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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)

介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動(dòng)的實(shí)際要求，設(shè)計(jì)出了一種具有過流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡(jiǎn)單有效的驅(qū)動(dòng)電路，給出了實(shí)際電路圖和驅(qū)動(dòng)波形。關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
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　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。　　
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

摘要：文中對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 仿真電路驅(qū)動(dòng) 條件 IGBT 高頻

　　2008年受經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響，全球的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)受到重創(chuàng)。歐洲作為光伏最大的市場(chǎng)，受到的影響最為顯著。不少歐洲國(guó)家縮減了光伏電站的開支，甚至取消了光伏產(chǎn)業(yè)的投資計(jì)劃。中國(guó)作為世界上最大的太陽能電池產(chǎn)地，對(duì)出口有較強(qiáng)的依賴性，以消化產(chǎn)能。　　
關(guān)鍵字：光伏 IGBT

　　英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。目前，英飛凌在馬六甲擁有近7,000名員工。　　
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求，設(shè)計(jì)電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成，射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) 可靠性 IGBT 基于

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。　　
關(guān)鍵字：華潤(rùn)微電子 IGBT

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。　　華潤(rùn)上華開發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國(guó)際大廠相當(dāng)，該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威的
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摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)與大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字信號(hào)處理器在交流調(diào)速及運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣。數(shù)字信號(hào)處理器與功率器件接口電路設(shè)計(jì)的合理完善直接關(guān)系到系統(tǒng)長(zhǎng)期工作的可靠性。同時(shí)，低壓供電數(shù)字信號(hào)
關(guān)鍵字：可靠性分析設(shè)計(jì) 電路驅(qū)動(dòng) 數(shù)字信號(hào)處理器 IGBT 基于

實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問題是“炸管”!　　為了研究“炸管“!　　首先
關(guān)鍵字：對(duì)策方案電源焊接 IGBT

為解決電動(dòng)閥門控制系統(tǒng)中存在的三相交流電機(jī)反轉(zhuǎn)問題，提出了一種基于RC網(wǎng)絡(luò)的相序保護(hù)裝置，描述了電路硬件結(jié)構(gòu)，工作原理和元器件選型方法。保護(hù)器通過RC網(wǎng)絡(luò)電路對(duì)三相電壓信號(hào)采樣和移相，經(jīng)過整流濾波輸出開關(guān)信號(hào)控制繼電器。結(jié)合典型應(yīng)用案例，根據(jù)380 V三相交流電源輸入和負(fù)載條件，計(jì)算出了電路元器件參數(shù)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在380V三相交流系統(tǒng)中，保護(hù)器能夠?qū)ο嘈蜃鞒稣_的判斷。與傳統(tǒng)相序保護(hù)裝置相比，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，方便移植。參數(shù)稍加改變，也可以應(yīng)用到其他三相系統(tǒng)。
關(guān)鍵字：保護(hù)器設(shè)計(jì) 相序網(wǎng)絡(luò) RC 基于

　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營(yíng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行。　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目于2010年6月開工建設(shè)，從投資建設(shè)到正式投產(chǎn)，僅用了6個(gè)月的時(shí)間，創(chuàng)造了國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。項(xiàng)目擁有國(guó)際最新型設(shè)備150余臺(tái)套，主要從事T0247、T03P、T0220等功率半導(dǎo)體器件的封裝測(cè)試，年可生產(chǎn)各類器件3.1億只，年產(chǎn)值3億元以上。封裝測(cè)試項(xiàng)目的成功投產(chǎn)，將進(jìn)一步提高科達(dá)半導(dǎo)體公司在成本、交貨期、質(zhì)量等方面的競(jìng)爭(zhēng)能力。
關(guān)鍵字：科達(dá)半導(dǎo)體 IGBT