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半導(dǎo)體行業(yè)2023年度策略報告:但行“芯”路,不問“硅”期

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2022-12-14 來源:工程師 發(fā)布文章

(報告出品方/作者:平安證券,付強(qiáng)、徐碧云)


一、 市場回顧:跑輸滬深 300 指數(shù),估值低于歷史平均

1.1 回顧:2022 年行情概述

1.1.1 全球半導(dǎo)體指數(shù)表現(xiàn)低迷,國內(nèi)申萬半導(dǎo)體指數(shù)跑輸滬深 300


2022 年A 股半導(dǎo)體指數(shù)整體呈現(xiàn)下跌趨勢,截至 12月 5日,申萬半導(dǎo)體指數(shù)下跌 33.64%,同期滬深 300指數(shù)下跌 20.11%, 申萬半導(dǎo)體跑輸滬深 300 指數(shù) 13.53pct,其他電子板塊也全部下跌。同期美國費城半導(dǎo)體指數(shù)下跌 30.61%,跑輸納斯達(dá)克 指數(shù) 2.46pct;中國臺灣半導(dǎo)體指數(shù)下跌 25.88%,跑輸中國臺灣 50 指數(shù) 5.65pct??梢?,全球半導(dǎo)體板塊均較為疲弱。


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1.1.2 半導(dǎo)體各子板塊表現(xiàn)均低迷,估值大幅低于近三年均值


截至 12 月 5 日,分立器件、半導(dǎo)體材料、數(shù)字芯片設(shè)計、模擬芯片設(shè)計、集成電路封測、半導(dǎo)體設(shè)備漲幅分別為-24.28%、 -26.51%、-40.44%、-35.13%、-20.88%、-28.60%,表現(xiàn)均較弱。由于估值較低,集成電路封測僅跑輸滬深 300 指數(shù) 0.77 個百分點;半導(dǎo)體設(shè)備板塊跑輸滬深 300 指數(shù) 8.49 個百分點;分立器件跑輸滬深 300 指數(shù) 4.17 個百分點;而芯片設(shè)計由 于與消費類應(yīng)用市場關(guān)聯(lián)較多,因此下跌較多。截至 12 月 5 日,申萬半導(dǎo)體板塊 PE(TTM)為 37.22 倍,低于過去三年 均值的 82.99 倍。


1.2 半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)績回顧及 2023 年投資概述

1.2.1 業(yè)績回顧:營收增速持續(xù)回調(diào),設(shè)備、分立器件及材料等表現(xiàn)較好


半導(dǎo)體設(shè)備板塊營收高增:2018 年下半年,半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期,2018 年行業(yè)凈利潤同比下滑 40.54%,之后自 2020 年下半年開始隨著國內(nèi)疫情控制,下游需求回暖,行業(yè)進(jìn)入上行期。2021 年半導(dǎo)體行業(yè)營收和利潤同比增速呈現(xiàn)雙高,行 業(yè)處于景氣周期。2022Q2 受到下游消費電子需求疲軟等影響,板塊開始進(jìn)入下行周期。2022 前三季度,半導(dǎo)體行業(yè)營收 達(dá)到 2260 億元,同比增速約 10%。從子板塊來看,分立器件(18.17%)、半導(dǎo)體材料(11.19%)、集成電路封測(15.94%)、半導(dǎo)體設(shè)備(58.93%)營收增速 均高于板塊整體增速(10.46%),尤其半導(dǎo)體設(shè)備增速最快,是驅(qū)動板塊營收增長的主要因素。受益于各大晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)以 及國產(chǎn)設(shè)備的逐步導(dǎo)入,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在手訂單飽滿,業(yè)績確定性高。而數(shù)字芯片設(shè)計(3.81%)、模擬芯片設(shè)計(-17%, 含射頻芯片)營收增速均低于板塊整體增速。


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模擬芯片設(shè)計、集成電路封測是板塊盈利下滑的主導(dǎo)因素:2022 年前三季度,半導(dǎo)體行業(yè)歸母凈利潤達(dá)到 253 億元,同比 下滑約 4%。歸母凈利增速為負(fù)數(shù),主要系消費類需求疲軟,相關(guān)產(chǎn)品去庫存價格下跌所致。從子板塊來看,半導(dǎo)體設(shè)備 (116.68%)、分立器件(15.96%)、半導(dǎo)體材料(12.05%)歸母凈利增速高于板塊整體增速(-4.14%),而模擬芯片設(shè)計 (-46.07%)、集成電路封測(-11.95%)是板塊盈利下滑的主導(dǎo)因素。


毛利率和凈利率同向波動:在SW 半導(dǎo)體板塊中,毛利率和凈利率呈現(xiàn)比較明顯的同向波動。2021 年三季度,板塊毛利率 達(dá)到最高點 29.69%,2022 年三季度下降至 27.44%;同時,由于營收增長帶來的規(guī)模效應(yīng),費用率下降,2021 年三季度, 板塊凈利率達(dá)到最高點 14.84%,2022 年三季度下降至 11.21%。


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展望 2023 年業(yè)績,預(yù)計芯片設(shè)計增速回升,半導(dǎo)體設(shè)備增速回落:2022 年消費電子庫存維持高位,需求疲軟,明年我們 預(yù)計隨著庫存和需求的邊際改善,有望帶動設(shè)計板塊營收增速回升;半導(dǎo)體設(shè)備由于今年基數(shù)較高,且隨著晶圓廠產(chǎn)能利用 率下降,資本開支將減少,雖然仍受益于國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn),但預(yù)計增速環(huán)比2022 年將有所回落。


1.2.2 2023 年投資策略:但行“芯”路,不問“硅”期


“硅周期”和宏觀經(jīng)濟(jì)周期等多種因素疊加,行業(yè)在 2023年有望探底:由于宏觀經(jīng)濟(jì)下行、地緣政治沖突、疫情反復(fù)等因 素影響,加上本輪的移動互聯(lián)網(wǎng)和 IT 基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的“硅周期”進(jìn)入尾聲,行業(yè)下行壓力凸顯。從宏觀經(jīng)濟(jì)****以及下游 應(yīng)用發(fā)展來看,我們預(yù)測行業(yè)有希望在 2023 年見到周期底部,年內(nèi)有可能完成去庫存,2024 年有望恢復(fù)增長。下行周期看賽道,關(guān)注新能源汽車、新能源以及研發(fā)設(shè)計類儀器儀表等領(lǐng)域:1)半導(dǎo)體加速“上車”,供需偏緊的格局還在 持續(xù)。一方面,新能源汽車中半導(dǎo)體器件獲得顯著的增量需求,單車半導(dǎo)體價值量已翻倍;另一方面,我們看到新能源汽車滲透率的大幅度提升。整體芯片需求依然旺盛,包括功率器件、碳化硅、MCU 和模擬芯片依然還是需求增長的重點。2)“風(fēng) 光儲”裝機(jī)量快速增長拉動功率半導(dǎo)體需求,而且受益于國內(nèi)整機(jī)廠和零部件廠的集聚,國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體企業(yè)也 獲得比較大的市場機(jī)會;3)設(shè)計研發(fā)類儀器儀表也迎來替代高峰,國家鼓勵政策連續(xù)出臺,國內(nèi)電子測量儀器廠商能力較 快提升,替代空間在逐步打開,建議關(guān)注。


