qlc nand 文章 最新資訊
三星調(diào)高閃存價格 帶動內(nèi)存價格上升
- 在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后,各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。 業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升,同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響,NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格,力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。 在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現(xiàn)進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因,除年底旺季需求增加外,最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故,導(dǎo)致市場產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價部份,由于廠商仍存在過度上漲,可能造成需求冷卻之疑慮。因此,即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電,生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運轉(zhuǎn),但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄。現(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量,9月份實際供給
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Q2三星NAND Flash市占率43.9%
- 集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名,南韓三星(Samsung)第二季市占率達(dá)43.9%,穩(wěn)居全球龍頭寶座,日本東芝 (Toshiba)居次,海力士 (Hynix)位居第三;包括三星等前三大廠合計市占率達(dá)85.5%,市場集中度高。集邦科技表示,第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴充計劃,加上大廠們新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期,因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量僅維持與第一季相當(dāng)水平,不過受惠于產(chǎn)品價格止跌大幅彈升1成以上水平,帶動NANDFlash制造廠銷售
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DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落
- 閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲,不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲,同時出貨量也大幅提升了。同時,NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢,這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據(jù)內(nèi)存交易機構(gòu)DRAMeXchange(集邦電子)的數(shù)據(jù),在7月上半月,512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上,不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示,目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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MP3、手機、DSC成NAND Flash應(yīng)用金三角
- NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴散,從過去由數(shù)碼相機(DSC)獨霸應(yīng)用端型態(tài),近期已轉(zhuǎn)變成MP3播放器、手機、DSC金三角撐起一片天局面,3者合計占NAND Flash應(yīng)用達(dá)80%,隨身碟應(yīng)用則緊追在后;值得注意的是,自2007年第3季起,由于插卡式手機快速普及,使得手機占NAND Flash應(yīng)用比重已正式超過MP3播放器。 目前NAND Flash應(yīng)用主要包括DSC、MP3播放器、手機、隨身碟和其它應(yīng)用,其中,DSC、MP3播放器、手機等3項領(lǐng)域共占
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NAND Flash下半年將出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象
- 根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告,七月上旬NAND Flash合約價出爐;SLC市場供給吃緊、合約價大漲,平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察,整體NAND Flash需求將在本季超過供給,下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應(yīng)求。 在MLC部分,集邦表示,因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品,另外加上iPhone題材所帶來的預(yù)期心理,4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%,高容量MLC也順勢漲了
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Nand Flash合約價大漲 模塊廠樂透
- 集邦科技最新報告指出,伴隨需求持穩(wěn)放大,加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡,NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象,七月上旬NANDFLASH合約報價,SLC大漲15%至30%之多%。集邦認(rèn)為,依照當(dāng)前掌握數(shù)據(jù)觀察,整體NAND Flash需求將在第三季超過供給,下半年NAND Flash將供不應(yīng)求,第三季、第四季供給缺口各約0.3%、1.5%。 模塊廠勁永指出,F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌,因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響,五月份下旬價格才開始緩步
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全球NAND Flash供貨將拉警報
- NAND型閃存(Flash)供應(yīng)端下半年恐將拉警報,造成供貨嚴(yán)重不足主因,除英特爾(Intel)為搶進(jìn)50nm制程,決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應(yīng)下游客戶端,還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力,被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進(jìn)至50nm主流制程,加上為供應(yīng)蘋果(Apple)下半年龐大訂單,還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能,在產(chǎn)能兩頭燒情況下,亦無力滿足下游客戶訂單需求,因此,業(yè)界紛預(yù)期2007年下半全球NA
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美光對NAND Flash發(fā)布警告
- 全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示,目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當(dāng)快速且先進(jìn),但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展,尤其令人感到驚訝的是,微影設(shè)備商技術(shù)竟遠(yuǎn)落后NAND Flash大廠數(shù)年,幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展,還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商,自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。 近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠,加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅
- 根據(jù)國外媒體報導(dǎo), NAND閃存市場上的競爭業(yè)者,包括Hynix、IM Flash與Toshiba等,最近都悄悄增加產(chǎn)量,并且準(zhǔn)備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭,也在準(zhǔn)備因應(yīng)市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應(yīng)用,例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能,采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍,市場領(lǐng)導(dǎo)供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件,第二大供貨商 Toshi
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