　2011年12與1日，全球知名的半導體企業(yè)英飛凌攜手其增值服務(wù)分銷商世強電訊，在福建泉州聯(lián)袂舉辦“英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會”，會議主要邀請了來自泉州及周邊城市微波射頻領(lǐng)域的資深技術(shù)工程師、管理人員等前來參會。

　　圖：英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會簽到處

　　本次會議旨在向業(yè)內(nèi)客戶分享射頻領(lǐng)域最新的技術(shù)應用與市場情況，同時趁此機會與現(xiàn)場的工程師們面對面交流技術(shù)設(shè)計中的種種疑問，并探討最佳的解決之道。會議首先由來自英飛凌的工程師介紹英飛凌LDMOS產(chǎn)品路線及封裝科技，對于現(xiàn)場工程師們比較關(guān)注的infineon LDMOS APD Doherty設(shè)計經(jīng)驗分享則放在本次會議的重心環(huán)節(jié)，詳細介紹了Infineon LDMOS供電pin腳的特殊之處，以及如何通過LDMOS型號功率來進行功率分配，微帶計算，從而進行Doherty功放設(shè)計;同時針對目前技術(shù)發(fā)展需求，介紹了非對稱2路Doherty PA的設(shè)計方法，3路Doherty PA設(shè)計方法，并著重介紹了如何調(diào)試的問題;另外，還就Infineon小信號這一塊，如LNA做了相關(guān)介紹;主辦方還安排出充足的時間對現(xiàn)場提出的各種問題進行了深度交流與溝通。

　　圖為：英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會現(xiàn)場

　　來自世強的資深FAE重點對幾款英飛凌LDMOS功放DEMO做了介紹，如針對單載波WCDMA設(shè)計的射頻方案，針對PICO 1W項目設(shè)計的方案，針對寬帶LDMOS設(shè)計的射頻方案等，這些demo方案，大多是由世強射頻實驗室設(shè)計而成，根據(jù)不同客戶的需求做的一些方案設(shè)計，在保證客戶性能的同時，力求設(shè)計簡單，匹配容易，效率高，與預失真配合良好等特點?，F(xiàn)場還詳細介紹了Infineon LDMOS性價比非常高的幾款產(chǎn)品，尤其是針對大功率，如250W單管封裝，340W的LDMOS產(chǎn)品。針對這些產(chǎn)品與技術(shù)方案，世強電訊可憑借強有力的FAE支持團隊，給予客戶更大力度的支持。