“鎖死”存儲芯片？美副部長：擬限制在華韓企制造能力

導讀：當?shù)貢r間2月23日據(jù)韓聯(lián)社和路透社消息，美國可能將限制三星、SK海力士等韓企在中國制造更先進的芯片。

圖：美商務部副部長Alan Estevez

芯片大師曾報道消息：三星、SK海力士已獲美國豁免，在華生產(chǎn)暫不受影響，自2022年10月12日起，在中國生產(chǎn)18納米以下DRAM、128層以上NAND閃存、14納米以下邏輯芯片生產(chǎn)設備的出口管制措施對所有企業(yè)生效，而三星和海力士兩家公司取得為期一年的豁免期，可以繼續(xù)進口相關設備。

目前距離豁免期還剩約7個月，針對豁免到期后的后續(xù)動作，負責工業(yè)和安全事務的美商務部副部長Alan Estevez 2月23日在華府智庫戰(zhàn)略與國際研究中心(CSIS) 主辦的論壇中表示：“美方可能對韓企在中國的成長程度設限，那些公司會被要求停留于目前所處的堆疊層數(shù)，或其技術范圍內(nèi)某水平?！?/span>

也就是說，一旦該措施被執(zhí)行，三星和SK海力士的在華晶圓廠有可能在2023年10月以后不但無法繼續(xù)進口設備更新產(chǎn)線，也無法再生產(chǎn)更先進的存儲芯片，包括更先進制程和更高Layer的DRAM和NAND芯片。

圖：三星西安晶圓廠

Alan Estevez還表示：“我們處在技術驅(qū)動軍力的世界......美方將與韓企合作，以確保這不會傷害盟友的公司，與此同時，我們將一同限制中國的能力?！?/span>

但在兩位當事人三星和SK海力士看來，一旦管制落地，對盟友公司的“傷害”可能是致命的。

三星在西安設有生產(chǎn)兩座NAND工廠（F1x1的一期和二期，約128/176層），合計月產(chǎn)能約25萬片，無論制程和規(guī)模都算得上全球屈指可數(shù)（也許是第一）的NAND制造基地，其中40%產(chǎn)量供應中國市場。

SK海力士同樣在無錫擁有兩座月產(chǎn)能約18萬片的大型DRAM晶圓廠（C2和C2F，12英寸約12/14nm工藝），加上正在收購的英特爾大連NAND晶圓廠（Fab68，用于制造12英寸VNAND），中國大陸是其在海外唯一的晶圓生產(chǎn)重地，同時SK海力士中國DRAM廠也有40%產(chǎn)能出售于本地市場。

圖：SK海力士無錫晶圓廠

目前，三星和SK海力士都將中國作為最大、最先進的海外制造基地+單一市場，包括封測、代工等在內(nèi)，韓國在華半導體企業(yè)也是外資中投入力度最大、創(chuàng)造效益最多的，這一點毋庸置疑。

如果限制落地，加上另外三家已經(jīng)嚴重受影響的中國本土大型存儲器企業(yè)，理論上兩個可能的結果：一是存儲器工藝暫時被“鎖死”，中國大陸將在一段時期內(nèi)失去先進存儲器制造能力，二是部分在華外資企業(yè)的設施將被迫陸續(xù)轉移至海外，這是存儲器本身對先進制程的高度依賴決定的。

現(xiàn)實的角度來說，我們希望這一天晚一些到來，更希望到來的時候并不是毫無準備。