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我國(guó)RFID產(chǎn)業(yè)發(fā)展與政策支持現(xiàn)狀

　　我國(guó)RFID產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀　　相較于歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家或地區(qū)，我國(guó)在RFID產(chǎn)業(yè)上的發(fā)展還較為落后。目前，我國(guó)RFID企業(yè)總數(shù)雖然超過(guò)100家，但是缺乏關(guān)鍵核心技術(shù)，特別是在超高頻RFID方面。從包括芯片、天線、標(biāo)簽和讀寫器等硬件產(chǎn)品來(lái)看，低高頻RFID技術(shù)門檻較低，國(guó)內(nèi)發(fā)展較早，技術(shù)較為成熟，產(chǎn)品應(yīng)用廣泛，目前處于完全競(jìng)爭(zhēng)狀況;超高頻RFID技術(shù)門檻較高，國(guó)內(nèi)發(fā)展較晚，技術(shù)相對(duì)欠缺，從事超高頻RFID產(chǎn)品生產(chǎn)的企業(yè)很少，更缺少具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新型企業(yè)。　　僅以RFID芯片為例，RFID芯片在R
關(guān)鍵字： RFID 芯片天線標(biāo)簽讀寫器

無(wú)線技術(shù)的“整合”策略

　　在過(guò)去的一年甚或幾年中，手機(jī)市場(chǎng)不斷向智能化發(fā)展邁進(jìn)。當(dāng)手機(jī)逐漸成為一個(gè)必帶品的時(shí)候，就會(huì)有越來(lái)越多的無(wú)線技術(shù)整合到手機(jī)里。無(wú)論軟件還是硬件，“整合”都是連接器一個(gè)最重要的趨勢(shì)。當(dāng)然，其中包括軟件、硬件和API的整合。隨著越來(lái)越多的無(wú)線技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)平臺(tái)，未來(lái)的軟件也會(huì)不斷地提高整合度。在硬件方面，Wi-Fi和GPS在智能手機(jī)的應(yīng)用會(huì)更加廣闊，逐漸成為手機(jī)的標(biāo)配。此外，NFC也會(huì)在未來(lái)兩三年內(nèi)得到越來(lái)越高的普及。相比于RFID，NFC是針對(duì)不同應(yīng)用的RFID整合的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，它
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放寬政策：臺(tái)積電獲準(zhǔn)持有中芯國(guó)際8%股權(quán)

　　據(jù)臺(tái)積電官員上周六透露，臺(tái)積電公司將很快開始接收大陸中芯國(guó)際公司8%股權(quán)的操作。臺(tái)積電公司上周五就此事知會(huì)了臺(tái)當(dāng)局投資審議委員會(huì)以及經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局等當(dāng)局部門，該官員并稱有關(guān)的計(jì)劃將很快被當(dāng)局審批通過(guò)。　　在去年發(fā)生的專利權(quán)糾紛官司中，中芯國(guó)際去年11月份曾答應(yīng)支付給臺(tái)積電公司2億美元現(xiàn)金，并將把相當(dāng)于公司8%股份的股權(quán)轉(zhuǎn)讓給臺(tái)積電公司，以平息兩家的專利糾紛。另外，據(jù)協(xié)議規(guī)定，臺(tái)積電還可以在三年內(nèi)以1.3港幣每股的價(jià)格再購(gòu)買中芯國(guó)際2%的股份，這樣前者在中芯國(guó)際所占股比將累計(jì)達(dá)到10%。　　不過(guò)
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PCI總線目標(biāo)接口芯片PCI9052及其應(yīng)用

PCI總線目標(biāo)接口芯片PCI9052及其應(yīng)用,摘要：PCI9052是PLX公司繼PCI9050之后新推出的一種低成本的PCI總線目標(biāo)接口芯片,它傳輸速率高,數(shù)據(jù)吞吐量大,可避免用戶直接面對(duì)復(fù)雜的PCI總線協(xié)議。文中主要介紹了PLX公司的PCI總線目標(biāo)接口芯片的功能與應(yīng)用,并給出了
關(guān)鍵字： PCI9052 及其應(yīng)用芯片接口總線目標(biāo) PCI

一種移動(dòng)介質(zhì)的新型車載影音系統(tǒng)設(shè)計(jì)

1工作原理當(dāng)今互聯(lián)網(wǎng)上的影像資源80％以上都是以RMVB格式進(jìn)行下載的，歌曲則以MP3、WMA格式為主，圖片以JPG...
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IBM宣布芯片實(shí)現(xiàn)重大突破可建百萬(wàn)萬(wàn)億次電腦

　　據(jù)《自然》雜志報(bào)道，IBM的科學(xué)家當(dāng)日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實(shí)現(xiàn)了芯片間通訊，在通過(guò)光脈沖而不是電子信號(hào)進(jìn)行芯片通訊上取得重大突破。　　這種設(shè)備被稱為‘納米光子雪崩光電探測(cè)器’(nanophotonic avalanche photodetector)，是同類產(chǎn)品中速度最快的一個(gè)，并且顯著降低了能耗，將對(duì)未來(lái)電子行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生重大影響。　　IBM的設(shè)備利用了當(dāng)前芯片生產(chǎn)中使用的鍺元素的雪崩效應(yīng)。與陡峭山體的雪崩一樣，最初出現(xiàn)的光脈沖只釋放了一小部分電荷載體，隨后這
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瑞芯微推出RK2808芯片方案 Android下720p播放國(guó)產(chǎn)最強(qiáng)

