- IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
- 關鍵字：
100 0.1 KHZ NA
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。 這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術，能夠實現很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據稱利用名為“Local-fill（局部
- 關鍵字：
NA 尼康 嵌入式系統
rg650v-na介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rg650v-na!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rg650v-na的理解，并與今后在此搜索rg650v-na的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
