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韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場
- 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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東芝半導(dǎo)體最強買家：“日美同盟”浮出水面
- 據(jù)日本經(jīng)濟新聞報道，圍繞東芝半導(dǎo)體計劃出售的存儲器業(yè)務(wù)，美國投資基金科爾伯格·克拉維斯(Kohlberg Kravis Roberts)和日本官民合資基金產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)將攜手參與招標(biāo)手續(xù)。由于《反壟斷法》等的制約較少且擁有豐富的資金實力，圍繞東芝潛力業(yè)務(wù)的招投標(biāo)預(yù)計以這兩家公司為核心推進?，F(xiàn)有投標(biāo)企業(yè)也在摸索合作，日美基金聯(lián)盟的凝聚力正在提高。二次招標(biāo)預(yù)計進行到5月中旬，各公司的意圖仍處在相互交錯的狀態(tài)。 “日美同盟”浮出水面 作為世界最大規(guī)模并購基金的
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傳三星、SK海力士研發(fā)EMI屏蔽技術(shù)
- 封測廠當(dāng)心!韓國存儲器大廠三星電子和SK海力士，研發(fā)業(yè)界首見的涂布式(Spray)的“電磁波屏蔽”(EMIshielding)技術(shù)，打算自行吃下此一封裝程序，省下外包費用。 韓媒Investor和etnews5日報導(dǎo)，去年蘋果iPhone7芯片開始采用電磁波屏蔽技術(shù)，當(dāng)時韓廠選擇把此一封裝程序外包。如今消息人士透露，三星電子和SK海力士都研發(fā)出涂布式技術(shù)，比傳統(tǒng)方法更有投資效益、成本也有優(yōu)勢，兩廠正在試產(chǎn)，預(yù)計6月起與產(chǎn)線整合。 不具名的內(nèi)情人士說，韓廠克服困難，研
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
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圖謀入主東芝半導(dǎo)體 SK海力士備重金
- SK海力士(SKHynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競爭即將進入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評價。 據(jù)韓媒MoneyToday報導(dǎo)，東芝為了彌補核能事業(yè)虧損，日前已決定全數(shù)出售半導(dǎo)體事業(yè)部股份。業(yè)界推算，依照100%股份市價再加20～30%的經(jīng)營權(quán)移轉(zhuǎn)貼水，總規(guī)模應(yīng)在24兆～26兆韓元之間，可望打破韓國購并史上的最高紀(jì)錄。 市調(diào)機構(gòu)IHS的資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據(jù)報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導(dǎo)，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營利有望破256億美元
- 據(jù)海外媒體報道，由三星電子及SK海力士領(lǐng)導(dǎo)的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀(jì)錄。 韓國半導(dǎo)體業(yè)可望在營業(yè)利益創(chuàng)下新紀(jì)錄，主要受惠于存儲器價格快速上揚，以及在晶圓代工領(lǐng)域也可能持續(xù)增長。因此，預(yù)估2017年幾乎是不費吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導(dǎo)體營業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當(dāng)年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長階段。 據(jù)券商及半導(dǎo)體業(yè)預(yù)估，三星光是在2017年的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營業(yè)利益，就可達179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。
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被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望
- 眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預(yù)期，于是從早幾年開始，這個美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲技術(shù)將會在未來給Intel和美光帶來新的成長激勵。 尤其是對美光來說，在現(xiàn)狀和未來的表現(xiàn)都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。 回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：
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SK海力士在集團內(nèi)地位上升 加速汽車業(yè)務(wù)發(fā)展
- SK集團(SK Group)日前發(fā)布定期人事異動公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高層獲得升遷，社長樸星昱甚至?xí)x升為副會長，顯示SK海力士在集團內(nèi)的地位大幅上升。業(yè)界普遍認(rèn)為，這次人事調(diào)整意味SK集團將以SK海力士為中心，加速發(fā)展汽車事業(yè)。據(jù)報導(dǎo)，SK集團似乎有意將SK海力士調(diào)整為直屬于集團的子公司，內(nèi)部正準(zhǔn)備將SK電信(SK Telecom;SKT)轉(zhuǎn)換為中間持股公司進行結(jié)構(gòu)調(diào)整。加上SK集團會長崔泰源先前已宣示過公司應(yīng)盡快求新求變，跟上工業(yè)4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
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SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)
- SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導(dǎo)指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設(shè)計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。 若按計劃進行，SK海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠。為因應(yīng)市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。 隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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嚴(yán)防技術(shù)泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 半導(dǎo)體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴大，明年再現(xiàn)飆漲
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
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