　　國(guó)內(nèi)芯片方案廠商福州瑞芯微剛剛推出了RK2808芯片方案，這是一款可以用于手機(jī)、MID、電子書等設(shè)備的芯片。這款芯片率先開始支持Android系統(tǒng)，采用65納米制程構(gòu)建，其最大的賣點(diǎn)是支持Android系統(tǒng)下的720p視頻回放，在Android方案播放HD較弱的背景下，這也是目前這方面最強(qiáng)的芯片方案。另外，從官網(wǎng)的介紹還看到支持WinCE平臺(tái)。　　　　該方案特點(diǎn)如下：　　* 65納米工藝　　* ARM+DSP 雙核結(jié)構(gòu)，ARM 600M,DSP 550M 　　*
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幾種直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)芯片及其應(yīng)用

SA60 和LMD18245 分別是美國(guó)Apex 公司和NS 公司推出的面向中小型直流電機(jī)的全橋功率輸出電路。它們既具有在外接少量元件的情況下實(shí)現(xiàn)電機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)、控制以及提供保護(hù)等功能的共性,又具有各自特色。下面就其引腳、功
關(guān)鍵字：及其應(yīng)用芯片驅(qū)動(dòng) 電機(jī) 功率直流

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用,1　引言

　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來(lái)愈簡(jiǎn)潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
關(guān)鍵字：芯片功能應(yīng)用驅(qū)動(dòng) MOSFET UCC27321 高速基于

AD5933阻抗測(cè)量芯片原理及其應(yīng)用

1 AD5933芯片概述
1.1 主要性能
AD5933是一款高精度的阻抗測(cè)量芯片，內(nèi)部集成了帶有12位，采樣率高達(dá)1MSPS的AD轉(zhuǎn)換器的頻率發(fā)生器。這個(gè)頻率發(fā)生器可以產(chǎn)生特定的頻率來(lái)激勵(lì)外部電阻，電阻上得到的響應(yīng)信號(hào)被ADC
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飛思卡爾投訴稱日本松下等侵犯其芯片專利

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，飛思卡爾半導(dǎo)體向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)投訴，稱日本松下公司和液晶電視制造商Funai電子在電視機(jī)和媒體播放器等產(chǎn)品中，侵犯了其芯片專利權(quán)。　　投訴中稱，松下、Funai和JVC Kenwood等公司，以及百思買、沃爾瑪?shù)攘闶凵痰昵址噶孙w思卡爾的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。在國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的網(wǎng)站上可以找到關(guān)于本次投訴的公告，但目前還無(wú)法獲得投訴的全文拷貝。　　總部設(shè)在德州奧斯丁的飛思卡爾公司的發(fā)言人Robert Hatley表示松下、Funai和JVC Kenwood銷售了侵犯飛思卡爾專
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LED投資高端才有前途否則大洗牌難免

　　近年，LED技術(shù)在照明等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，LED產(chǎn)業(yè)也在中國(guó)快速走熱，但很多企業(yè)在技術(shù)上缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，預(yù)期利潤(rùn)不高，大量的資本進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)勢(shì)必造成利潤(rùn)攤薄，引起無(wú)序競(jìng)爭(zhēng)，行業(yè)洗牌或在今年。　　多位業(yè)內(nèi)專家也表示，LED產(chǎn)業(yè)已現(xiàn)過(guò)熱苗頭，需警惕產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題;另外國(guó)外巨頭的強(qiáng)勢(shì)進(jìn)入，國(guó)內(nèi)廠商在新一輪競(jìng)爭(zhēng)中應(yīng)加快技術(shù)開發(fā)和專利保護(hù)。　　或透支未來(lái)3~5年產(chǎn)能　　2月2日，國(guó)家首批新型工業(yè)化產(chǎn)業(yè)示范基地授牌，其中光電產(chǎn)業(yè)基地占據(jù)3席，LED產(chǎn)業(yè)成為國(guó)家發(fā)展的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)。與此同時(shí)，LED初始投資1億元就可建
關(guān)鍵字： LED MOCVD 芯片

臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

　　據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)議上透露這些信息的。　　會(huì)上蔣尚義還透露了臺(tái)積電28nm制程推進(jìn)計(jì)劃的細(xì)節(jié)，據(jù)他表示，臺(tái)積電將于今年6月底前開始試產(chǎn)28nm低功耗制程(LP)產(chǎn)品，基于這種制程產(chǎn)品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺(tái)積電計(jì)劃啟動(dòng)首款基于HKMG
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 40nm 芯片

2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51% 大型芯片廠商領(lǐng)跑

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長(zhǎng)額預(yù)計(jì)為51%。　　“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長(zhǎng)91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計(jì)劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無(wú)法阻止IC價(jià)格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。　　大
關(guān)鍵字： Samsung DRAM 芯片半導(dǎo)體

英特爾稱客戶需求匱乏與臺(tái)積電合作擱淺

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾本周證實(shí)，由于客戶需求匱乏，與臺(tái)積電的合作將暫時(shí)擱淺。這意味著雙方短期內(nèi)不會(huì)推出聯(lián)合開發(fā)的凌動(dòng)芯片。　　英特爾凌動(dòng)芯片業(yè)務(wù)掌門羅伯特·克魯科(Robert Crooke)在接受采訪時(shí)說(shuō)，“我認(rèn)為我們從與臺(tái)積電的合作中獲得了許多重要經(jīng)驗(yàn)。我們并沒(méi)有放棄，這類合作不會(huì)很快見到成效。” 　　英特爾約1年前宣布，該公司將與臺(tái)積電合作，生產(chǎn)客戶定制的凌動(dòng)芯片。這一交易被認(rèn)為是英特爾對(duì)定制ARM架構(gòu)芯片日趨普及作出的回應(yīng)。英特爾與臺(tái)積電的合作將允許
關(guān)鍵字：英特爾凌動(dòng) 芯片