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尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

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作者: 時間:2006-02-21 來源: 收藏
 日前正式宣布,2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開口數(shù)()為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應超過1的液浸ArF曝光設備。 

  這家大型半導體廠商的名字,沒有公布,估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。 

  作為全折射型液浸曝光設備,NSR-S609B具有全球最大的,配合偏光照明技術,能夠實現(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題,據(jù)稱利用名為“Local-fill(局部液浸)”的自主技術已經(jīng)得到解決。另外,還利用“Random Stage”技術提高了吞吐量。 

  該設備原計劃2005年底至2006年初開始供貨,因此看來開發(fā)工作基本上是按計劃進行的。所供應的設備正在安裝調試。而荷蘭ASML則計劃2006年第2季度供應NA1.2的曝光設備,可以想象競爭將會非常激烈。


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