2009 年11月2日，恒憶與英特爾在堆棧式交叉點(diǎn)相變存儲(chǔ)技術(shù)方面取得里程碑式成果

　　2009 年11月2日，相變存儲(chǔ) (PCM) 是一項(xiàng)結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲(chǔ)產(chǎn)品類(lèi)型的不同優(yōu)點(diǎn)的非易失性?xún)?nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測(cè)試芯片，對(duì)于隨機(jī)存取非易失性存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)應(yīng)用而言，這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲(chǔ)裝置。

　　上述發(fā)現(xiàn)是 Numonyx 與 Intel 長(zhǎng)久以來(lái)共同進(jìn)行的一項(xiàng)研究計(jì)劃的成果，該計(jì)劃的目的著重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。雙方的研究人員如今已能夠演示垂直一體化的存儲(chǔ)單元 —— PCMS (相變存儲(chǔ)及開(kāi)關(guān))。PCMS 包含一個(gè) PCM 組件，此組件與全新使用的雙向閾值開(kāi)關(guān) (OTS) 堆棧于真正的交叉點(diǎn)陣列中。這一能夠堆棧 PCMS 陣列的能力可實(shí)現(xiàn)更高存儲(chǔ)容量的可擴(kuò)展性，同時(shí)維持 PCM 的效能特性，而這對(duì)于傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)而言則是巨大的挑戰(zhàn)。

　　恒憶資深技術(shù)研究員 Greg Atwood 表示：“這些研究成果具有相當(dāng)光明的前景，顯示了未來(lái) PCM 產(chǎn)品可達(dá)到的更高容量、可擴(kuò)展式陣列及類(lèi) NAND 使用模式等。由于傳統(tǒng)的閃存技術(shù)面臨某些實(shí)體限制和可靠性等問(wèn)題，且存儲(chǔ)產(chǎn)品在從手機(jī)到數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中都有著日益增長(zhǎng)的需求，這些成果更顯得彌足珍貴。”

　　Intel 研究員兼存儲(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)總監(jiān) Al Fazio 表示：“我們持續(xù)進(jìn)行著內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)發(fā)，希望借此提升計(jì)算平臺(tái)的性能。我們對(duì)于這一里程碑式的研究成果感到相當(dāng)振奮。PCMS 等內(nèi)存技術(shù)在未來(lái)對(duì)于擴(kuò)大存儲(chǔ)器在計(jì)算解決方案中的重要性、提升性能和可擴(kuò)展性將有著相當(dāng)重要的意義。”

　　存儲(chǔ)單元是由堆棧存儲(chǔ)組件及選擇器所組成，并且具有多個(gè)組成存儲(chǔ)陣列的單元。Numonyx 與 Intel 的研究人員已經(jīng)能夠部署薄膜雙終端 OTS 做為選擇器，以符合 PCM 擴(kuò)展所需的實(shí)體及電特性要求。憑借薄膜 PCMS 的兼容性，如今已能夠建立多層的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)陣列。一旦經(jīng)過(guò)整合及嵌入真正的交叉點(diǎn)陣列后，多層陣列便可結(jié)合 CMOS 電路的解碼、感知及邏輯功能。

　　更多關(guān)于存儲(chǔ)單元、交叉點(diǎn)陣列、實(shí)驗(yàn)及成果的信息將刊登于題為《堆棧式交叉點(diǎn)相變存儲(chǔ)》的共同文件中，并將于 2009 年 12 月 9 日在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩舉行的 2009 年國(guó)際電子器件會(huì)議 (Internatinal Electron Devices Meeting) 上發(fā)表。此文件由 Numonyx 與 Intel 雙方的技術(shù)人員合著，屆時(shí)將由 Intel 資深首席工程師 DerChang Kau 發(fā)表。