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測(cè)試分析之拍照分析:X-ray

發(fā)布人:電子資料庫(kù) 時(shí)間:2023-01-05 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

X-ray

通過(guò)高能量撞擊金屬靶材激發(fā)出的x-ray具有穿透特性,借此特性觀察肉眼及OM無(wú)法觀察之樣品內(nèi)部,樣品內(nèi)部因結(jié)構(gòu)密度的不同,造成黑白灰階的對(duì)比,以此觀察目標(biāo)物。X光射線是利用熾熱燈絲在電場(chǎng)下釋出電子,電子加速后撞擊在陽(yáng)極的靶上,損失的動(dòng)能會(huì)以光子形式放出,形成X-ray 及產(chǎn)生一連續(xù)能量分佈的能譜,是一具有短波長(zhǎng)但高電磁輻射線,部份波長(zhǎng)與γ射線重疊。

應(yīng)用范圍

? 封裝樣品內(nèi)部檢測(cè),打線異常,孔洞,裂痕…等等

? IC連接PCB板錫球空焊現(xiàn)象

? PCB上個(gè)元件觀察,如電感線圈

? 各式樣品正面,側(cè)面,傾斜角度觀察

? 各式樣品量測(cè),如晶片高度,晶片長(zhǎng)寬

案例分享

? Wire&pad burn out

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? 1ST and 2nd bond lift

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? 打線觀察

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? Bump 接合處觀察

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? 手機(jī)內(nèi)部元件觀察

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? 電容裂痕

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? 電感正側(cè)面觀察

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? L/F 橋接

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? 側(cè)面結(jié)構(gòu)高度量測(cè)(左圖) & 正面Die size量測(cè)(右圖)


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