DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)即將初步敲定：最高速率可達(dá)21Gbps

5月22日消息，雖然DDR5內(nèi)存才剛剛成為主流，但是標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC早已經(jīng)開始籌備下一代標(biāo)準(zhǔn)DDR6的制定工作，并于近日正式披露了DDR5一些規(guī)格上的展望規(guī)劃。

DDR4內(nèi)存的頻率一般在1400-3200MHz，DDR5提升到了4000-8400MHz，DDR6內(nèi)存預(yù)計起步就是8800MHz，最高可達(dá)17.6Gbps，甚至有希望推進(jìn)到21Gbps。

對于DDR6內(nèi)存的信號調(diào)制技術(shù)，到底采用PAM還是NRZ，目前還在討論階段，初步意見傾向于NRZ——PCIe 6.0就已經(jīng)從NRZ改成了PAM。

除了DDR6內(nèi)存之外，面向移動設(shè)備的LPDDR6內(nèi)存的部分規(guī)格也被曝光，其最高速率可以達(dá)到14.4Gbps，與現(xiàn)在的LPDDR5X相比提升了50%。

JEDEC希望能夠在今年內(nèi)完成DDR6以及LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初稿，隨后由廠商來反饋和提交修改。預(yù)計在2025年第二季度推出1.0正式版，隨后廠商就可以根據(jù)JEDEC組織提供的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計和生成DDR6/LPDDR6內(nèi)存的生產(chǎn)，預(yù)計正式商用還需要等到2026年。