二、供需視角:下游賽道趨于分化,結(jié)構(gòu)性機(jī)會凸顯

2.1 供給端:晶圓代工價格下滑,行業(yè)資本支出收縮


全球芯片平均交付周期已連續(xù)六個月縮短:2022 年以來,芯片制造產(chǎn)能正在持續(xù)釋放,在經(jīng)濟(jì)低迷和消費者支出疲軟的情 況下,市場需求正在下降,其中芯片應(yīng)用大戶——手機(jī)和 PC 需求降幅最大,供需格局發(fā)生了轉(zhuǎn)向。據(jù) Susquehanna Financial Group 的研究顯示,2022 年 10 月全球芯片平均交付周期為 25.5 周,相比 9 月又縮短了 6 天,為 2016 年以來的最大降幅, 所有主要產(chǎn)品領(lǐng)域的交付周期都縮短了,且調(diào)查的公司中有 70%表示能夠更快地供應(yīng)芯片。雖然不少芯片廠商都不得不面 對高庫存的難題,但仍有一些芯片(如車芯)存在短缺的情況。以德州儀器為例,雖然公司 10月的交付時間減少了 25 天, 但一些用于汽車的芯片供應(yīng)仍然短缺。全球硅片出貨面積增速放緩:硅片出貨面積和半導(dǎo)體銷售額高度共振,根據(jù)SEMI 的最新數(shù)據(jù)顯示,今年第三季度全球硅片 出貨面積為 37.41 億平方英寸,環(huán)比增長約 1%,同比增長 2.5%。雖然硅片的出貨面積依然創(chuàng)出季度新高,但同比環(huán)比的 增量皆較之前幾個季度有所下降。

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晶圓代工價格將繼續(xù)下滑:隨著全球半導(dǎo)體進(jìn)入下行周期,需求減退,受到下游廠商去庫存策略的影響,群智咨詢預(yù)計 2022 年 Q4 晶圓廠成熟制程產(chǎn)能利用率進(jìn)一步下滑,代工價格將持續(xù)走低。其中 12 英寸 28/40nm 制程晶圓價格預(yù)計至 2023 年 底前有望維持穩(wěn)定;12 英寸 55-90nm 制程受下游客戶在 CIS、DDIC、MCU 等應(yīng)用的訂單修正,Q2 價格開始松動,中國 臺灣晶圓廠跟隨中國大陸也逐漸跟進(jìn)了降價策略,Q4 平均價格預(yù)計將繼續(xù)下降;受到 DDIC、PMIC 等砍單應(yīng)用的沖擊,8 英寸晶圓廠產(chǎn)能利用率下降明顯,價格策略普遍開始松動,Q4 晶圓代工價格預(yù)計有 3-5%的環(huán)比下滑。全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出將收縮:除了中芯國際逆勢上調(diào)了 2022 年資本開支之外,各大代工廠、存儲廠紛紛下調(diào)了資本開 支計劃。臺積電將 2022 年資本開支預(yù)算從先前 400 億美元的下限下修至 360 億美元;聯(lián)電將今年中報上調(diào)的 36 億美元資 本支出重新調(diào)降至年初計劃的 30 億美元;美光宣布 2023 年財年資本支出削減約 30%,降至 80 億美元左右;SK 海力士預(yù) 計 2023 年的資本支出將比今年減少 50%以上;格芯將全年資本開支從中報下修的 40 億美元再次下修至 30~33 億美元…… 資本支出的收縮可能帶來產(chǎn)能擴(kuò)張的降速,消費電子等過剩領(lǐng)域的壓力在減緩。近期,IC Insights 也將今年全球半導(dǎo)體資本支出的預(yù)測增速下修為 19%,全年資本支出達(dá)到 1817 億美元,仍將達(dá)到歷史最 高水平,但明年存儲的資本支出將至少下降 25%,同時美國新制裁將限制中國半導(dǎo)體生產(chǎn)商采購設(shè)備,預(yù)計將導(dǎo)致中國半 導(dǎo)體行業(yè)的投資預(yù)算在 2023 年削減 30%甚至更多,因此 2023 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出將下降 19%,出現(xiàn) 2009 年金融 危機(jī)之后的最大降幅。


2.2 需求端:全球半導(dǎo)體行業(yè)處于下探周期,但汽車 IC 增速最快


全球半導(dǎo)體行業(yè)處于下探周期,月增速已為負(fù)數(shù):半導(dǎo)體行業(yè)具有典型的周期性特點,會經(jīng)歷需求爆發(fā)(新應(yīng)用刺激居多)、 漲價、擴(kuò)產(chǎn)、產(chǎn)能釋放、需求萎縮、產(chǎn)能過剩和價格下跌的往復(fù)波動。行業(yè)在經(jīng)歷了 2021-2022H1 的較快增長之后,地緣 政治、經(jīng)濟(jì)及下游主要應(yīng)用疲弱以及供應(yīng)鏈等問題疊加的效應(yīng)加速顯現(xiàn),行業(yè)月度增速進(jìn)入快速下行通道。2022 年 9 月的全球半導(dǎo)體銷售額為 470 億美元,環(huán)比下滑 0.5%,同比下滑 3.0%。分地區(qū)來看,2022 年 9 月當(dāng)月,中國 半導(dǎo)體銷售收入約 144.3 億美元,同比降幅(-14.4%)在主要地區(qū)中最大,而歐洲(12.4%)、美洲(11.5%)和日本(5.6%) 的銷售額同比增長。從2022年前9個月累計銷售額來看,中國大陸半導(dǎo)體銷售收入約1455.1億美元,全球市場份額超32%。


