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美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

  • 　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務(wù)的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！　‰S著工作負載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
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韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

  • 　　當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進入市場。 　　對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預(yù)測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。 　　根據(jù)韓國媒體《et
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內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來

  • 　　根據(jù)Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會如此強勁。 　　   　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價格的飆升也帶動了整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂

  • 　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場營收達到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。 　　在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

  • 　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第
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14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
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中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L 加快邁向中高端

  • 　　近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機。 　　工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達18.5萬億元，手機、計算機和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 　　據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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2018年內(nèi)存芯片收入有望實現(xiàn)創(chuàng)紀錄增長

  • 　　全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達到4291億美元。 　　這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據(jù)得出的，HIS認為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機器學(xué)習(xí)。 　　這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54%。 　　IHS表示，動態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%，而閃存芯片
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中美貿(mào)易戰(zhàn)，韓國半導(dǎo)體最受傷？

  • 中國已經(jīng)提出,提高從美國進口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產(chǎn)品。
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三星中國西安NAND Flash工廠二期項目動工

  • 　　在當前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求，市場價格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴建計劃，28日正式動工，預(yù)計將在2019年完工啟用。 　　據(jù)了解，該項總金額高達70億美元，工程期間達到3年的擴廠計劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬片。如今，新的產(chǎn)線動工建置，未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。 　　只是，該新的
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存儲器/嵌入式存儲器的市場機會　

  • 美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間，介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預(yù)測，重點是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢。
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美光科技宣布推出適用于旗艦級智能手機的尖端移動3D NAND解決方案

  • 　　美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇?！　≡撊乱苿咏鉀Q方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術(shù)，
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春節(jié)不停工，武漢國家存儲器基地要在今年實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)？

  • 　　打造萬億級產(chǎn)業(yè)集群,推動武漢經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產(chǎn)業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。 　　在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進行廠內(nèi)潔凈室
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空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

  • 　　全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?！　∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品?！　】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項目，目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
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買個32G內(nèi)存的手機為啥只有20幾個G？看完你就懂了

  • 　　現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢?　　我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　    　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際
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