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存儲器市場高漲 引發(fā)全球前20大IC供應商排名大變

  •   按IC Insight報告,在DRAM 及NAND市場高漲下,導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。   IC Insight的McLean的5月最新報告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠,它們的排名至少前進了一位,其中 Elpida前進了6位,列于第10。   同時列于第2的三星電子,估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長達50%以上。   三星在本月初時,它將擴大今年半導體的投資達96億美元, 也即表示
  • 關鍵字: Hynix  存儲器  DRAM  NAND  

內存市場地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產能

  •   據報道,臺灣DRAM內存制造商認為,三星目前已經將重點放在了拉大與競爭對手在NAND閃存市場差距。由于在DRAM市場的地位十分穩(wěn)固,三星未來將不 會繼續(xù)加強該市場的投資,因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會比較小。三星此前在全球NAND閃存市場的份額一度達到50%,但目前 已經滑落到了40%,而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距,三星可能將會將其NAND閃存芯片生產集中在新建的Line-16生 產線上。   外界還認為,受到操縱內存價格事、可能遭受反壟斷調查影響,三星未來在D
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  內存制造  

三星砸錢瞄準東芝 臺DRAM廠喘口氣

  •   三星電子(Samsung Electronics)宣布投下巨額資本支出計畫,在全球DRAM產業(yè)掀起滔天巨浪,尤其臺系DRAM廠憂心忡忡,擔心還沒打仗就先輸了一半,不過,近期存儲器業(yè)者在深入探詢三星布局后表示,三星這場充滿殺敵言論的喊話動作,真正用在DRAM產能擴充上應是相當有限,主要還是與東芝(Toshiba)NAND Flash龍頭保衛(wèi)戰(zhàn),三星才有輸不得的壓力,加上三星針對LED、電池、太陽能、生物科技、醫(yī)療等5大新興事業(yè)體拓展雄心,對于DRAM產業(yè)威脅將低于預期。   三星在5月中旬宣布全球半導
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  

南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線

  •   才剛對全球半導體產業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics),再度因南北韓政治對立情勢升溫,戰(zhàn)事恐一觸即發(fā),而成為科技產業(yè)關心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產業(yè),三星在此兩大產業(yè)中,DRAM市占率分別超過30%,NAND Flash市占率逼近40%,未來南北韓關系若持續(xù)緊繃,甚至有戰(zhàn)事發(fā)生,將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產品供應鏈造成巨大變化。   全球DRAM和NAND Flash生產大廠:三星   根據DIGITIMES
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  

DRAM模塊大者越大 金士頓全球市占突破40%

  •   存儲器模塊產業(yè)2009年享受低價庫存變黃金的榮景,但2010年營運則面對嚴峻挑戰(zhàn),惟產業(yè)大者越大的趨勢不變,根據市調機構 iSuppli最新統計,金士頓2009年全球市占率已達40.3%,幾乎是第2到8名的總和,威剛則以7.4%位居全球第2,而2009年DRAM模塊產業(yè)規(guī)模約175億美元,整體出貨量約6.32億支,預計2010年會提升至242億美元之多。   2009年DRAM價格觸底反彈,存儲器模塊廠營運率先受惠,幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚,但隨著奇夢達(Qimonda)退出市場、個人
  • 關鍵字: 存儲器  DRAM  

Gartner:一季度全球移動PC出貨量同比增43%

  •   據國外媒體報道,美國市場研究公司Gartner今天公布的數據顯示,2010年第一季度,全球移動PC出貨量達到4940萬臺,較2009年第一季度增加43.4%。這一數字創(chuàng)下近8年來全球移動PC出貨量的最大同比增幅,對應的終端用戶支出約為360億美元。   消費領域的出貨量仍然是主要的增長動力來源,但專業(yè)領域的出貨量也有所增加。Gartner預計,到2010年底和2011年初,隨著產品更新換代趨勢的擴大,專業(yè)市場還將迎來更快的增長。   Gartner首席分析師Mikako Kitagawa說:&ld
  • 關鍵字: 消費電子  PC  

擴大生產規(guī)模 三星變更半導體產線設置

  •   為了擴大生產規(guī)模,三星電子(Samsung Electronics)變更半導體制作產線的營運方式,將原本一座工廠內設置兩條產線的方式,變更為整座工廠只有一條產線的營運體系。   據南韓MT News報導,三星23日動工的京畿道華城半導體新工廠名稱,并不是當初預定的17號產線,而命名為16號產線。   三星相關人員指出,過去存儲器半導體市場規(guī)模較小,對于景氣好壞的循環(huán)相當敏感,因此過去采用一座工廠兩條產線方式,以換取投資時差并減低風險。   但目前三星在內存市場的規(guī)模已夠大,必須一次擴大生產量規(guī)模
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  

