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EEPW首頁 >> 主題列表 >> s7 mosfet

Diodes自保護式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

  • 　　Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。 　　雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。 　 　　ZXMS
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  ZXMS6004FF  

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： InternationalRectifier  HEXFET  MOSFET  

基于漏極導通區(qū)特性理解MOSFET開關過程

  • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。
  • 關鍵字： MOSFET  漏極  導通  開關過程    

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進

  • 功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個眾所周知的事實――硅技術的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

  • 關鍵字： MOSFET  表面貼裝  封裝    

如何進行OLED電源設計

  • 　　有些設計者為了追求較高的轉換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構。由于功率開關MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開關的升壓轉換器，如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。 手機Vdd解決方案 　　對于手機Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個內(nèi)置MOSFET功率開關的同步降壓結構，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達1.2MHz, 允許設計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
  • 關鍵字： MOSFET  電源  OLED  

尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響

  • 0 引言 　　近幾年，隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關損耗及較快的開關速度，被廣泛地應用在低壓功率領域。 　　低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導通電阻，同時不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
  • 關鍵字： MOSFET  

飛兆半導體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
  • 關鍵字： 飛兆半導  FDMA1027  MOSFET  

安森美半導體推出8款新器件用于消費和工業(yè)應用

  • 　　2008年11月13日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅動、LED驅動器、電源、轉換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。 　　這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
  • 關鍵字： 安森美半導體  MOSFET  

Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作

  • 　　Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應用中發(fā)揮負載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標準封裝的互補MOSFET。 　　這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容，性價比具有競爭優(yōu)勢，不僅能減少物料清單，還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

美國國家半導體推出多款全新的SIMPLE SWITCHER 控制器及業(yè)界首套MOSFET 篩選工具

  • 　　二零零八年十月二十一日--中國訊 -- 美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代號：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時，該公司還推出了業(yè)界首套端到端MOSFET的篩選工具，可有效的協(xié)助工程師精簡開關控制器的設計。    　　該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個不同型號，全部都
  • 關鍵字： 半導體  控制器  MOSFET  

詳細講解MOSFET管驅動電路

  • 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
  • 關鍵字： MOSFET  結構  開關  驅動電路  

基于MOSFET內(nèi)部結構設計優(yōu)化驅動電路

  • 功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應用越來越廣。通常在實際...
  • 關鍵字： MOSFET  結構  開關  馬達  驅動電路  

IR推出25W至500W可擴展輸出功率D類音頻功率放大器參考設計

  • 　　國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出針對每通道25W以上D類音頻放大器的IRAUDAMP7參考設計，適用于包括家庭影院設備、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)等應用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W，為單層PCB提供了高度的擴展性。 　　IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設計可以實現(xiàn)120W 8歐姆D類音頻放大器91%的效率，在頻率1 kHz的60W 8歐姆時的THD+N為0.005% （均為典型） .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
  • 關鍵字： IR  D類音頻放大器  參考設計  MOSFET  

中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點

  • 　　在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。 　　從應用領域上看，消費電子領域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計算機領域銷售額位于第三位。這三大領域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應用市場。同時，憑借筆記本電腦
  • 關鍵字： MOSFET  功率晶體管  消費電子  IC  LDO  液晶電視  

Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器

  • 　　麥克雷爾公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM） 同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項在 MIC23030/1 中實施的專利架構能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET，可在一個1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封裝中提供高達4億安的輸出電流，而損耗量僅為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM） 降壓調(diào)節(jié)器能夠實現(xiàn)高達93
  • 關鍵字： 麥克雷爾  Micrel  降壓調(diào)節(jié)器  MOSFET  
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