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1972年1月1日，中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功

  • 　　中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功
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pmos介紹

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管 　　全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 　　別名 ： positive MOS 　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源 [ 查看詳細(xì) ]

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