三菱電機將建設新晶圓廠，以推動碳化硅功率半導體業(yè)務

來源：艾邦半導體網(wǎng) 

2023 年 3 月 14 日，三菱電機宣布，將在截至2026年 3 月的五年內(nèi)將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約 2600 億日元，主要用于建設新的晶圓廠，以增加碳化硅 (SiC) 功率半導體的生產(chǎn)。根據(jù)該計劃，三菱電機預計將響應快速增長的電動汽車 SiC 功率半導體需求，并擴大新應用市場，例如低能量損耗、高溫運行或高速開關等。該計劃還將使三菱電機能夠為全球節(jié)能和脫碳的綠色轉(zhuǎn)型趨勢做出貢獻。

圖  新的8英寸SiC晶圓廠渲染圖

新增投資的主要部分，約 1000 億日元將用于建設新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強相關生產(chǎn)設施。新工廠將合并熊本縣酒酒井地區(qū)的自有設施，將生產(chǎn)大直徑 8 英寸 SiC 晶圓，引入具有最先進能源效率和高水平自動化生產(chǎn)效率的無塵室。 此外，該公司還將加強其 6 英寸 SiC 晶圓的生產(chǎn)設施，以滿足該領域不斷增長的需求。

此外，三菱電機將新投資約 100 億日元用于新工廠，該工廠將整合目前分散在福岡地區(qū)的現(xiàn)有業(yè)務，用于功率半導體的組裝和檢查。集設計、開發(fā)、生產(chǎn)技術(shù)驗證于一體，將大大提升公司的開發(fā)能力，便于及時量產(chǎn)以響應市場需求。剩余的 200 億日元全部為新投資，將用于設備改進、環(huán)境安排和相關運營。

多年來，三菱電機在引領家電、工業(yè)設備、軌道車輛等領域SiC功率模塊市場的同時，包括全球首款空調(diào)和高鐵SiC功率模塊，在高功率領域積累了豐富的專業(yè)知識。SiC 功率半導體生產(chǎn)的性能、高可靠性篩選技術(shù)和許多其他方面。

為加快產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)交流，艾邦建有IGBT產(chǎn)業(yè)鏈交流，目前已有英飛凌、芯能半導體、晶越半導體、西安衛(wèi)光、博敏電子等IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)加入，歡迎識別二維碼加入產(chǎn)業(yè)鏈微信群及通訊錄。