三星的行動讓業(yè)界生畏

  •   三星在DRAM及NAND中稱霸,年產值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯想泛泛,三星擬再奪全球代工的寶座。   南韓半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出,其中在系統LSI(System LSI)部門,資本支出亦增加逾50%,達2兆韓元(約18億美元),以滿足手機等系統單芯片(SoC)需求,顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務。業(yè)界對此解讀,三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單,未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單,高通訂單版圖移轉變化有待觀察
  • 關鍵字: 三星  DRAM  NAND  

迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了

  •   南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產能,引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示,原先預期三星明年下半年啟動擴產,其進度比預期快得多,惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā),今年將切入50、42納米制程,技術超越臺系廠商;對照先前65納米,生產成本優(yōu)勢將提升約40%至50%,臺塑集團已積極審慎應戰(zhàn)。   三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產能,由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多,也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產業(yè)淘汰賽,但也突顯三星對DRAM后續(xù)產業(yè)前景,有偏多的立場。   南亞科董事
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  50納米  

新漢推出NISE3500和NISE3500M工業(yè)級無風扇PC

  •   新漢,工業(yè)級無風扇電腦的創(chuàng)新者,又成功擴展無風扇產品家族,推出NISE3500 和 NISE 3500M工業(yè)級無風扇PC, 基于全新的高性能移動式Intel® QM57 (Platform Controller Hub) and Intel® 32nm dual-core Core™ i7/i5 socket 處理器架構。   NISE 3500 系列 工業(yè)級無風扇PC是專為需求高精圖形處理性能和專業(yè)垂直行業(yè)應用而設計,如醫(yī)療診斷設備,醫(yī)療成像,工業(yè)自動化,公共信息和安全
  • 關鍵字: 新漢  PC  

三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  •   三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產,但三星電子卻于17日宣布,2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出,是歷年來規(guī)模最大的投資計畫,主要以半導體產業(yè)為主,這對全球DRAM產業(yè)可說是投下一顆震撼彈,而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出,三星此舉是看好未來3年PC市場成長率,但卻讓現階段正積極募資的臺系DRAM廠,狠狠挨了一記悶棍!   權五鉉3月中旬
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  

5月DRAM合約價出爐 DDR2持平DDR3小漲

  •   原本進入難產階段的5月DRAM合約價終于開出,一如市場預期,在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下,DDR2合約價最后持平開出,而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為,在電子產業(yè)的傳統淡季還能維持此結果,算是滿意,至于第3季傳統淡季展望,DRAM廠都不敢把話說的太滿,對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示,在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。   2010年5月合約價相當難談,幾乎到了快要難產的階段,主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上,與部分PC大客
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  

英飛凌爾必達和解專利糾紛 達成交叉授權協議

  •   據國外媒體報道,歐洲第二大芯片廠商英飛凌日前宣布,公司已經與日本爾必達就半導體技術專利糾紛達成和解。   英飛凌發(fā)言人Monika Sonntag今日在接受電話采訪時稱,雙方已經同意交叉授權半導體專利技術,公司不會公布和解協議的具體財務條款。   爾必達是日本最大的電腦內存芯片廠商,它與英飛凌就與微控制器有關的創(chuàng)新技術專利向美國地方法院和國際貿易委員會提出了訴訟。   英飛凌負責銷售、營銷與技術的管理委員會成員Hermann Eul表示:“我們期待著兩家公司能夠保持長久的和平關系。
  • 關鍵字: 英飛凌  DRAM  

英飛凌與爾必達就專利侵權訴訟達成和解

  •   英飛凌科技股份公司今日宣布,該公司與爾必達公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權訴訟達成和解。英飛凌與爾必達均同意撤消所有未決專利侵權訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書,起訴爾必達及其客戶。爾必達隨后在弗吉尼亞州東部地區(qū)法院針對英飛凌提起兩項訴訟。   英飛凌與爾必達通過半導體技術專利交叉許可,就專利侵權訴訟達成和解。具體許可條款未透露。   英飛凌公司董事會成員兼銷售、營銷、技術和研發(fā)負責人Hermann Eul博士指出:“英飛凌很高
  • 關鍵字: 英飛凌  DRAM  

歐盟對三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單

  •   歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構成壟斷,并開出總額達3.31億歐元的罰單。   歐盟委員會當天發(fā)表聲明說,這些企業(yè)在動態(tài)隨機存儲器(DRAM)銷售上設定價格,其行為損害了市場競爭,違反歐盟反壟斷規(guī)定。   根據這一聲明,韓國三星電子公司被罰金額最高,為1.457億歐元,其次為歐洲第二大半導體生產商德國英飛凌科技公司和韓國現代電子產業(yè)公司,分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據悉,韓國三星電子公司和韓國現代電子產業(yè)公司去年在該存儲器全球市場中占據一半以上份
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  
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