突發(fā)！商務部決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制！全球半導體產(chǎn)業(yè)將受影響！

7月3日，商務部與海關總署發(fā)布公告，宣布對鎵、鍺相關物項實施出口管制。未經(jīng)許可，不得出口。

其中，鎵類物項包括：金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵。

鍺類物項包括：金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺。

眾所周知，以上相關鎵類物項和鍺類物項大都屬于重要的化合物半導體材料，而金屬鎵、金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、鍺外延生長襯底則屬于制備鎵類或鍺類相關化合物半導體所須的材料。

作為全球金屬鎵、金屬鍺儲量及產(chǎn)量最大的國家之一，中國此次對鎵、鍺相關物項實施出口管制，無疑將會對全球的半導體產(chǎn)業(yè)造成重大影響。

具體對鎵、鍺相關物項資料，由芯智訊整理如下：

金屬鎵

金屬鎵是一種稀有的藍色或銀白色的金屬，其產(chǎn)品熔點很低，但沸點很高，是一種性能優(yōu)良的電子原材料，下游應用領域廣泛，主要應用于制作光學玻璃、真空管、半導體的重要原料。

根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局（USGS）公布的數(shù)據(jù)，目前全球金屬鎵的儲量約為27.93萬噸，而中國的儲量最多，達到19萬噸，占全球儲量的68%左右；相比之下，美國的儲量還不到中國的1/40，只有0.45萬噸。

從產(chǎn)量來看，中國產(chǎn)量占比全球鎵產(chǎn)量最高。德國和哈薩克斯坦分別于2016年和2013年停止了鎵生產(chǎn)。（2021年德國宣布將在年底前重啟初級鎵生產(chǎn)），匈牙利和烏克蘭分別于2015年和2019年停止鎵生產(chǎn)，中國鎵占比全球鎵產(chǎn)量持續(xù)提升，截止2021年，占比全球鎵產(chǎn)量已超90%。

氮化鎵

氮化鎵是近年來比較熱門的第三代化合物半導體材料。相對于傳統(tǒng)的硅(Si)和砷化鎵(GaAs)半導體材料，氮化鎵具有許多優(yōu)點，例如高電子流動率、高飽和漂移速度、高電子密度和高熱導率。這些特性使氮化家在高功率電子器件（比如快充充電器）、高速光電子器件、高亮度發(fā)光二極管(LED)和高效能太陽能電池等領域有廣泛應用。此外，氮化家還被用于制造紫外線激光器、無線電通信設備、醫(yī)療器械等。

氮化鎵

氧化鎵則是一種“超寬禁帶半導體”材料，也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅、氮化鎵相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶，因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。并且，在同等規(guī)格下，寬禁帶材料可以制造die size更小、功率密度更高的器件，節(jié)省配套散熱和晶圓面積，進一步降低成本。

值得注意但是，在2022年8月，美國商務部產(chǎn)業(yè)安全局（BIS）對第四代半導體材料氧化鎵和金剛石實施出口管制，認為氧化鎵的耐高壓特性在軍事領域的應用對美國國家安全至關重要。此后，氧化鎵在全球科研與產(chǎn)業(yè)界引起了更廣泛的重視。

磷化鎵

磷化鎵是由元素鎵與元素磷合成的Ⅲ—Ⅴ族化合物半導體，常溫下其純度較高的為橙紅色透明固體。磷化鎵是制作半導體可見發(fā)光器件的重要材料，主要用作制造整流器，晶體管、光導管、激光二極管和致冷元件等。

磷化鎵和砷化鎵是具有電致發(fā)光性能的半導體，是繼鍺和硅之后的重要化合物半導體。與砷化鎵不同，磷化鎵是一種間接帶隙材料。當引入能形成等電子陷阱的雜質(zhì)后，其發(fā)光效率會大大提高，并且能根據(jù)引入雜質(zhì)的不同而發(fā)出不同顏色的光來。例如在磷化鎵中摻入氮則發(fā)綠Chemicalbook光，摻入鋅-氧對則發(fā)紅光，因此磷化鎵是制作可見光發(fā)光二極管和數(shù)碼管等光電顯示器件的重要材料，此外還可用來制作光電倍增管、光電存儲器、高溫開關等器件。

砷化鎵

砷化鎵是當前主流的第二代化合物半導體材料之一。其具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、高線性以及低噪聲等特點，在光電和射頻領域有著非常廣泛的應用。

比如，砷化鎵可以用來制作LED(發(fā)光二極管)，主要是黃光、紅光和紅外光（氮化鎵禁帶更寬，主要用來發(fā)藍光、綠光和紫外光），具有效率高、器件結(jié)構(gòu)精巧簡單、機械強度大、使用壽命長等特點。如果砷化鎵作為發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。典型應用就是VCSEL（垂直腔表面****激光器），廣泛應用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信，結(jié)構(gòu)光/TOF人臉識別等。

