- 研調機構顧能(Gartner)初估,2014年全球半導體產值達3398億美元,年增7.9%。
顧能表示,動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)供應商去年營運表現超過整體半導體產業(yè)水準。
顧能指出,受惠市場供不應求及價格持續(xù)穩(wěn)定,去年DRAM市場產值大增31.7%;記憶體市場去年產值成長16.9%,是帶動去年半導體產業(yè)成長的最大動力。
去年不計記憶體的半導體產值年增5.4%,遠比2013年成長0.8%佳。
據顧能統(tǒng)計,英特爾(Intel)去年營收達508.4億美元,蟬聯全球半導體龍頭地位
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DRAM 英特爾 高通
- 韓系半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴大尖端DRAM和NAND Flash產線,2014年受到半導體市場榮景帶動對產線投資而荷包滿滿的設備業(yè)者,預期2015年也將迎來亮眼的業(yè)績。
據ET News報導,三星和SK海力士2015年可望為擴充DRAM、NAND Flash、系統(tǒng)芯片產線而執(zhí)行投資。因轉換微細制程,導致生產量減少,且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。
三星17產線將于201
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三星 SK海力士 DRAM
- 三星電子和世界頂級的內存芯片制造商SK海力士計劃在2015年投資19萬億韓元用于研發(fā)芯片,此次投資計劃高于去年17.7萬億韓元的芯片投資資金。據美國一位對沖基金負責人表示,三星電子和SK海力士希望通過此次19萬億韓元的投資,改善產品結構,適應市場狀況,調整市場的供求平衡。
據悉,一些對沖基金和市場投資機構都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來發(fā)展。按照投資計劃,三星電子計劃投資3.5萬億韓元,SK海力士計劃投資5.5萬億韓元。三星一位官員表示,三星的銷量增長將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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三星 SK海力士 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場70%以上獲利,加速研發(fā)新技術與擴大產量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯手,但技術力差距牽制不易。同時,因智能型手機事業(yè)陷低潮的三星,能否借存儲器事業(yè)翻身成為焦點。
據韓媒E-Daily報導,三星為搶占2015年存儲器半導體市場營業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計DRAM與NAND Flash的整體存儲器半導體營收規(guī)模預估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。
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三星電子 存儲器 DRAM
- 記憶體市況今年將不同調;動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。
DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。
臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元,將創(chuàng)歷史新高紀錄。
NAND Flash市場競爭、變化相對激烈,且難以預料;去年下半
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DRAM 三星 海力士 NAND Flash
- 隨三星宣布20奈米制程正式產出LPDDR 4 DRAM,SK海力士及華亞科(3474)也預定第2季導入20奈米量產,讓今年DRAM產業(yè)主流技術,將正式推進至20奈米世代。
不過,20奈米需要投入龐大的資本支出,各DRAM考量必須在獲利的基礎上進行擴充,也讓今年各家20奈米制程推進趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產業(yè)趨勢報告,預告今年DRAM產業(yè)持續(xù)維持寡占格局,支持DRAM持穩(wěn)不墜,今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。
集邦預估,今年DARM產值達541億元,年增16%。
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三星 DRAM SK海力士
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉換制程,2015年第4季整體DRAM產量中,將有5成以上采20納米技術生產。三星預計以差別化制程技術,在伺服器和高階移動裝置用次世代DRAM市場上拉開與其他競爭對手的差距,維持市場獨大地位。
據韓國首爾經濟報導,三星計劃在2015年底將DRAM產量中至少40%、最多50%以20納米制程生產。
外電引用市調機構DRAMeXchange近期資料指出,三星20納米DRAM生產比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示,目前20納米
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三星 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉換制程,2015年第4季整體DRAM產量中,將有5成以上采20納米技術生產。三星預計以差別化制程技術,在伺服器和高階移動裝置用次世代DRAM市場上拉開與其他競爭對手的差距,維持市場獨大地位。