“硅周期”和經(jīng)濟(jì)周期疊加:半導(dǎo)體技術(shù)作為經(jīng)濟(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的基石,正在為傳統(tǒng)行業(yè)賦能,此前的單一應(yīng)用,開始走向多 元化,但也會受到宏觀經(jīng)濟(jì)的景氣度的影響。從全球來看,行業(yè)周期性表現(xiàn)的較為明顯,是硅周期和宏觀經(jīng)濟(jì)周期疊加的結(jié) 果。1)“硅周期”:3-5 年,產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用周期,歷次的泡沫都是硅周期的體現(xiàn),比如 2000 年 IT泡沫、2016 年的內(nèi)存泡沫…… 2)宏觀經(jīng)濟(jì)周期:2008 年的金融危機(jī),大幅下調(diào);2019 年以來的疫情影響等;IMF 最新數(shù)據(jù)預(yù)計,2023 年全球宏觀經(jīng)濟(jì) 增速將觸底(2.7%),此后會逐步恢復(fù),2024 年之后回到 3%以上。


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智能手機(jī)、PC 市場低迷,有望先后進(jìn)入出貨量回升通道。智能手機(jī)換機(jī)周期已超過 40 個月,消費者信心不足,出貨量連 續(xù) 5 個季度下降,Q3 絕對量(3.02 億部)已經(jīng)低于 2014 年同期的水平(3.33 億部)。根據(jù)Strategy Analytics 最新報告, 2022 年全球智能手機(jī)出貨量將同比下降 10%,下行軌跡將持續(xù)到 2023 年,但年增長率將改善至-5%。隨著量產(chǎn)的持續(xù), 5G 手機(jī)的價格會更快下降,市場接受度將持續(xù)提升,出貨量延續(xù)快速增長,從而帶動智能手機(jī)整體出貨量的回升。


PC 在 2022Q3 的出貨量為 7425.20 萬臺,同比下降 15%,降幅較上季度有所擴(kuò)大。目前行業(yè)仍處在去庫存階段,下行的狀 態(tài)可能會持續(xù)到 2023 年下半年。由于微軟即將停止更新和服務(wù)支持,2024 年對 Win 7 的更換將加快,處理器平臺性價比 也會因為競爭加劇而更有吸引力,出貨量可能實現(xiàn)正增長,在 2024 年實現(xiàn)反彈。


數(shù)據(jù)中心需求也開始承壓,但仍能保持增長。無論是傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心還是云計算數(shù)據(jù)中心,都是邏輯、存儲芯片需求最為密集 的領(lǐng)域之一,一直以來該領(lǐng)域增長較為快速,但由于經(jīng)濟(jì)增長放緩和能源價格上漲,包括谷歌、亞馬遜、微軟等廠商,對今 年和下一年資本支出的態(tài)度都相對保守。Gartner 預(yù)計后續(xù)數(shù)據(jù)中心資本支出增速同樣在 2023 年探底,后續(xù)隨著市場的改 善,會略有提高,IDC 預(yù)計服務(wù)器及相關(guān)芯片需求增長也會提速。


存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)的先行指標(biāo),價格仍在下跌:DRAM 和 NAND Flash 下游應(yīng)用中手機(jī)、PC 等消費占了絕大多數(shù)份額, 其價格指數(shù)在持續(xù)調(diào)整。存儲對消費電子市場非常依賴,超過 80%的收入來源于PC 和智能手機(jī),其中PC 占比超過 50%。由于市場的低迷,內(nèi)存和閃存客戶端庫存壓力都非常高,價格壓力明顯。DRAM 今年客戶談價空間較大,價格下殺比較明顯。DDR4 8G 和 4G 產(chǎn)品分別從年初(1 月 19 日)的 7.70 美元和 3.75 美元,下跌到 12 月 2 日的 4.29 美元和 2.09 美元,降 幅均超過 44%;NAND 128G、64G 和 32G 也出現(xiàn)了連續(xù) 5 個月下跌(截至10 月)。


整體趨勢:市場萎縮已成共識,2023年可能是底部。WSTS 最新預(yù)計 2022 年全球半導(dǎo)體行業(yè)增速將顯著放緩至 4.4%,2023 年全球半導(dǎo)體市場將下滑 4.1%,主要是受到存儲芯片市場將繼續(xù)出現(xiàn) 17%下滑的拖累;IC Insights 最新預(yù)計 2022 年全球 半導(dǎo)體銷售額增速將降至 3%,然而受到需求疲軟、庫存高企等因素阻礙,2023 年銷售額將減少 5%,但在經(jīng)歷了 2023 年 的周期性下滑后,將出現(xiàn)反彈并在未來三年實現(xiàn)更強(qiáng)勁的增長,到 2026 年的年復(fù)合增長率為 6.5%;Gartner 預(yù)計今年全球 半導(dǎo)體收入增長 4%,遠(yuǎn)低于 2021 年的 26.3%,2023 年全球半導(dǎo)體收入下修增速至-3.6%。Gartner 指出目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 由消費者、企業(yè)驅(qū)動的市場呈現(xiàn)兩極化,其中消費市場受通貨膨脹、加息等因素影響,消費者可支配收入下降,對電子產(chǎn)品 采購產(chǎn)生負(fù)面連鎖效應(yīng)??梢?,市場萎縮已成機(jī)構(gòu)共識,2023 年是行業(yè)底部可能性較大。支出趨弱且稼動率降低可能帶來供需格局改變,各家產(chǎn)品開始向車和新能源調(diào)整。我們預(yù)計,2024 年,行業(yè)有望開始恢復(fù), 關(guān)鍵在于全球半導(dǎo)體庫存周期的改變。主要原因來自兩個方面:1)資本支出的收縮,可能帶來產(chǎn)能擴(kuò)張的降速,消費電子 等過剩領(lǐng)域的壓力在減緩;2)代工廠、存儲廠將考慮減產(chǎn),控制產(chǎn)能利用率,消化客戶端庫存,預(yù)計 2024 年行業(yè)庫存水 平有機(jī)會回歸正常。其中新賽道如汽車、新能源等領(lǐng)域機(jī)會依然存在,設(shè)計、制造也積極向這些領(lǐng)域進(jìn)行調(diào)整,以彌補(bǔ)傳統(tǒng)消費電子的下滑。例 如,代工廠、IDM 廠商也開始發(fā)力汽車賽道:1)臺積電正在加大對汽車電子領(lǐng)域的產(chǎn)能傾斜力度,以彌補(bǔ)其 7nm 消費電子 市場的低迷,其南京工廠、日本熊本的產(chǎn)線也是面向于車規(guī)產(chǎn)品;三星也正在規(guī)劃車規(guī)生產(chǎn)廠;聯(lián)電也獲得英飛凌、恩智浦、 德州儀器、微芯科技等大廠的認(rèn)證。2)中國大陸代工廠如華虹、中芯國際等也在轉(zhuǎn)向車規(guī)等賽道。


