傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口

6月12日消息，據(jù)知情人士爆料稱，美國(guó)拜登政府希望進(jìn)一步限制中國(guó)獲得用于制造尖端芯片的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)，同時(shí)還有消息稱，美國(guó)還將限制高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的對(duì)華出口，這對(duì)人工智能加速器至關(guān)重要。

報(bào)道稱，GAA晶體管技術(shù)將進(jìn)一步提升晶體管密度，同時(shí)提供了功率和性能優(yōu)勢(shì)，但該技術(shù)目前僅用于最尖端的工藝節(jié)點(diǎn)。目前，只有三星在其 3nm 節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)了這項(xiàng)技術(shù)。英特爾將在其Intel 20A 節(jié)點(diǎn)中采用 GAA，臺(tái)積電則計(jì)劃在2nm制程上采用GAA技術(shù)。

美日歐現(xiàn)有的對(duì)華出口管制政策，限制了中國(guó)獲得16/14nm以下先進(jìn)制程所需的半導(dǎo)體制造設(shè)備。盡管如此，中國(guó)還是有其他方法可以規(guī)避這些限制并提高其現(xiàn)有工藝節(jié)點(diǎn)的性能，此前的信息顯示，中國(guó)已經(jīng)具備7nm制程的量產(chǎn)能力，同時(shí)有可能在無(wú)需EUV光刻機(jī)的情況下實(shí)現(xiàn)5nm制程的量產(chǎn)。

甚至中國(guó)晶圓制造商可以將GAA晶體管技術(shù)移植到其現(xiàn)有的7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，雖然這不能提供使用3nm GAA及以下工藝的技術(shù)的全部好處，但可以想象，它將在功率和性能方面有所提高。由于GAA是通過(guò)單一圖案完成的，因此中國(guó)可能會(huì)利用其現(xiàn)有的芯片制造工具完成這一壯舉。

華為云服務(wù)首席執(zhí)行官?gòu)埰桨舱J(rèn)最近表示，他認(rèn)為中國(guó)不會(huì)在短期內(nèi)獲得3.5nm或更小芯片的芯片制造設(shè)備，所以中國(guó)應(yīng)該努力更好地利用其現(xiàn)有的7nm工藝節(jié)點(diǎn)。

此前美國(guó)已經(jīng)對(duì)GAA技術(shù)實(shí)施了出口管子，目前尚未有任何加強(qiáng)限制的條件的官方消息。相關(guān)的傳聞都是不具名的，所以真實(shí)性依然存疑。

不過(guò)，對(duì)HBM出口的新限制可能并不是那么的遙遠(yuǎn)，因?yàn)镠BM對(duì)于人工智能芯片的開(kāi)發(fā)和生成式人工智能模型的發(fā)展非常重要，而人工智能技術(shù)是美國(guó)重點(diǎn)關(guān)注和對(duì)華限制的領(lǐng)域。

編輯：芯智訊-浪客劍