華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開發(fā)成功

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。

　　華潤(rùn)上華開發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國(guó)際大廠相當(dāng)，該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威的市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)資料，2010年中國(guó)電磁爐用IGBT的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)4.6億元人民幣，預(yù)期2011年中國(guó)電磁爐用IGBT市場(chǎng)規(guī)模為5.3億元人民幣，較2010年成長(zhǎng)15.2%，到2012年與2013年分別達(dá)6.1億元人民幣與7.0億元人民幣，增長(zhǎng)率分別為15.1%與14.8%。

　　華潤(rùn)上華作為國(guó)內(nèi)首家以晶圓代工模式立足中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)先鋒，自2005年DMOS工藝量產(chǎn)以來(lái)，成功開發(fā)量產(chǎn)了6英寸高壓平面柵400-650V 系列DMOS、6英寸中壓平面柵50-200V系列DMOS、8英寸低壓溝槽柵20-40V系列DMOS、8英寸中壓溝槽柵50-80V系列DMOS等豐富的功率器件工藝平臺(tái)。此次1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)的開發(fā)成功，使得華潤(rùn)微電子和華潤(rùn)上華在功率器件代工的工藝平臺(tái)更為全面，將進(jìn)一步促進(jìn)國(guó)內(nèi)新型電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高節(jié)能減排關(guān)鍵部件的國(guó)產(chǎn)化水平和比重。