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根據(jù)IC Insights 的數(shù)據(jù),汽車芯片在全球IC終端應(yīng)用中的市場份額保持穩(wěn)定增長,2021年約7.4%,在2022年將達(dá)到8.5%, 且預(yù)計在 2026 年上升至將近 10%,成為 2021-2026 年年復(fù)合增速最快(CAGR 約 13.4%)的終端市場。


2.3 應(yīng)用端之汽車:半導(dǎo)體加速“上車”,供需偏緊格局將持續(xù)


目前,汽車芯片已經(jīng)廣泛應(yīng)用在動力系統(tǒng)、車身、座艙、底盤和安全等諸多領(lǐng)域。汽車芯片種類較為龐雜,主要分四類:一 是功能芯片,主要是指 MCU 和存儲器,其中 MCU 負(fù)責(zé)具體控制功能的實現(xiàn),承擔(dān)設(shè)備內(nèi)多種數(shù)據(jù)的處理診斷和運算;二 是主控芯片,在智能座艙、自動駕駛等關(guān)鍵控制器中承擔(dān)核心處理運算任務(wù)的 SoC,內(nèi)部集成了 CPU、GPU、NPU、ISP 等一系列運算單元;三是功率半導(dǎo)體,主要是 IGBT和 MOSFET;四是傳感器芯片,包括導(dǎo)航、CIS 和雷達(dá)等。


新能源汽車滲透率提升,延續(xù)高增長。根據(jù)EV Volumes 的統(tǒng)計數(shù)據(jù),全球新能源汽車的滲透率都在持續(xù)提升,尤其是中國 作為全球最大的汽車市場,受益于汽車電動化的發(fā)展趨勢,以及“碳中和”目標(biāo)、《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2021-2035 年)》等政策的提出,EV Volumes 統(tǒng)計中國的新能源汽車滲透率從 2021 年的 14.2%大幅提升至 22Q3 的 26.7%。


車用半導(dǎo)體單車價值量翻倍。隨著經(jīng)濟(jì)和社會的快速發(fā)展,汽車不再只是單純的代步工具,而是逐漸向著電子化的方向發(fā)展 升級。未來,汽車的電動化、聯(lián)網(wǎng)化、智能化將催生汽車電子化進(jìn)入新的發(fā)展階段。新能源汽車相比于傳統(tǒng)的燃油車新增了 電池、電機(jī)、電控“三電”系統(tǒng),從而帶動相關(guān)半導(dǎo)體器件獲得顯著的增量需求。根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù),2021 年 電動車平均單車半導(dǎo)體價值量已達(dá)到 1000 美元,相比傳統(tǒng)內(nèi)燃車提升了一倍,其中價值量提升最多的是功率半導(dǎo)體,預(yù)計 到 2027 年純電動車的單車半導(dǎo)體價值量將達(dá)到將近 1500 美元。除了功率器件之外,模擬、邏輯、MCU 等集成電路也是重 要增長點。


根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù),2021 年汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模約 467 億美元,同比增長 31.5%。前五大供應(yīng)商均為海外公司, 其中英飛凌排名第一,占據(jù) 12.7%的市場份額,緊隨其后的是恩智浦(11.8%),其次分別是瑞薩、德州儀器和意法半導(dǎo)體, CR5 約 48.5%。

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全面“缺芯”困局有所紓解,但部分芯片依然供應(yīng)緊張。根據(jù) Auto Forecast Solutions 統(tǒng)計,由于芯片短缺,2021年全球 汽車市場累計減產(chǎn)量達(dá) 1020 萬輛。而截至10 月 30 日,今年全球汽車市場因“缺芯”累計減產(chǎn)約390.5 萬輛。AFS 預(yù)測 至 22 年底,全球汽車市場累計減產(chǎn)量將攀升至427.85 萬輛,可能要到 2023 年甚至更久才能從芯片短缺中恢復(fù)過來。


2.3.1 功率器件:主流廠商已量產(chǎn),模塊裝機(jī)量持續(xù)提升


相較于燃油車,電動車中的功率器件對工作電流和電壓有更高要求,是新能源汽車電機(jī)驅(qū)動控制系統(tǒng)、整車熱管理系統(tǒng)、充 電逆變系統(tǒng)等的核心元器件,在新能源汽車領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。尤其是 MOSFET 和 IGBT,是新能源汽車電驅(qū) 動系統(tǒng)的重要組成部分,很大程度上決定了功率密度、系統(tǒng)效率、可靠性和安全性,是汽車電子的核心。根據(jù)集邦咨詢的預(yù)測,受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加,中國 IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長,2025 年中國 IGBT 市場規(guī)模將達(dá)到 522 億人民幣,年復(fù)合增速達(dá)到 19%以上,是細(xì)分市場中發(fā)展最快的半導(dǎo)體功率器件。其中中國新能源汽 車所用 IGBT市場規(guī)模將達(dá)到 210 億元,與充電樁用 IGBT合計 310 億元。


在車載功率半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域,前五大供應(yīng)商主要是英飛凌、意法半導(dǎo)體、德州儀器、安森美、羅姆,英飛凌排名第一,市占 率為 31.7%,CR5 達(dá) 72.7%。雖然國外巨頭起步早且設(shè)備工藝經(jīng)驗豐富,而國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚,但國內(nèi)具備核心競 爭優(yōu)勢的廠商已著手布局附加值更高的高壓 MOSFET、IGBT等中高端產(chǎn)品,目前斯達(dá)半導(dǎo)、時代電氣、比亞迪半導(dǎo)體、士 蘭微等已可實現(xiàn)車規(guī)級中高端產(chǎn)品量產(chǎn)出貨。隨著國內(nèi)企業(yè)品牌知名度不斷提升以及產(chǎn)品的不斷創(chuàng)新升級,國內(nèi)龍頭廠商產(chǎn) 品的市場占有率將得到提高。


