實(shí)驗(yàn)室肌肉男!旌宇1250瓦電源細(xì)拆解
2009年夏天泡泡網(wǎng)電源橫測(cè)中我們?cè)?jīng)仔細(xì)拆解過長(zhǎng)城巨龍1250這顆電源。他和今天拆解的旌宇1250瓦80PLUS都同出自長(zhǎng)城,而長(zhǎng)城巨龍1250電源的效率是80PLUS銅牌。這顆達(dá)到了金牌,怎么做到的呢?
本文引用地址:http://2s4d.com/article/124427.htm旌宇1250內(nèi)部結(jié)構(gòu)
整體看過去,這套方案根源于長(zhǎng)城的1250巨龍,在一次側(cè)上布線一致,二次側(cè)上改動(dòng)較大,由于效率的提高,二次側(cè)散熱片也不需要那么厚實(shí),從前的雙路磁放大處理的3.3V和5V被兩張降壓的DC-DC小PCB代替。
一級(jí)EMI濾波
在AC輸入口上設(shè)置了一個(gè)X電容,一對(duì)兒Y電容,泄電的電阻并在零線和火線上。不過露出的引腳都沒有做絕緣保護(hù)。
二級(jí)EMI濾波
因?yàn)楣β瘦^大,二級(jí)EMI濾波也必須下足夠多料才能保證通過EMI的測(cè)試,長(zhǎng)城是有全套EMI測(cè)試設(shè)備的廠商,這方面是很令人放心的。這里設(shè)置了兩個(gè)X電容,一個(gè)差模電感,兩個(gè)共模電感,一對(duì)兒Y電容。
整流橋
兩個(gè)整流橋前前后后貼了三張散熱片,把型號(hào)都擋住了,不過對(duì)1250瓦電源而言還在使用GBU封裝規(guī)格的整流橋體型有些小,要安全無恙的處理這部分的熱量,多貼些散熱片還是有必要的。
繼電器與浪涌吸收器
大功率電源主電容容量很大,通電時(shí)容易有很大電流,所以在接入其他元件前要設(shè)置一個(gè)枚大些的浪涌吸收器。圖中灰色的片片既是。他的后面是繼電器,開機(jī)后馬上短路掉浪涌吸收器,可以讓它盡快恢復(fù)狀態(tài),為下一次浪涌的到來做好保護(hù)的準(zhǔn)備。
濾波整流之后電流進(jìn)入了PFC電路,在這里由PFC控制器控制PFC開關(guān)管的占空比,以此達(dá)到輸出380V左右的近似直流。
PFC電感
Boost電路中的電感就是我的手指頭指的地方,確實(shí)是少見的大電感,磁芯直徑超過43mm,為了進(jìn)一步提高感值,雙線并繞。
主電容
主電容是兩顆Teapo耐壓420V,耐溫105℃,容量390uF的產(chǎn)品并聯(lián),等效780uF,耐壓和耐溫上都不錯(cuò),不過這么頂級(jí)的電源里我還是希望看到日本化工的電容,中高端甚至中端的電源用臺(tái)系一線電容Teapo是常見的。
PFC開關(guān)管
三枚英飛凌的SPW35N60C3開關(guān)管并聯(lián)做PFC的開關(guān)管,耐壓650V,每顆可以支持通過34.6A的電流,并聯(lián)后功率余量非常大。導(dǎo)通電阻0.1歐,Coolmos C3系列的Mosfet口碑很不錯(cuò),以至于現(xiàn)在已經(jīng)推出到C6系列。
主開關(guān)管
主開關(guān)管采用兩枚英飛凌SPW24N60C3 Mosfet串聯(lián)組成雙管正激的結(jié)構(gòu),現(xiàn)在80PLUS金牌榜上確有相當(dāng)一部分電源采用的是這個(gè)結(jié)構(gòu)達(dá)標(biāo)的,不過和數(shù)量更多的LLC結(jié)構(gòu)金牌比起來,雙管正激只能將將過線,這也是為什么在前一篇電測(cè)試中最高效率并沒有預(yù)期那樣好的原因。
PFC/PWM控制器
PFC和PWM的控制器是我們常見到的CM6802TAHX,使用虹冠電子的控制器,能通過80PLUS金牌,基本都和虹冠的某些“參考”設(shè)計(jì)有一些聯(lián)系。
電源設(shè)計(jì)中原理圖和理論有了以后最大的難度就是變壓器的設(shè)計(jì),不過因?yàn)樗接邢?,又沒法深入拆解,所以變壓器部分在拆解中總是遺憾。
主變壓器
待機(jī)控制芯片
中間黃豆似的變壓器是PWM驅(qū)動(dòng)變壓器。最右邊的是待機(jī)變壓器,為5Vsb提供電流,并為控制芯片供電。由于待機(jī)芯片的開關(guān)管集成在芯片內(nèi),還為芯片貼了散熱片。
評(píng)論