英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開關(guān)和效率界限

　　英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應用，在降低開關(guān)損耗、實現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標桿，并可滿足開關(guān)頻率高達100 kHz的應用需求。

　　近年來，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設(shè)計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用，幫助最大限度發(fā)揮系統(tǒng)的性能。

　　英飛凌公司IGBT功率分立式器件高級營銷經(jīng)理Roland Stele指出：“最近幾年，工業(yè)驅(qū)動、感應加熱、電焊機、UPS和太陽能逆變器等應用對IGBT的需求大幅提高。所有這些產(chǎn)品都需要具有特定優(yōu)化特性的功率開關(guān)。英飛凌提供的新一代突破性IGBT針對高頻應用進行優(yōu)化，具備最低的開關(guān)損耗并提高了系統(tǒng)效率。”

　　全新的高速3 IGBT系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于開關(guān)頻率高達100 kHz的產(chǎn)品。它相對于上一代器件，總關(guān)斷損耗降低35%。關(guān)斷損耗的大幅降低主要源自于極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短75%，并表現(xiàn)出類似MOSFET的關(guān)斷開關(guān)行為。

　　由于Vce(sat)(通態(tài)飽和電壓)對總體損耗也很關(guān)鍵，因此需要在開關(guān)損耗和導通損耗之間實現(xiàn)最佳平衡。全新的高速3系列不僅具備極低的開關(guān)損耗，而且具備較低的導通損耗，這主要得益于采用本身具備較低通態(tài)飽和電壓的、成熟的Trenchstop™ 技術(shù)。

　　對于高速3系列中具備續(xù)流二極管的IGBT而言，其二極管的尺寸經(jīng)過優(yōu)化，適用于高速開關(guān)，同時可維持較高的軟度，使產(chǎn)品具備出色的抗電磁干擾性能。

　　供貨與定價

　　符合RoHS標準的全新高速3 IGBT系列，其600V器件的電流范圍為20A至50A，其1200V器件的電流范圍為15A至40A。該系列目前全面投入量產(chǎn)。

　　樣品數(shù)量的價格范圍為1.90歐元(600V 20A)至5.10歐元(1200 40A)。