根據(jù) NE 時代的統(tǒng)計數(shù)據(jù),2022 年 1-9 月中國乘用車功率模塊裝機(jī)量中(統(tǒng)計口徑參照中國本土乘用車上險數(shù)據(jù)按照電控 數(shù)量統(tǒng)計,未統(tǒng)計出口車和低壓 MOS 車型),英飛凌仍位居第一,累計裝機(jī) 88.6 萬套,市場份額 25.7%,其次分別是比亞 迪半導(dǎo)體(累計裝機(jī) 72.4 萬套,市場份額 21.1%)、斯達(dá)半導(dǎo)(累計裝機(jī) 54.3 萬套,市場份額 15.8%)、中車時代(累計裝 機(jī) 41.1 萬套,市場份額 12%)和ST(累計裝機(jī) 32.0 萬套,市場份額 9.3%)。


2.3.2 碳化硅:“上車”速度超預(yù)期,供需處于兩旺狀態(tài)


SiC 是第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料的代表之一,因其具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高、臨界擊穿電場 高、抗輻射能力強(qiáng)等特性,特別適用于高壓、高頻、高溫、大功率等工作環(huán)境,近年來發(fā)展迅速。與硅基功率器件相比,SiC 功率器件具備高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電阻低等顯著優(yōu)勢,可提高功率密度和效率,同時有效降低能耗,減 小體積,能夠應(yīng)用于新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等各個領(lǐng)域。


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新能源汽車是 SiC 最重要的應(yīng)用領(lǐng)域,也是最大的驅(qū)動市場,主要用于驅(qū)動和控制電機(jī)的逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換、車載充電 器 OBC 和快速充電樁。SiC 作為下一代新能源汽車電機(jī)驅(qū)動控制系統(tǒng)的理想器件,可降低設(shè)備能耗、縮小設(shè)備體積、提升 整車工作效率和性能穩(wěn)定性。SiC MOSFET 與硅基 IGBT相比,其產(chǎn)品尺寸、重量、能耗大幅減小,可以有效提升新能源汽 車電池的電能轉(zhuǎn)化效率,從而提高續(xù)航能力,同時還可以優(yōu)化電機(jī)控制器的結(jié)構(gòu),節(jié)省成本,實現(xiàn)小型化、輕量化。根據(jù) Yole 的報告,電動車中 SiC 價值量的 90%都在逆變器中,電動車用碳化硅的市場規(guī)模將從 2022 年的 10.55 億美元攀升至 2027 年的 49.86 億美元,年復(fù)合增速達(dá) 39%。根據(jù)英飛凌的財報信息,到 2030 年電動車上 SiC 應(yīng)用的市場空間將超過Si。


應(yīng)用端看,目前已有部分以特斯拉為代表的中高端車型已經(jīng)啟用SiC 方案。2018 年,特斯拉率先在高端車型 Model 3 中搭 載了采用 24 個 650V、100A 全SiC MOSFET 模塊的主逆變器,電能轉(zhuǎn)換效率的提升使得續(xù)航里程提升 5~10%,同時車身 比Model S 減輕了20%。隨后博世等多家Tier1制造商以及比亞迪、蔚來、小鵬等車企都宣布在部分產(chǎn)品中采用 SiC MOSFET 方案。2022 年,由于電動車滲透率疊加電動車中碳化硅接納度的雙提升,SiC 在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用速度超出預(yù)期。


目前供應(yīng)量、良率與成本等因素依然是制約 SiC 商業(yè)化進(jìn)程的掣肘。SiC 晶片的制備需要在 2500℃的高溫環(huán)境中生長出大 尺寸、高品質(zhì)、單一晶型的晶體(碳化硅可以形成 200+晶體結(jié)構(gòu),只有一種晶型可用于功率應(yīng)用),生長速率慢,且質(zhì)地堅 硬,切割、研磨、拋光等加工難度也較大,技術(shù)門檻高。目前國際主流 SiC 襯底尺寸為 4 英寸和 6 英寸,晶圓面積較小、 芯片切割效率低,單晶襯底及外延良率也較低,疊加后續(xù)晶圓制造、封裝良率較低,導(dǎo)致 SiC 器件整體價格仍數(shù)倍于硅基器 件。尤其是SiC 襯底制備難度高,成本占元件總成本約 50%,目前國外的Wolfspeed、II-VI 和 SiCrystal(Rohm 旗下)占 據(jù)近 90%出貨量。下游應(yīng)用領(lǐng)域仍需平衡采納 SiC 器件的高成本與 SiC 器件優(yōu)越性能帶來的系統(tǒng)范圍內(nèi)的成本下降,短期 內(nèi)一定程度上限制了 SiC 的滲透率。未來隨著產(chǎn)線良率將逐步提高,同時擴(kuò)產(chǎn)將逐漸形成規(guī)模效應(yīng),SiC 制造成本有望下降, 下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)拓展和深化。鑒于此,國際半導(dǎo)體龍頭企業(yè)紛紛在碳化硅領(lǐng)域加速布局。在供給端,無論是更上游的碳化硅襯底片、外延片領(lǐng)域,還是中游的芯片,國內(nèi)外廠商也都在積極擴(kuò)產(chǎn)。國外的龍頭Wolfspeed、 英飛凌、安森美等紛紛宣布了擴(kuò)產(chǎn)計劃;國內(nèi)來看,天岳先進(jìn)、三安光電均在大舉投資SiC 襯底材料,功率器件廠商斯達(dá)半 導(dǎo)、時代電氣、士蘭微等也在投建 SiC 芯片產(chǎn)線,搶占第三代半導(dǎo)體的制高點。


2.3.3 MCU:高端需求快速增長,正在走向高度集成化


汽車電子對 MCU 的性能要求很高,同時也是 MCU 最大的應(yīng)用領(lǐng)域,2021 年在 MCU 市場中的份額達(dá)到 36.4%。MCU 是 汽車功能芯片的主角,以一輛奧迪豪華型 SUV 為例,根據(jù) IHS 的報告,共使用了 38 顆MCU,其中動力域使用了 2顆,底 盤和安全域使用了 12 顆,ADAS 使用了 6 顆,信息娛樂使用了8 顆,車身和便利使用了 10 顆。

