臺(tái)積電和FinFET時(shí)代

以下文章來源于EETOP ，作者Daniel Nenni

英特爾開創(chuàng)了FinFET時(shí)代，但此后不久就被代工廠奪走了FinFET的主導(dǎo)權(quán)。2009年，英特爾在英特爾開發(fā)者大會(huì)上推出了22納米FinFET晶圓，并宣布芯片將在2011年下半年上市。果然，第一款FinFET芯片（代號(hào)為Ivey Bridge）于2011年5月正式發(fā)布。英特爾22納米工藝確絕對是一種真正的變革性工藝技術(shù)。

英特爾在22nm之后，英特爾推出了14nm，不過這已經(jīng)推遲了較長時(shí)間，而且其產(chǎn)量受到挑戰(zhàn)（雙重成像技術(shù)FinFET），這使得代工廠能夠迎頭趕上（TSMC 16nm 和三星 14nm）。三星在 14nm 上做得非常好，贏得了相當(dāng)多的業(yè)務(wù)，包括蘋果iPhone 的一部分。

臺(tái)積電對 FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的雙重成像技術(shù)之后，臺(tái)積電在16nm制程上采用了FinFET，密度小于Intel 14nm。三星 14nm 與臺(tái)積電 16nm 的密度相似，但三星卻假裝自己能與英特爾競爭。這就是為什么流程節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在是營銷術(shù)語，我認(rèn)為。

這一切都始于我所說的蘋果半步過程開發(fā)方法。臺(tái)積電每年都會(huì)為蘋果公司推出新的工藝版本。在此之前，過程就像美酒，只有在符合摩爾定律的前提下才會(huì)被打開。TSMC繼續(xù)在HVM (7nm)工藝中添加部分EUV層，然后以非?？煽氐姆绞綄⒏嗟腅UV層添加到5nm和3nm，從而實(shí)現(xiàn)卓越的良率學(xué)習(xí)和打破記錄的工藝斜坡。

Intel 14nm也是“Intelvs TSMC”營銷戰(zhàn)開始的時(shí)候。英特爾堅(jiān)持認(rèn)為臺(tái)積電 20nm 是失敗的，因?yàn)樗话?FinFET，代工廠不能跟隨英特爾，因?yàn)樗麄兪?IDM，而臺(tái)積電只是一家沒有內(nèi)部設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的代工廠。

正如我們現(xiàn)在所知，英特爾在很多方面都錯(cuò)了。首先，代工業(yè)務(wù)是一項(xiàng)服務(wù)業(yè)務(wù)，有一個(gè)龐大的合作生態(tài)系統(tǒng)，這使IDM代工廠處于明顯的劣勢?？纯从⑻貭朓DM 2.0戰(zhàn)略的結(jié)果將是有趣的，但大多數(shù)人猜測它將比以前的嘗試更加失敗

現(xiàn)在讓我們快速看一看臺(tái)積電FinFET流程收入從2019年第一季度開始以及隨后幾年的第一季度對比:

2019 年第一季度，F(xiàn)inFET 占臺(tái)積電收入的 42%。在 2020 年第一季度，這一比例為 54.5%，在 2021 年第一季度，這一比例高達(dá) 63%，您可以預(yù)期這種激進(jìn)的增長趨勢將繼續(xù)下去，原因有以下三個(gè)：

(1) 臺(tái)積電保護(hù)他們的 FinFET 工藝，因此沒有二次采購。

(2) FinFET 意味著以更低的功率獲得更高的性能，鑒于世界面臨的環(huán)境挑戰(zhàn)，更低的功率至關(guān)重要。

(3) 臺(tái)積電正在建設(shè)大量的 FinFET 產(chǎn)能（3 年 CAPEX 為 1000億美元），并且目前半導(dǎo)體短缺非常嚴(yán)重。

底線：臺(tái)積電正在努力推動(dòng)其 500 多個(gè)客戶進(jìn)入 FinFET 時(shí)代，這將再次改變代工格局。

原文：

https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/299878-tsmc-and-the-finfet-era/