另外，砷化鎵的電子遷移率是硅的五倍，HBT的Ft高達45GHz，0.25um E mode pHEMT的Ft更是高達70GHz，因此砷化鎵非常適合設計Sub-7GHz的射頻器件。蜂窩和WLAN PA也常用砷化鎵HBT設計；開關、LNA等則采用砷化鎵pHEMT工藝。

銦鎵砷

銦鎵砷是一種III-V族半導體，具有晶格匹配性好、帶隙可調(diào)節(jié)、大尺寸產(chǎn)品均勻性好等優(yōu)點，是第四代半導體材料，也是新一代紅外發(fā)光材料，在光電芯片、紅外探測器、傳感器等領域擁有巨大應用價值。

在光電芯片領域，為制造體積更小、功能集成度更高的晶體管，傳統(tǒng)硅材料已無法滿足需求，砷化銦鎵可達到此要求。

在紅外探測器領域，砷化銦鎵可用作短波紅外光電材料，制造短波紅外探測器，也可以與其他III-V族半導體相配合制備超晶格材料，例如以磷化銦為襯底，外延生長砷化銦鎵，制備得到InP/InGaAs超晶格，此材料穩(wěn)定性高、均勻度高，以其為敏感材料制造而成的紅外探測器，具有高靈敏度、高可靠性、低功耗、低成本等優(yōu)點，可以廣泛應用在智能駕駛、安防監(jiān)控、儀器儀表等領域。

在傳感器領域，由于砷化銦鎵靈敏度高，可制造InGaAs紅外掃描相機，是OCT（光學相干斷層掃描）的關鍵組成部分，可提高人體組織穿透性，并實現(xiàn)高速成像。OCT是新型醫(yī)學影像技術，在生物組織活體檢測與成像方面效果顯著，在臨床上可以廣泛應用在眼科、牙科、皮膚科、癌癥早期診斷等方面，是醫(yī)療領域重要疾病診斷技術之一，此外也可以應用于工業(yè)測量領域。

硒化鎵

硒化鎵是一種重要的二元半導體，它具有各向異性、較寬的帶隙、新奇的光學和電學性質(zhì)等特性。這使得硒化鎵在太陽能電池、光探測器及集成光電子器件等領域有很好的應用前景。

另外，由于硒化家晶體具有優(yōu)異的抗干擾性能和低損耗性能，它可以用于高精度技術應用，如高精度電子儀器、電氣控制系統(tǒng)和光學系統(tǒng)。此外，硒化家晶體還具有優(yōu)異的耐腐蝕性和低氧化性，可以用于各種酸性和堿性腐蝕性環(huán)境中的應用，是一種優(yōu)良的精密機械制造材料。

銻化鎵

銻化鎵屬于III-V族化合物窄帶隙半導體，外觀為灰白色晶體狀，為立方晶系、閃鋅礦結(jié)構(gòu)。銻化鎵是第四代半導體材料中窄帶隙半導體的代表性產(chǎn)品之一，具有電子遷移率高、功耗低的特點，其禁帶寬度可以在較寬的范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)，在中長波紅外波段探測性能優(yōu)異。銻化鎵常用作襯底材料，可以廣泛應用在紅外探測器、激光器、發(fā)光二極管、光通信、太陽能電池等行業(yè)中。

在光通信中，波長越長的光在傳輸過程中損耗越低，工作波長2-4μm的非硅材料光傳輸損耗更低，銻化鎵可以工作在此波段范圍內(nèi)，并且能夠與其他III-V族材料晶格常數(shù)相匹配，制得的GaSb/GaInAsSb等產(chǎn)品光譜范圍符合光通信的低損耗要求。

據(jù)了解，發(fā)展銻化物半導體材料是整個光通訊領域中核心技術發(fā)展的戰(zhàn)略方向之一。銻化鎵半導體主要應用于光纖通訊的********，其傳輸信號的頻率可以達到300赫茲以上。銻化鎵(銻化物半導體材料)未來在6G等應用上，可能是不可替代的傳輸載體。

在紅外探測器領域，銻化鎵憑借光譜覆蓋范圍寬、頻帶寬度可調(diào)節(jié)的優(yōu)勢，以其為襯底制備的二類超晶格材料例如InAs/GaSb探測性能優(yōu)異、成像質(zhì)量高，可制造高性能紅外焦平面成像陣列，特別是在中紅外探測器制造中具有不可替代性，而紅外焦平面成像陣列具有多色、大面陣、功能集成化的特點，是第三代紅外探測器。