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隨著汽車的“新四化”帶來的技術(shù)變革,智能座艙、高精度地圖、車身電子等應(yīng)用對 MCU 需求量大增,所需的 MCU 數(shù)量 和單價均會提升,扮演的角色也日益重要。大到動力系統(tǒng)、車身控制、電機(jī)驅(qū)動控制系統(tǒng)、儀表盤、車載影音娛樂系統(tǒng)、高 級安全系統(tǒng)、ADAS 系統(tǒng),小到車窗、雨刮、電動座椅、倒車?yán)走_(dá)和車鑰匙等都需要 MCU 進(jìn)行控制,一輛電動汽車上的 MCU 數(shù)量可達(dá)幾十顆甚至上百顆。尤其是油門控制系統(tǒng)、自動泊車、先進(jìn)巡航控制、防撞系統(tǒng)等ADAS 系統(tǒng)對 32 位MCU 芯片需求量將大幅度提升。當(dāng)前,汽車電子電氣架構(gòu)正在經(jīng)歷從分布式架構(gòu)到基于域的集中式架構(gòu)再到域融合(中央集成)的帶狀架構(gòu)的重構(gòu)歷程,未 來幾年,相應(yīng)的高性能 MCU 需要實現(xiàn)高度的集成化,對 MCU 的需求和性能要求也會隨之發(fā)生變化。根據(jù)群智咨詢的統(tǒng)計,2022 年 Q3車用 MCU 市場價格漲幅約 5-10%,主要系下游新能源汽車產(chǎn)銷量增長迅猛,車用MCU 的需求量日益旺盛,短期內(nèi)價格難下。根據(jù) IC Insights 的預(yù)測,車載 MCU 市場規(guī)模將實現(xiàn)穩(wěn)定增長,2023 年可能實現(xiàn)微 增,到 2026 年有希望市場規(guī)模達(dá)到 125 億美元。目前,全球 MCU 供應(yīng)商以國外廠商為主,行業(yè)集中度相對較高,尤其是 在車載 MCU 細(xì)分領(lǐng)域,市場主要由瑞薩、恩智浦、英飛凌、德州儀器、微芯科技占據(jù),瑞薩排名第一,市占率為 28.8%, CR5 高達(dá) 90.5%,國內(nèi)廠商目前競爭力正在形成中。


由于車規(guī)級MCU 認(rèn)證門檻高、認(rèn)證周期長,對可靠性、安全性、一致性、壽命、良率要求很高,我國 MCU 芯片的國產(chǎn)自 給率偏低,且國內(nèi)大部分廠商的 MCU 產(chǎn)品主要集中在消費電子和家電等中低端領(lǐng)域,汽車、工業(yè)等高端領(lǐng)域下游大量需求 長期被國外廠商占據(jù),但目前國內(nèi)也已有不少廠家在布局車規(guī)級 MCU,如芯旺微、杰發(fā)科技、芯馳科技、比亞迪半導(dǎo)體以 及兆易創(chuàng)新等。


2.3.4 模擬 IC:應(yīng)用最廣,助力電子系統(tǒng)“安全+智能”


與傳統(tǒng)通訊市場相比,現(xiàn)代新能源電動汽車電子系統(tǒng)追求“安全+智能”,要求更加高效低功耗、更加集成化、更加智能化、 更加內(nèi)核數(shù)智化。其中安全重要性居首位,要求電子系統(tǒng)與電源做到有效的安全隔離,模擬隔離芯片起到了關(guān)鍵作用。智能 即是電車智能化,指智能駕駛輔助系統(tǒng)ADAS和影音娛樂系統(tǒng),智能駕駛和影音娛樂因脫離了人的主動駕駛,需要極高要求 的毫米波雷達(dá)、監(jiān)控攝像系統(tǒng)、車聯(lián)控制模塊、電源輔助模塊等,離不開高性能的模擬芯片如放大器、傳感器、接口產(chǎn)品、 電源管理產(chǎn)品等。


模擬芯片在新能源電動汽車電子系統(tǒng)領(lǐng)域承擔(dān)著重要作用,覆蓋發(fā)動機(jī)進(jìn)氣歧管、機(jī)油/剎車、空調(diào)壓力、動力總成、汽油 尾氣檢測、車載電池管理等。從市場規(guī)模來看,隨著新能源汽車的快速發(fā)展,模擬芯片的市場規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長態(tài)勢。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)推測,預(yù)計到 2026 年,全球車載模擬芯片預(yù)計將較 2021 年接近翻番,接近 310 億美元,受半導(dǎo)體行業(yè)周 期波動影響較小。


車規(guī)級模擬芯片領(lǐng)域具有較為嚴(yán)格的進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn),如可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q 系列和功能安全標(biāo)準(zhǔn) ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)等,要求更高的 性能保障、更嚴(yán)格的安全保障以及更加可靠的實用性。早期國內(nèi)模擬芯片公司相對聚焦在消費類,在車規(guī)模擬領(lǐng)域起步比較 晚,隨著下游新能源汽車的需求爆發(fā),國內(nèi)傳統(tǒng)模擬企業(yè)紛紛切換到車規(guī)模擬賽道,如納芯微早于 2016 年即開始布局,具 有一定的先發(fā)優(yōu)勢,經(jīng)過近六年的發(fā)展,現(xiàn)已躋身國內(nèi)模擬隔離芯片龍頭,而傳統(tǒng)模擬廠商圣邦股份、思瑞浦、希荻微等企 業(yè)緊隨其后,利用其技術(shù)積累與上下游產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,不斷豐富車規(guī)模擬芯片布局。


2.4 應(yīng)用端之可再生能源:“風(fēng)光儲”裝機(jī)量快速增長拉動功率半導(dǎo)體需求


隨著節(jié)能減排需求的提升,全球已有多個國家提出“零碳”或“碳中和”的發(fā)展目標(biāo),全球的太陽能光伏發(fā)電、風(fēng)電、儲能 等可再生能源行業(yè)發(fā)展迅猛,新增裝機(jī)量快速增長。


