美國將EDA、氧化鎵和金剛石納入出口管制
來源:路透社
美國商務(wù)部表示,此舉涵蓋的“新興和基礎(chǔ)技術(shù)”包括氧化鎵和金剛石,因為“利用這些材料的設(shè)備顯著增加了軍事潛力”。
商務(wù)部工業(yè)和安全部副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez) 表示:“允許半導體和發(fā)動機等技術(shù)更快、更高效、更長時間和更惡劣條件下運行的技術(shù)進步可能會改變商業(yè)和軍事領(lǐng)域的游戲規(guī)則。” “當我們認識到風險和收益,并與我們的國際合作伙伴一起行動時,我們可以確保實現(xiàn)我們共同的安全目標。”
這四項技術(shù)是 42 個參與國在 2021 年 12 月會議上達成共識控制的項目之一。美國的出口管制涵蓋了比國際協(xié)議更廣泛的技術(shù),包括用于生產(chǎn)半導體的額外設(shè)備、軟件和技術(shù)。
氧化鎵和金剛石使半導體“能夠在更惡劣的條件下工作,例如在更高的電壓或更高的溫度下。使用這些材料的設(shè)備顯著增加了軍事潛力,”Commerce 說。
該部門表示,這些控制包括 ECAD,這是一種用于驗證集成電路或印刷電路板的軟件工具,“可以推進許多商業(yè)和軍事應用,包括國防和通信衛(wèi)星”。
據(jù)美國商務(wù)部介紹,使用氧化鎵和金剛石這兩種超寬帶隙半導體制成的芯片可以在更惡劣的條件下工作,例如在更高的電壓或溫度下,使用它們的設(shè)備“顯著增加了軍事潛力”
至于稱為 ECAD 的電子計算機輔助設(shè)計軟件則用于開發(fā)具有全柵場效應晶體管或 GAAFET 結(jié)構(gòu)的集成電路。軍事和航空航天國防工業(yè)使用 ECAD 軟件來設(shè)計復雜的集成電路。GAAFET 是設(shè)計能夠?qū)崿F(xiàn)“更快、更節(jié)能、更耐輻射的集成電路”的技術(shù)的關(guān)鍵,這些集成電路具有軍事用途,包括國防衛(wèi)星
此外,可用于火箭和高超音速系統(tǒng)的增壓燃燒(PGC)技術(shù)也納入了管制。
氧化鎵的關(guān)鍵優(yōu)勢與突破

材料科學與工程助理研究教授哈里·奈爾(Hari Nair)的Duffield Hall實驗室于6月30日開始運行Agnitron Agilis 100金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)。它已經(jīng)被專門校準,以創(chuàng)建氧化鎵薄膜,一種因其處理高電壓、功率密度和頻率的能力而備受珍視的半導體材料。這些特性使其成為電動汽車、可再生能源和5G通信等應用的理想材料。
Nair說:“氧化鎵的另一個關(guān)鍵優(yōu)勢是能夠從熔融形態(tài)生長出這種材料的單晶,這將是擴大基底尺寸的關(guān)鍵。”這種放大能力對于工業(yè)上采用新半導體材料制造的電子設(shè)備非常重要?!?/span>
鎵氧化物MOCVD系統(tǒng)通過在加熱的單晶半導體襯底上噴涂金屬-有機鎵前驅(qū)體來工作。加熱會導致前驅(qū)體分解,釋放出鎵原子,然后鎵原子與硅片表面的氧原子結(jié)合,形成高質(zhì)量的氧化鎵晶體層。
MOCVD是生產(chǎn)化合物半導體外延薄膜的行業(yè)標準,如iii族砷化物、iii族磷化物和iii族氮化物,它們在光學和移動通信以及固態(tài)照明等應用中發(fā)揮著重要作用。近五年來,MOCVD法生長的氧化鎵質(zhì)量穩(wěn)步提高。
Nair說:“有了這個系統(tǒng),我們可以在直徑達2英寸的基底上,在廣泛可調(diào)的氧化化學勢下生長薄膜。”“它還具有非常高的基板溫度能力,我們可以將基板加熱到1500攝氏度。襯底溫度越高,薄膜質(zhì)量越好,這是提高電子器件性能的關(guān)鍵。”
Nair計劃與AFRL-Cornell中心的外延解決方案和校園其他地方的研究人員合作,優(yōu)化氧化鎵的MOCVD,這將使材料更具有經(jīng)濟吸引力,以尋求高精度,大批量生產(chǎn)的制造商。
Nair說:“有必要使電力電子產(chǎn)品更緊湊、更高效。”“其中一個夢想是把一個小房子大小的變電站縮小到手提箱大小。這種創(chuàng)新將是創(chuàng)建智能電網(wǎng)的關(guān)鍵,而基于氧化鎵半導體的電力電子產(chǎn)品是實現(xiàn)這一目標的一個跳板?!?/span>
“氧化鎵提供的寬禁帶非常好,但如果不能在大面積基片上生長,那么從實用的角度來看,它將是一個難題,”Nair說。“氧化鎵有很大的發(fā)展前景,但我們還沒到那一步。”
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