sk海力士 文章 進(jìn)入sk海力士技術(shù)社區(qū)
居全球第六大 SK海力士積極擴(kuò)展CIS事業(yè)
- 據(jù)海外媒體報(bào)道,SK海力士(SK Hynix)計(jì)劃在韓國(guó)利川12吋晶圓廠M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出,SK海力士將能強(qiáng)化自家CIS事業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,并有望在目前正在更迭的市場(chǎng)版圖上取得甜頭。 韓媒ETNews報(bào)導(dǎo)指出,SK海力士此舉代表著,想要正式挑戰(zhàn)非存儲(chǔ)器市場(chǎng)的企圖心。過去這段期間,SK海力士不斷苦惱著,在利川12吋新廠M14啟動(dòng)后,該如何使用M10廠。因?yàn)槿绻麑10 DRAM生產(chǎn)量移轉(zhuǎn)至M14,M10里的產(chǎn)線將會(huì)閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過,M10之后可
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第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(zhǎng)6.3%

- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示,由于市況供過于求,第二季DRAM的平均銷售單 價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%。然而,受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給增長(zhǎng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元,季增長(zhǎng)6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般,但中國(guó)地區(qū)的智能手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁,因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別,持續(xù)向行動(dòng)式內(nèi)存
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Gartner:2015年半導(dǎo)體公司營(yíng)收排行榜

- Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收,受到需求放緩、匯率劇烈變動(dòng)影響,總產(chǎn)值呈現(xiàn)下滑,然半導(dǎo)體老大哥英特爾,即便在接下來先進(jìn)制程競(jìng)逐,可能落后臺(tái)積電與三星,2015 年仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體龍頭寶座,而兩大韓廠三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。 Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收,需求減緩加上匯率較劇烈的變動(dòng),使得半導(dǎo)體整體營(yíng)收下滑,全年總產(chǎn)值 3,348 億美元,較去年同期衰退 2.3%,前 25 大廠商占整體半導(dǎo)體廠營(yíng)收比重來到 73.5%,較 2014
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三星、SK海力士紛量產(chǎn)UFS芯片 手機(jī)存儲(chǔ)器醞釀新風(fēng)暴
- 繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片,SK海力士(SK Hynix)亦投入量產(chǎn)64GB UFS 2.0芯片,盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領(lǐng)域有具體成果,然隨著全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭及第四大廠紛開始量產(chǎn)UFS芯片,可望加速智慧型手機(jī)存儲(chǔ)器規(guī)格升級(jí),業(yè)界預(yù)估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機(jī)陸續(xù)上市。 根據(jù)韓國(guó)電子新聞(ET
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存

- 隨著新一代顯卡到來,內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國(guó)IT網(wǎng)站Golem.de報(bào)道,SK Hynix計(jì)劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計(jì)在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措,SK Hynix將成為三星競(jìng)爭(zhēng)者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計(jì)劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同,但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量,時(shí)鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數(shù)
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存

- 隨著新一代顯卡到來,內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國(guó)IT網(wǎng)站Golem.de報(bào)道,SK Hynix計(jì)劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計(jì)在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措,SK Hynix將成為三星競(jìng)爭(zhēng)者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計(jì)劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同,但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量,時(shí)鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數(shù)
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲(chǔ)器新工廠
- 日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),SK海力士周一宣布,將砸15.5兆韓元(125億美元),再蓋一座新存儲(chǔ)器工廠。 新廠選址在南韓忠清南道省北部,與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),海力士已取得25萬平方公尺的土地面積,并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU),新廠預(yù)計(jì)將在2018年正式動(dòng)工、2019年投產(chǎn)。 新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚,不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲(chǔ)器,若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲(chǔ)器,海力士現(xiàn)有NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)能將擴(kuò)增超過兩倍。 此外,海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進(jìn)的3
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一片不景氣聲中 SK海力士仍決定大規(guī)模投資
- 2016年展望并不樂觀,PC市場(chǎng)成長(zhǎng)已停滯好幾年,連智能型手機(jī)市場(chǎng)也出現(xiàn)成長(zhǎng)趨緩的跡象,DRAM、NAND Flash的價(jià)格也因此持續(xù)下跌,這個(gè)時(shí)候逆勢(shì)上揚(yáng)也是下了多大的決心。
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紫光被SK海力士拒絕擬入股美光 華亞科叫好

- 大陸紫光集團(tuán)入股南韓SK海力士遭拒,消息人士透露,紫光集團(tuán)已專注與美光(Micron)洽商入股,預(yù)料很快可明朗化,讓同屬美光集團(tuán)的華亞科戰(zhàn)略地位大大提升。 消息人士透露,紫光集團(tuán)將以不堅(jiān)持在大陸設(shè)DRAM廠為條件,爭(zhēng)取入股美光。紫光董事長(zhǎng)趙偉國(guó)證實(shí),紫光正和美一芯片廠洽商合作,雖然紫光不愿透露對(duì)象,但市場(chǎng)推估應(yīng)該就是美光。 據(jù)了解,美光若獲紫光入股,紫光未來將借重美光提供龐大的DRAM貨源,美光獲財(cái)力雄厚的紫光集團(tuán)提供金援,將可快速推進(jìn)DRAM制程腳步,讓美光從
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三星、SK海力士獨(dú)大 對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體是福還是禍
- 韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收在三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)兩大廠之外,正逐漸減少。三星和SK海力士各居存儲(chǔ)器市場(chǎng)第一、二名,營(yíng)收每年大幅成長(zhǎng),韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)基礎(chǔ)強(qiáng)化的錯(cuò)覺。然事實(shí)上除兩大廠外,韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模正逐漸縮減。 Digital Times引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出,2015年上半韓國(guó)半導(dǎo)體營(yíng)收中,三星以199.63億美元占66.9%,SK海力士以85.56億美元占28.7%。兩企業(yè)營(yíng)收比重合計(jì)達(dá)95.6%,以最近期第2季資料來看,比重更
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