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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

  • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機器學習等領域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
  • 關鍵字： SK海力士  DDR5  DRAM  

"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？

  • 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關產(chǎn)品、電子信息的技術開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質(zhì)檢技術服務（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構(gòu)、民用核安全設備無損檢驗、
  • 關鍵字： 格芯成都  DRAM  

HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

  • 前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系
  • 關鍵字： ADAS  ML  DRAM  內(nèi)存  

三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)

  • 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達12.89萬平方米（
  • 關鍵字： EUV10  納米級  LPDDR5  DRAM  

三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

  • 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5  DRAM  

第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應用解決方案

  • 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學習與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現(xiàn)此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產(chǎn)商與車輛制造
  • 關鍵字： ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

  • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
  • 關鍵字： SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  

國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作

  • 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應DDR4
  • 關鍵字： 國產(chǎn)  DRAM  內(nèi)存  合肥長鑫  

南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)

  • 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
  • 關鍵字： 存儲器  10nm  南亞科  DRAM  

三星一季度全球DRAM市場份額超過40% 但銷售額有下滑

  • 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

  • 從20nm技術節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
  • 關鍵字： DRAM   GIDL  

三星首次將EUV技術應用于DRAM生產(chǎn)

  • 據(jù)ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術應用于DRAM的生產(chǎn)中。
  • 關鍵字： 三星  EUV  DRAM  

三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

  • 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務器等應用領域開啟新大門。得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預計會使12
  • 關鍵字： 三星  DRAM  EUV  
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