除此之外，銻化鎵在太陽能電池中也有巨大應用價值。2017年7月，美國喬治華盛頓大學與其他科研機構(gòu)、高校以及公司合作，設計出一款銻化鎵基太陽能電池，可以捕獲不同波長的太陽光，光電轉(zhuǎn)化效率達到44.5%，遠高于同期其他太陽能電池。

金屬鍺

鍺是一種灰白色準金屬，也是典型的稀散金屬，其主要以含硫化物的鉛、鋅、銅等礦物的伴生礦產(chǎn)以及一部分含鍺褐煤存在，很少有獨立礦床存在。在實際開采中，通常和含硫化物的鉛、銅以及煤炭等相伴而生。不僅含量少、開采難度大，而且提取也極為麻煩，因此它的產(chǎn)量始終都不高。

根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局所出示的最新勘測報告顯示，全球已探明8600噸鍺儲量中，美國獨占鰲頭達到3870噸，緊隨其后的中國，探明儲量為3500噸。兩國所擁有的鍺含量，占據(jù)世界鍺總儲量的8成以上，鍺對于兩國來說，都是一種優(yōu)勢礦種。

我國是全球鍺資源儲量和消費大國，鍺資源主要分布在云南、內(nèi)蒙古等地區(qū)，其中云南是國內(nèi)最大的鍺資源儲存區(qū)域，占比達到35%左右。經(jīng)過多年發(fā)展與積累，我國鍺產(chǎn)業(yè)鏈布局逐漸完善，鍺加工企業(yè)主要集中在二氧化鍺、四氯化鍺、區(qū)熔鍺錠等深加工環(huán)節(jié)。

從產(chǎn)量來看，根據(jù)2019年的行業(yè)報告顯示，全球一年的原生鍺的產(chǎn)量為131噸，和年產(chǎn)幾萬億噸的銅鐵完全不具備可比性。而在為數(shù)不多的產(chǎn)量中，中國產(chǎn)量居于世界榜首，供給量占比超過六成。

常規(guī)的金屬鍺制備方法為，鍺原料通過酸蒸餾成為四氯化鍺，四氯化鍺再經(jīng)過水解轉(zhuǎn)化為二氧化鍺，二氧化鍺再經(jīng)過還原成為還原鍺，還原鍺再進行區(qū)熔提純過程得到金屬鍺。中間需要經(jīng)過水解、還原、區(qū)熔等過程，生產(chǎn)工藝流程較長，設備設施投入較多，過程中帶入雜質(zhì)造成金屬鍺產(chǎn)品二次污染的幾率較大。

磷鍺鋅

磷化鍺鋅晶體是一種新型的中遠紅外波段非線性光學材料，可實現(xiàn)激光器的小型化、固態(tài)化和高功率輸出，在民用和國防領域有重要應用。民用領域可應用于紅外光譜、紅外醫(yī)療器械、大氣中有害物質(zhì)監(jiān)測、遠距離化學傳感、深空探測等；國防領域可應用于紅外激光定向干擾、紅外遙感、激光雷達等。

磷鍺鋅晶體是一種性能優(yōu)異的新型中紅外高功率非線性光學材料，它具有紅外透明范圍寬、非線性光學系數(shù)大、導熱率高、光損傷閾值高、耐腐蝕等優(yōu)點，可實現(xiàn)激光器的小型化、固態(tài)化和高功率輸出。可用于制備中紅外高功率激光頻率轉(zhuǎn)換器件，如差頻、倍頻、光參量振蕩器件等，在紅外制導、紅外測距、紅外探測等國防和民用領域有廣泛的應用前景。

二氧化鍺

二氧化鍺化學式GeO2，外觀為白色粉末或無色結(jié)晶，為四方晶系、六方晶系或無定形體，二氧化鍺不溶于水和鹽酸，可溶于堿液生成鍺酸鹽。二氧化鍺是制造其他鍺產(chǎn)品的基礎材料，例如光纖四氯化鍺、區(qū)熔鍺錠、鍺化合物等，廣泛應用在電子、化工、塑料、光學鏡頭、光學玻璃、半導體材料以及光譜分析材料等領域。近年來，伴隨下游市場不斷發(fā)展，二氧化鍺市場需求漸釋放，高純二氧化鍺生產(chǎn)能力穩(wěn)定提升。

高純二氧化鍺可分為GeO2-05、GeO2-06兩個牌號，其中GeO2-05的二氧化鍺純度不小于99.999%；GeO2-06的二氧化鍺純度不小于99.9999%。

近年來，伴隨電子、半導體等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，市場對二氧化鍺的粒度、松裝密度、純度等有了更高的要求，在此背景下，高純二氧化鍺市場需求不斷釋放。為規(guī)范高純二氧化鍺產(chǎn)品質(zhì)量、擴大高純二氧化鍺生產(chǎn)能力，我國政府出臺了一系列高純二氧化鍺相關標準及政策，二氧化鍺產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐漸得到優(yōu)化。

