英特爾發(fā)布3D晶體管技術延伸摩爾定律

　　3D晶體管結構的偉大意義

　　由于3D晶體管結構能夠使芯片在電壓較低、漏電流較少的環(huán)境下運行，較之前的英特爾芯片性能更高、能效更好。據英特爾透露，它的22納米3D晶體管技術芯片從功能上相比32納米的二維晶體管結構提高37%，而在相同性能下3D晶體管的能耗減少50%，所以適用于手持裝置使用。

　　其它的領先國際大廠如IBM fab 俱樂部，臺積電等也在開發(fā)多柵晶體管結構。只是按英特爾院士Mark Bohr看法，英特爾至少領先3年，如臺積電計劃在14nm時才準備采用FinFET結構。

　　另外，據Mark Bohr透露，三柵結構技術可以縮小到14納米。意味著業(yè)界一直爭論的16納米之后(包括16納米)的技術如何走?英特爾至少已經打開一條生路。因此3D晶體管結構具有劃時代的革命性意義。

　　3D晶體管結構從制造工藝成本上僅增加2-3%因此是十分誘人的。

　　它的22nm制程又稱1270，已進入生產。首先會在俄勒岡州的D10晶圓廠生產，而后再移到亞利桑那州的F32廠，將在2011年下半年開始量產。

　　英特爾的下一代處理器Ivy Bridge將獨家采用該3D晶體管技術。也就是說英特爾在生產Ivy Bridge芯片時將退出2D晶體管制造業(yè)務、完全轉向3D晶體管。2011年底，Ivy Bridge芯片將開始進入商業(yè)生產，然而估計應該在2012年時進入批量生產。

　　為此，英特爾公司于近日上調其2011年的資本支出計劃由之前的支出90億美元，上調至102億美元。用來推進其22納米芯片制造工藝的研發(fā)，并向其下一個目標——14納米芯片進發(fā)。

　　結語

　　在歡慶晶體管60周年(2007年)的生日時，筆者曾為英特爾發(fā)布45納米工藝時采用高k金屬柵技術，形象的比喻為英特爾為產業(yè)搭了一座通向更小尺寸芯片的橋。

　　如今四年過去，英特爾又一次發(fā)布3D晶體管結構，表示英特爾再次為產業(yè)的進步作出巨大貢獻。盡管摩爾定律總有一天會受限于尺寸縮小技術而止步不前，但是產業(yè)會通過晶體管材料的變化，以及晶體管結構的變革等，仍在繼續(xù)延伸摩爾定律的壽命。

　　實際上討論定律還能生存多久已沒有太多的現實意義。因為半導體業(yè)的創(chuàng)新總是層出不窮，而且它已由傳統(tǒng)的技術推動轉向于依賴市場的推動。因此更為迫切的應該去關注產品的應用市場，以及降低成本來盡可能的滿足客戶的需求。