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在光伏發(fā)電方面,根據(jù) CPIA 的數(shù)據(jù),2021 年全球光伏新增裝機(jī)量為 170GW,其中中國光伏新增裝機(jī) 54.88GW。CPIA 樂 觀預(yù)測下,2025 年全球光伏新增裝機(jī)量將達(dá)到 330GW;我國 2025 年光伏新增裝機(jī)量將達(dá)到 110GW。在風(fēng)力發(fā)電方面, 根據(jù) GWEC的數(shù)據(jù),2021 年全球風(fēng)電新增裝機(jī)(并網(wǎng)容量)93.6GW,中國裝機(jī)占比 50.91%,預(yù)計未來 5 年 CAGR 約 6.6%, 2025 年全球風(fēng)電新增裝機(jī)量達(dá)到 119.4GW。在儲能方面,根據(jù)BNEF的數(shù)據(jù),2021 年全球儲能新增裝機(jī) 10GW/22GWh, 中國儲能新增裝機(jī) 2.45GW/4.61GWh,而隨著光伏風(fēng)電配儲率的提高,預(yù)計未來幾年儲能行業(yè)將飛速發(fā)展,根據(jù)《儲能產(chǎn) 業(yè)研究白皮書 2021》預(yù)測,樂觀場景下 2025 年電化學(xué)儲能累計投運規(guī)模有望達(dá)到 55.9GW,對應(yīng) 2022-2025 年間,電化 學(xué)儲能新增裝機(jī)量年均增速為 62.7%。功率半導(dǎo)體是發(fā)電、輸電、變配電、用電、儲能等領(lǐng)域的基礎(chǔ)核心部件,以 MOSFET、IGBT為代表的功率半導(dǎo)體和模組是 電力轉(zhuǎn)換和控制的核心元器件,能起到提高轉(zhuǎn)換效率和電流密度的作用。由于需要輸出符合電網(wǎng)要求的交流電,新能源發(fā)電 增加了大量對于整流器、逆變器及變壓器的需求,由于逆變器/變流器是“風(fēng)光儲”系統(tǒng)的核心設(shè)備,二極管、MOSFET、 IGBT等功率半導(dǎo)體因此應(yīng)用廣泛。根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù),在風(fēng)能發(fā)電中,功率半導(dǎo)體的價值量在 2000~3500 歐元/MW;在光伏發(fā)電中,功率半導(dǎo)體的價值量在 2000~5000 歐元/MW;在儲能系統(tǒng)中,功率半導(dǎo)體的價值量在 2500~3500 歐元/MW。假設(shè)風(fēng)能、光伏、儲能應(yīng)用中功率半 導(dǎo)體的價值量分別均取中值 2750、3500、3000 歐元/MW,對應(yīng) 2021 年全球風(fēng)電、光伏、儲能領(lǐng)域功率半導(dǎo)體市場規(guī)模分 別大約是 19.2 億元、44.4 億元和 2.2 億元人民幣(假設(shè)匯率1 歐元=7.4578 人民幣),合計約 66 億元。


國內(nèi)供應(yīng)商在核心器件取得突破?!帮L(fēng)光儲”是國內(nèi)功率廠商進(jìn)入最晚的市場,國產(chǎn)化率最低。以最大的光伏市場為例,光 伏芯片開關(guān)頻率高,能量轉(zhuǎn)換效率要求高。2021 年斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、新潔能、時代電氣、宏微科技抓住了分布式光伏用 IGBT 缺貨的歷史機(jī)遇,切入了光伏市場。根據(jù) Wood Mackenzie 的數(shù)據(jù)統(tǒng)計,2021 年全球光伏逆變器市場前五均為中國公司,分別是國內(nèi)的華為、陽光電源、古瑞瓦特、錦浪、固德威。其中華為保持第一 23%的市場份額,陽光電源緊隨其后, 且從 2020 年的 19%提升到了 21%,同時古瑞瓦特取代了原先的 SMA 躋身前三,前三在全球光伏逆變器市場占有率過半。光伏逆變器的競爭格局較為集中,且由國內(nèi)逆變器龍頭主導(dǎo),有利于國內(nèi)上游半導(dǎo)體器件供應(yīng)商實現(xiàn)核心器件國產(chǎn)替代的里 程碑式突破。


三、國產(chǎn)化視角:電子測量儀器受制于人,國產(chǎn)替代正當(dāng)時


電子測量儀器是 5G、人工智能、新能源、航空航天、國防軍工等行業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)備,推動各產(chǎn)業(yè)不斷進(jìn)行轉(zhuǎn)型升級與技術(shù)創(chuàng) 新,是工業(yè)、半導(dǎo)體等智能制造領(lǐng)域發(fā)展的加速器。電子測量儀器屬于精密儀器領(lǐng)域,高端儀器以及生產(chǎn)儀器所必需的 ADC/DAC/FPGA 等芯片掌握在美國等西方國家手里。近年來,瓦森納協(xié)議、美國芯片法案、是德科技 Keysight 出口管控等 一系列的制裁措施,意圖打壓國內(nèi)電子測量儀器企業(yè)的高端突破。隨著工業(yè)信息化產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,電子測量儀器的國產(chǎn)替 代重要性凸顯,國務(wù)院及各單位鼓勵政策連續(xù)出臺,國內(nèi)電子測量儀器廠商開始嶄露頭角,自主可控勢在必行。


3.1 電子測量儀器是工業(yè)、半導(dǎo)體等智能制造的加速器


半導(dǎo)體集成電路經(jīng)歷從實驗室研發(fā)階段、客戶端產(chǎn)品認(rèn)證階段到大規(guī)模量產(chǎn)階段等,每一個階段都需要經(jīng)過專業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化測 試,而電子測量儀器即是一桿秤,用來衡量產(chǎn)品是否達(dá)到性能指標(biāo)要求,從而進(jìn)入下一個環(huán)節(jié)進(jìn)行驗證。因此,電子測量儀 器的需求將伴隨著半導(dǎo)體集成電路生命周期的每一個階段,是工業(yè)、半導(dǎo)體等高端智能制造的加速器。一般來說,電子測量儀器分為專用測量儀器和通用測量儀器,專用測量儀器屬于偏定制化儀器,針對不同產(chǎn)品不同應(yīng)用,提出不同的測量需求,這類測量儀器具有客戶粘性高、因定制化帶來的技術(shù)門檻高、應(yīng)用范圍較小、需求量不高等特點,如光 纖測試儀器、電磁兼容EMC 測試設(shè)備等。通用測量儀器主要用來測試電信號基本參量,包括示波器、射頻類儀器、波形發(fā) 生器、電源及電子負(fù)載和其他儀器等,其中射頻類儀器包括頻譜(信號)分析儀、微波射頻源、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、微波功率 計等,每個儀器分類針對不同的產(chǎn)品測試要求,具有應(yīng)用范圍廣、市場需求量大等特點。

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電子測量儀器主要實現(xiàn)對電子產(chǎn)品各項性能的測試檢測功能,將貫穿電子產(chǎn)品生命周期,同時也滲透進(jìn)電子產(chǎn)品的各個下游 應(yīng)用領(lǐng)域,如電子暗室測試、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、航空與國防研究所、汽車電子、教育與科學(xué)研究等。


