Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術

　　韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉移矩磁阻RAM)技術,兩家公司均認為這項技術是非常重要的下一代非易失性存儲技術之一。一旦有關的技術研發(fā)完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權的范圍。

　　據(jù)兩家公司的聯(lián)合聲明稱，MRAM是一種非易失性存儲技術，它具備速度極快和耗電量低的優(yōu)點。預計STT-MRAM芯片初期的用途將包括對耗電量要求很高的移動設備。

　　不過兩家公司并沒有透露其STT-MRAM芯片產量規(guī)劃，以及何時開始商業(yè)化生產的計劃等。

　　目前已經有多家半導體廠商在生產MRAM芯片產品，其中包括Everspin，Grandis，Crocus等。不過這次兩大存儲業(yè)界巨頭的聯(lián)手則令MRAM市場大有風云突變之勢。目前市場上存儲密度最高的MRAM芯片其密度為16Mbit左右，相比之下，采用20nm級別制程制造的NAND芯片目前則已經達到64Gbit的存儲密度水平，兩者的密度差距甚大。不過研發(fā)MRAM的廠商都公認MRAM具備更好的存儲密度拓展空間和信息保存能力。

　　最近有報道稱東芝認為其新近開發(fā)的垂直磁隧道結器件可作為制造Gbit密度級別ATT-MRAM的基本構件，東芝認為這種產品在3-4年內可望實現(xiàn)商業(yè)化。Hynix與東芝表示雙方正在整合有關的資源和技術，以降低MRAM商業(yè)化的風險，加快將產品推向商業(yè)化的步調。