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美光半導(dǎo)體移動DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽 “卓越獎”

  • 　　美光半導(dǎo)體技術(shù)有限公司移動 DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲JEDEC(即“固態(tài)技術(shù)協(xié)會”)最高榮譽“卓越獎”。 該殊榮是對其擔(dān)任LPDDR3 和 LPDDR4 任務(wù)組主席期間所展現(xiàn)出的杰出領(lǐng)導(dǎo)力的高度認(rèn)可。 　　“卓越獎”是由JEDEC頒發(fā)最具聲望的獎項，該獎項旨在對長期服務(wù)于 JEDEC 和標(biāo)準(zhǔn)委員會的個人予以表彰。Daniel Skinner 先生是第十位獲此殊榮的人士。 　　JEDEC 總裁John
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  LPDDR3  

大廠偏重生產(chǎn)移動存儲器 DRAM供貨吃緊

  • 　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形下，2014下半年已有供貨吃緊的跡象。 　　以需求端來觀察，由于PCOEM庫存水位普遍不高，采購策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場已經(jīng)醞釀第三季合約價格上漲的氛圍;從現(xiàn)貨價格來觀察，目前4GB報價約在36美元間，5月合約均價在30.5美元，
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

Ziptronix和EVG集團(tuán)展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度

  • 　　Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準(zhǔn)機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?！　iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
  • 關(guān)鍵字： EVG  DRAM  3D  

趨勢大師：DRAM高成長 帶旺半導(dǎo)體業(yè)

  • 　　2013年全球半導(dǎo)體市場統(tǒng)計結(jié)果出爐，與我們先前預(yù)估吻合，2013年全球半導(dǎo)體市場較2012年成長4.9%，扭轉(zhuǎn)2012年衰退2.4%頹勢。半導(dǎo)體市場成長，是由DRAM及NANDFlash帶動，DRAM及NAND年成長率分別高達(dá)32.5%及24.2%。 　　統(tǒng)計2013年全球半導(dǎo)體市場營業(yè)額達(dá)3181億美元，較2012年的3031億美元成長4.9%。 　　2013年全球前25大半導(dǎo)體公司合計營業(yè)額2253億美元，占整體半導(dǎo)體營業(yè)額71%，較2012年的69%上升2個百分點。2013年全球最
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2014non-PC DRAM預(yù)估年成長46%

  • DRAM最大的增長動力應(yīng)該是來自云計算的硬件需求，其次是移動設(shè)備向64位的前進(jìn)。
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韓系存儲器廠生產(chǎn)不順 供應(yīng)鏈庫存偏低

  • DRAM供給吃緊，有廠家已準(zhǔn)備上調(diào)價格，而手機存儲器MobileRAM供給則更為吃緊，主要是智能手機大廠均已開始進(jìn)入新品備貨旺季。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

傳美光科技5月份將提高DRAM芯片價格

  • 去年海力士和鎂光科技因為存儲芯片的價格上漲而在半導(dǎo)體top10排名中表現(xiàn)不俗，據(jù)傳，鎂光要在5月份再次上調(diào)DRAM的價格，看來存儲設(shè)備廠商也要一改前幾年白菜價的發(fā)展趨勢，畢竟供求關(guān)系的變化，還是給了存儲器廠商一些市場機會。
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  DRAM  

半導(dǎo)體業(yè)訂單強勁 3月年增10.1％居首

  • 　　經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計處表示，電子產(chǎn)品因手持行動裝置需求續(xù)增及規(guī)格之提升，帶動晶圓高階制程、晶片、DRAM等半導(dǎo)體業(yè)訂單強勁增加，3月年增率10.1%，增幅居各主要貨品別之首;資訊及通信產(chǎn)品亦因手持行動裝置組裝代工持穩(wěn)、電腦代工廠調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及電腦需求回溫，致年增8.6%，為支撐訂單持續(xù)成長之前二大貨品。精密儀器因電視及電腦面板需求漸增，致減幅已顯縮小。而傳統(tǒng)接單貨品因全球景氣逐漸回升及業(yè)者積極拓銷，年增率均呈正成長。 　　展望未來，受惠于手持行動裝置需求持續(xù)增加，及規(guī)格不斷升級，可望帶動電子產(chǎn)品接單持續(xù)成
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傳打入谷歌供應(yīng)鏈 聯(lián)發(fā)科品牌加分

  • 市場是非理性的，任何突發(fā)事件都有可能引起市場信心的波動，造成價格的波動。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

Gartner：2013年全球半導(dǎo)體公司排行榜

  • 　　國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)今日發(fā)布統(tǒng)計報告，去年全球半導(dǎo)體營收總計3,150億美元，年增5%;英特爾雖連二年營收下滑，仍連續(xù)22年居半導(dǎo)體龍頭寶座。 　　根據(jù)顧能調(diào)查，全球前25大半導(dǎo)體廠商合計營收增幅達(dá)6.9%，遠(yuǎn)優(yōu)于市場其余廠商的績效，其余廠商營收成長率僅0.9%。部分原因可歸于領(lǐng)先廠商中，有許多記憶體廠，這些記憶體廠營收年增幅高達(dá)23.5%，表現(xiàn)出色。 　　顧能研究副總裁諾伍德(AndrewNorwood)表示，去年在歷經(jīng)年初半導(dǎo)體庫存過剩而不振后，第2及第3季營收持續(xù)
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  • 　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)。　　電子管的發(fā)明拉開了電子時代的序幕，為當(dāng)時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機、電視機、雷達(dá)、計算機的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  PC  201404  

DRAM價格緩步下滑 存儲器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)

  • 　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange指出，自農(nóng)歷年過后，受到傳統(tǒng)PC出貨淡季、中國白牌平板出貨量滑落，加上供給缺口回補，使得現(xiàn)貨市場不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清淡走勢，導(dǎo)致現(xiàn)貨主流顆粒DDR34Gb512Mx8eTT價格在農(nóng)歷年過后下滑幅度達(dá)13%。 　　TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，由于時處傳統(tǒng)PC出貨淡季，加上2014年英特爾(Intel)新晶片組Boardwell將遞延至第四季發(fā)表，以及Microsoft8.1確定無法拉抬
  • 關(guān)鍵字： DRAM  存儲器  

去年三星半導(dǎo)體市場占有率居全球第2位

  • 　　市場調(diào)查機構(gòu)IHSISUPPLI23日發(fā)表的報告顯示，去年韓國三星電子半導(dǎo)體銷售額達(dá)338.22億美元，同比(下同)增長8.2%;市場占有率為10.6%，上升0.3個百分點，繼續(xù)保持全球第2位。而世界排名第1的美國英特爾公司去年半導(dǎo)體銷售額為469.81億美元，減少0.9%;市場占有率14.8%，下降0.8個百分點。報告還顯示，受個人電腦D-RAM價格上漲的拉動，去年韓國SK海力士公司半導(dǎo)體銷售額為128.09億美元，劇增42.8%;市場占有率由3%增至4.0%，排名由第7位升至第5位。美國高通公司(
  • 關(guān)鍵字： 三星半導(dǎo)體  DRAM  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  • 　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
  • 關(guān)鍵字： SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

新一輪集成電路 扶持政策下發(fā)征求意見

  • 新一輪的集成電路扶持政策牽動了行業(yè)的神經(jīng)，到底扶持的重點在那些方面，現(xiàn)在還處于議論階段。我覺得要想扶持政策起到效果，還得往上游走，而且是細(xì)水長流型的，不要一股腦塞一次錢，以后的發(fā)展，純靠運氣，因為這樣的例子太多了。
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  DRAM  
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