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NMOS和PMOS詳解
- 一、簡介MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其中,G是柵極,S是源極,D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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除了二極管,防反接電路還能用什么?
- 二極管串聯(lián)以常用的5V/2A為例。常用二極管串聯(lián)在電路中,在電源反接時,二極管承擔(dān)所有的電壓,有效防止電源反接損壞后級設(shè)備。但是,二極管上壓降較大,損耗較高。使用肖特基二極管可以減小損耗,但是仍對電路有較大影響,特別是在電源電壓更低的情況下。反并二極管+保險絲使用反并二極管+保險絲,正常運行時基本沒有損耗。在電源反接時,電源側(cè)接近短路,保險絲熔斷,從而實現(xiàn)保護(hù)。反接發(fā)生后,二極管和保險絲一般都需要更換。并且,輸入反接時產(chǎn)生一個負(fù)壓,后級設(shè)備還是有可能損壞。PMOS防反接電路基本電路基本的PMOS防反接電路
- 關(guān)鍵字: 二極管 反接 電路 PMOS
設(shè)計超低功耗的嵌入式應(yīng)用:簡化電源域
- 不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng),設(shè)計復(fù)雜性進(jìn)一步提高。 ? 圖3:手表的高層次方框圖 一個符合邏輯的辦法是將整個系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng),并分析各個子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡化電源域的設(shè)計,從而實現(xiàn)低功耗功能。 顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計都針對顯示屏采用基于定時器的超時斷電模式。一般說來,在固定時間T1后,背光會降
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