四氯化鍺

四氯化鍺是一種無色的發(fā)煙液體，帶一股獨特的酸性臭味。它是生產(chǎn)高純鍺過程中的反應中間體。四氯化鍺可用來生產(chǎn)純金屬鍺，高純四氯化鍺可用來制備高純二氧化鍺，純度更高的光纖級四氯化鍺可作為摻雜劑用于光纖預制棒生產(chǎn)中，可以實現(xiàn)光纖無損耗信號傳輸，大幅提高光纖性能。

光纖級四氯化鍺是生產(chǎn)光纖預制棒的重要原材料之一，可以提高纖芯折射率，從而降低光傳輸損耗、提升光傳輸距離。光纖預制棒是光纖產(chǎn)業(yè)中利潤最高的環(huán)節(jié)，隨著我國光纖光纜行業(yè)規(guī)模不斷擴大，我國市場對光纖預制棒的需求不斷增長，拉動我國光纖級四氯化鍺需求不斷上升。

附《商務部 海關總署公告2023年第23號 關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告》

根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿(mào)易法》《中華人民共和國海關法》有關規(guī)定，為維護國家安全和利益，經(jīng)國務院批準，決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制。有關事項公告如下：

一、滿足以下特性的物項，未經(jīng)許可，不得出口：

（一）鎵相關物項。

1.金屬鎵（單質(zhì)）（參考海關商品編號：8110929010、8112929090、8112999000）。

2.氮化鎵（包括但不限于晶片、粉末、碎料等形態(tài)）（參考海關商品編號：2850001901、3818009001、3825690001）。

3.氧化鎵（包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài)）（參考海關商品編號：2825909001、3818009002、3825690002）。

4.磷化鎵（包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片等形態(tài)）（參考海關商品編號：2853904030、3818009003、3825690003）。

5.砷化鎵（包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài)）（參考海關商品編號：2853909026、3818009004、3825690004）。

6.銦鎵砷（參考海關商品編號：2853909028、3818009005、3825690005）。

7.硒化鎵（包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài)）（參考海關商品編號：2842909024、3818009006、3825690006）。

8.銻化鎵（包括但不限于多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態(tài)）（參考海關商品編號：2853909029、3818009007、3825690007）。

（二）鍺相關物項。

1.金屬鍺（單質(zhì)，包括但不限于晶體、粉末、碎料等形態(tài)）（參考海關商品編號：8112921010、8112921090、8112991000）。

2.區(qū)熔鍺錠（參考海關商品編號：8112921090）。

3.磷鍺鋅（包括但不限于晶體、粉末、碎料等形態(tài)）（參考海關商品編號：2853904040、3818009008、3825690008）。

4.鍺外延生長襯底（參考海關商品編號：8112921090）。

5.二氧化鍺（參考海關商品編號：2825600002、3818009009、3825690009）。

6.四氯化鍺（參考海關商品編號：2827399001、3818009010、3825690010）。

二、出口經(jīng)營者應按照相關規(guī)定辦理出口許可手續(xù)，通過省級商務主管部門向商務部提出申請，填寫兩用物項和技術出口申請表并提交下列文件：

（一）出口合同、協(xié)議的原件或者與原件一致的復印件、掃描件；

（二）擬出口物項的技術說明或者檢測報告；

（三）最終用戶和最終用途證明；

（四）進口商和最終用戶情況介紹；

（五）申請人的法定代表人、主要經(jīng)營管理人以及經(jīng)辦人的身份證明。

三、商務部應當自收到出口申請文件之日起進行審查，或者會同有關部門進行審查，并在法定時限內(nèi)作出準予或者不予許可的決定。

對國家安全有重大影響的本公告所列物項的出口，商務部會同有關部門報國務院批準。

四、經(jīng)審查準予許可的，由商務部頒發(fā)兩用物項和技術出口許可證件（以下簡稱出口許可證件）。

五、出口許可證件申領和簽發(fā)程序、特殊情況處理、文件資料保存年限等，依照商務部、海關總署令2005年第29號（《兩用物項和技術進出口許可證管理辦法》）的相關規(guī)定執(zhí)行。

六、出口經(jīng)營者應當向海關出具出口許可證件，依照《中華人民共和國海關法》的規(guī)定辦理海關手續(xù)，并接受海關監(jiān)管。海關憑商務部簽發(fā)的出口許可證件辦理驗放手續(xù)。

七、出口經(jīng)營者未經(jīng)許可出口、超出許可范圍出口或有其他違法情形的，由商務部或者海關等部門依照有關法律法規(guī)的規(guī)定給予行政處罰。構(gòu)成犯罪的，依法追究刑事責任。

八、本公告自2023年8月1日起正式實施。

商務部 海關總署

2023年7月3日

來源：芯智訊-浪客劍