從市場規(guī)模來看,得益于電子測量儀器的廣泛應(yīng)用,2015-2018 年全球及中國的電子測量儀器市場規(guī)模實現(xiàn)穩(wěn)步增長態(tài)勢。2019 年受中美貿(mào)易摩擦影響,全球及中國的電子測量儀器市場規(guī)模出現(xiàn)較大幅度下滑,2020 年開始隨著下游行業(yè)的需求持 續(xù),根據(jù) Frost&Sullivan 推測,預(yù)計到 2025 年全球電子測量儀器市場規(guī)模將達(dá) 1257 億元,2019-2025 年的年復(fù)合增長率 為 5.3%;2025 年中國電子測量儀器市場規(guī)模將達(dá) 467 億元,2019-2025 年的年復(fù)合增長率為6.5%。從下游應(yīng)用來看,根據(jù) Frost&Sullivan 推測,2025 年全球電子測量儀器下游應(yīng)用市場份額中,通信、航空航天與消防、消 費電子、交通、半導(dǎo)體、工業(yè)電子、醫(yī)療、能源等分別占據(jù) 39%/15%/11%/10%/5%/5%/6%/8%。下游應(yīng)用相對廣泛,對電 子測量儀器市場抵抗某單一行業(yè)周期波動起到一定利好作用。


3.2 美國制裁不斷,電子測量儀器自主可控是必經(jīng)之路


全球著名模擬芯片龍頭廠商德州儀器 Texas Instruments 提供常規(guī)的電子測量儀器功能模塊,國內(nèi)電子測量儀器廠商早期發(fā) 展模式一般是通過從德州儀器等國際廠商購置核心功能模塊,然后加上自主研發(fā)的軟硬件及算法等核心技術(shù),可設(shè)計出滿足 不同測試功能的電子測量儀器。


高端 ADC/DAC 芯片、FPGA 芯片是電子測量的核心零部件,供應(yīng)商主要以德州儀器、賽靈思、英特爾等國外企業(yè)為主,國 內(nèi)芯片企業(yè)暫時不具備此類芯片的自主研發(fā)能力。美國為了維護(hù)其國防軍事實力以及高端制造等領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢,不斷對中 國進(jìn)行高端芯片的出口限制、以及高端電子測量儀器出口管制。


事件一:瓦森納協(xié)定,是一項于最初簽訂于 1996 年 5 月 12 日、專門管制傳統(tǒng)武器及軍商兩用貨品的多邊出口控制機(jī)制的 協(xié)定,目前含 42 個成員國家,并不斷補(bǔ)充限制物項清單和增加國家成員名單。其中電子測量儀器所必需的高端ADC、FPGA 等芯片屬于出口管制的范圍之列,中國也屬于受限制的國家之一。高端ADC 芯片禁運范圍主要是精度超過 8 位 1.3Gsps 以 及 16 位以上采樣率超過 65MSPS 的芯片。例如在絕大多數(shù)示波器產(chǎn)品中,使用的ADC 芯片都需要美國政府的同意才能進(jìn) 口,同時要承諾不被轉(zhuǎn)用軍事用途。國內(nèi)電子測量儀器廠商雖然出口數(shù)量較多,但大多都是中低端儀器,受制于高速高精度 ADC/DAC 芯片的出口管控,目前高端儀器較大程度依賴進(jìn)口。

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事件二:2021 年 8 月,美國政府因國際電子測量儀器龍頭廠商是德科技 Keysight 向中國和俄羅斯等 15 個國家出售用來“模 擬電子戰(zhàn)的形式以及建?!钡亩?***場景生成器,對其罰款 660 萬美元,或?qū)⑵仁故堑驴萍紘?yán)格執(zhí)行禁運性清單,阻止其 部分高端儀器對中國的出口。是德科技被禁運儀器主要為多****場景生成器,具有電子戰(zhàn)系統(tǒng)測量、雷達(dá)/通信系統(tǒng)開發(fā)、 脈沖****控制和多****機(jī)場景模擬等應(yīng)用方向,下游應(yīng)用場景主要有電子對抗、航空航天、國防軍工以及雷達(dá)等,其被禁 運主要因為其在軍事作戰(zhàn)上起到的關(guān)鍵作用,意圖打擊中國以及俄羅斯的軍事實力,保護(hù)美國的自身利益。


競爭格局:電子測量儀器屬于精密儀器領(lǐng)域,國外起步早,且與德州儀器等芯片廠商、蘋果微軟等應(yīng)用廠商深度合作,外加上美國對高端 ADC、DAC 芯片以及 FPGA 芯片的禁運,全球電子測量儀器市場前排一直被國際廠商占據(jù)著。根據(jù) Frost&Sullivan 統(tǒng)計,2019 年全球電子測量儀器市場占比前五的公司分別為是德科技 Keysight、羅德與施瓦茨 Rohde & Schwarz、安立 Anritsu、泰克 Tektronix 和力科 LeCroy,累計占據(jù)全球市場份額的 48.7%,其中是德科技以 25.9%的市場 份額領(lǐng)跑全球。從國內(nèi)競爭格局來看,2019 年我國電子測量儀器市場占比前五的公司與全球市場相同,前五大廠商共占據(jù) 43.2%的市場份額。這些前排國際廠商電子測量儀器種類齊全,其中是德科技還具有一系列的配合自身測量儀器的 EDA 軟 件工具,具有非常深厚的技術(shù)積累和良好的市場口碑,穩(wěn)居國際國內(nèi)電子測量儀器市場龍頭地位。


3.3 政策加持+技術(shù)推動,國內(nèi)企業(yè)在細(xì)分賽道正發(fā)力


受下游應(yīng)用的推動以及國產(chǎn)替代的必須性,電子測量儀器自主可控的重要性不言而喻。但因其賽道的特殊性,部分高端 ADC/DAC、FPGA 芯片被禁運的背景下,單靠行業(yè)自身驅(qū)動力還不夠,因此國務(wù)院及各單位紛紛出臺支持電子測量儀器行 業(yè)發(fā)展的激勵政策,包括貸款額度的發(fā)放及貼息、高校研究所儀器設(shè)備更新升級、鼓勵優(yōu)先使用國產(chǎn)儀器、設(shè)立專項項目、 攻克高端芯片難題等等。


在下游行業(yè)需求推動、國務(wù)院及各單位的支持政策激勵下,國內(nèi)誕生出一批優(yōu)秀的電子測量儀器企業(yè),主要有普源精電、鼎 陽科技、坤恒順維以及未上市的電科思儀等。每家公司發(fā)展模式及產(chǎn)品側(cè)重方向略有不同,均在各自賽道上不斷發(fā)力。


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