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2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2010年中國功率MOSFET市場快速增長,銷售額達到23億美元,比2009年的16億美元增長43%。   直到去年第三季度,功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應不足局面,難以滿足中國各行業(yè)的需求,包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件,主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關?!?/li>
  • 關鍵字: MOSFET  DC-DC轉換器  

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設計小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常,作為設計過程的一個組
  • 關鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    

混合動力電動車應用中大功率器件的五大要素

  • 盡管標準內燃機驅動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
  • 關鍵字: 混合動力  電動車  大功率器件  IGBT  MOSFET  

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2010年中國功率MOSFET市場快速增長,銷售額達到23億美元,比2009年的16億美元增長43%。   直到去年第三季度,功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應不足局面,難以滿足中國各行業(yè)的需求,包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件,主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關。   去年功率MOSFET在中國市場強勁增長,可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經濟,中國政府推出了一系
  • 關鍵字: MOSFET  無線通信  

飛兆半導體推出60V PowerTrench MOSFET器件

  •   DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用,以及服務器的次級同步整流應用的設計人員,需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。   
  • 關鍵字: Fairchild  MOSFET  

Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產品

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產品。這些元器件具有業(yè)界領先的規(guī)格標準,如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示,是許多關鍵應用的上佳之選,也充分反映出Vishay產品線之豐富。 
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)

  •   恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 今日宣布,其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點,并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級),是高性能、高可靠性開關應用的理想之選。
  • 關鍵字: 恩智浦   MOSFET  

英飛凌新一代高壓MOSFET設立能效新標準

  •   英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創(chuàng)新,設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2,它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產品的優(yōu)點,不僅可以提高能效,而且具備更軟的交換功能,從而降低了電磁干擾(EMI),提升產品的競爭優(yōu)勢。
  • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

  •   Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積,較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間,其結點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W,在連續(xù)條件下功耗高達1.3W,而同類產品的功耗則多出一倍。   
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

利用DAC、運算放大器和 MOSFET 晶體管 構建多功能高精度可編程電流源

  • 電路功能與優(yōu)勢 數(shù)字控制電流源在許多應用中至關重要,如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳 ...
  • 關鍵字: 實驗室電路    MOSFET  運算放大器  

Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

  •   Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學性能與較大的SOT23封裝器件不相上下,可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET,節(jié)省七成的電路板空間?!?/li>
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

為你的應用選擇合適的高壓MOSFET

  • 高電壓MOSFET技術在過去幾年中經歷了很大變化,給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關不同技術的使用指南,就可以幫助工程師選擇合適的部件以達成其應用的效率和成本目標。了解不同MOSFET部件的細微差別及不同開
  • 關鍵字: MOSFET  高壓  合適  選擇  應用  

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET 芯片組

  •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組,適合內燃機、混合動力和電動車中的DC-DC 應用。   
  • 關鍵字: IR  MOSFET  

IR推出新系列車用MOSFET

  •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列,適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。   
  • 關鍵字: IR  MOSFET  

中國未來幾年IGBT市場火爆

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,由于工業(yè)與消費領域的需求增長,中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長,2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元,增長一倍以上。   
  • 關鍵字: IGBT  MOSFET  
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