據韓國首爾經濟報導,三星計劃在2015年底將DRAM產量中至少40%、最多50%以20納米制程生產。
外電引用市調機構DRAMeXchange近期資料指出,三星20納米DRAM生產比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示,目前20納米
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三星 DRAM 20納米
- 服務器DRAM肩負起2015年存儲器市場重任,預計占整體DRAM產出比重可望上看40%,同時DDR4逐漸成為服務器市場主流,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)各自有擴產和轉新制程計劃,服務器DRAM扮演重要角色。
存儲器業(yè)者表示,這幾年DRAM應用已快速多元化,有別于過去多數都應用在個人電腦(PC)上,因高、中、低階智能型手機熱賣,Mobile RAM漸漸嶄露頭角,比重也陸續(xù)超過PC DRAM,2014年開始服務器DRAM比重
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- 蘋果(Apple)預計2015年推出的新一代iPhone和iPad,傳出搭載的DRAM容量將較目前產品倍增,占蘋果DRAM供應量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴大供貨量。
據南韓經濟日報報導,在Mobile DRAM市場上,三星和SK海力士的市占率約達75%。近來使用智能型手機的人口增加,穿戴式裝置市場也逐漸擴大,讓DRAM需求扶搖直上。
據南韓證券業(yè)者推估,三星和SK海力士2014年DRAM事業(yè)獲利各約6兆韓元(約5
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蘋果 DRAM SK海力士
- DRAM廠華亞科與兩大股東臺塑集團、美國美光(Micron)等三方之間,已經對明年合約內容達成共識,明年華亞科出貨給美光的DRAM計價公式,與今年相同維持不變。
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美光DRAM產能配置
華亞科明年將投資逾500億元加速轉進20奈米,隨著20奈米產出比重逐月持續(xù)拉升,單位制造成本將持續(xù)下降,只要DRAM價格維持高檔,獲利可望大躍進,全年每股凈利挑戰(zhàn)8元以上。
華亞科去年與美光重新簽訂6年期合約,華亞科產出全數交給美光,今年初合約內容進行部分調整,給予美光的折扣
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- 記憶體品牌威剛科技將于2015年1月6日至9日參與全球消費性電子產品盛事─“國際消費性電子展”(CES)?,F場將展示全產品存儲解決方案,包含高效能DDR4記憶體模組、全系列固態(tài)硬碟(SSD)、USB 3.1外接式存儲裝置、Type C OTG隨身碟、與全方位行動周邊產品。展現最先進的存儲科技。
威剛將實機展示世界最快、時脈達3465 MHz玩家級16GB (4GBx4)XPG Z1 DDR4記憶體模組,搭配全新閃耀金光散熱片,展現極速效能。此外,領先展出時脈3200 MH
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威剛 DRAM iPhone 7
- DRAM產業(yè)屢傳佳績,主要供應商三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等業(yè)績大幅改善,三星電子內存事業(yè)部晉升人數創(chuàng)3年新高,員工也可望在2015年初,通過超額利潤分配金分享公司獲利。
據D-Daily報導,三星電子最近執(zhí)行定期高層人事調動,2015年度內存事業(yè)部晉升規(guī)模達22人,相較2013年14人晉升,2014年升職人數創(chuàng)近年新高。因今年業(yè)績低迷,三星集團(Samsung Group)主要關系企業(yè)的人員升遷規(guī)模,相較于往年大幅萎縮,只有內存事業(yè)部晉升
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DRAM 爾必達 美光
- 觸控面板廠債臺高筑,截至今年第3季底為止,TPK宸鴻、勝華、接口及洋華等四家業(yè)者,負債合計約1,637億元新臺幣。其中,TPK、勝華、接口的負債比率都高于60%,僅洋華負債比率較低,為17.1%。
勝華不堪財務壓力,大舉裁員,面臨營運存活之際,市場再度關注觸控面板廠財務狀況。TPK截至今年第3季底,負債總額突破千億元新臺幣、達1,005.92億元新臺幣,比第2季的963億元新臺幣增加4.5%,負債金額居本土四大觸控面板廠之冠。
法人指出,若產業(yè)趨勢向上,業(yè)者透過舉債擴張、放大財務杠桿,有助
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觸控面板 LED DRAM
- 對于整體DRAM產業(yè)的看法,記憶體廠力晶執(zhí)行長黃崇仁認為,由于過去5年并沒有新產能加入,而需求端則已從個人電腦拓展至伺服器、行動裝置、消費性電子,以及物聯網等應用;在供給有限、需求則不斷成長下,從短期來看,預估明年供不應求的缺口仍在,若伺服器及物聯網需求快速成長,則明年將是大缺貨的一年;若以長期來看,則預估將長期呈現供不應求。
黃崇仁指出,DRAM產業(yè)目前僅剩三星、海力士與美光等三大陣營,預計未來不會像之前一樣盲目擴產,因此整體供給將受到節(jié)制。他并點出,物聯網所用的DRAM,即一般所稱「i-RA
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