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DRAM報(bào)價(jià)直落 爾必達(dá)逆勢(shì)大舉募資

  •   DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價(jià)格一再破底,但DRAM廠募資腳步卻從未停歇,像茂德計(jì)劃募資是為尋找活下去的救命錢,爾必達(dá)(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣179億元)新股和近300億日?qǐng)A的可轉(zhuǎn)債,決定大舉投入30納米和25納米制程,并加碼行動(dòng)裝置用存儲(chǔ)器的技術(shù)投資。不過由于爾必達(dá)這次在市場(chǎng)景氣低迷之際,進(jìn)行如此大規(guī)模的募資行動(dòng),也引發(fā)市場(chǎng)不小爭(zhēng)議。
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DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢(shì)放緩

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場(chǎng)過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。  
  • 關(guān)鍵字: DRAM  納米  

爾必達(dá)擬發(fā)行新股籌資9.9億美元

  •   據(jù)路透社報(bào)道,世界第三大芯片制造商日本爾必達(dá)公司近日計(jì)劃發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券,融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達(dá)從傳統(tǒng)的DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)向了更為有利可圖的智能手機(jī)芯片生產(chǎn),因此需要此筆資金進(jìn)行新的研發(fā)和生產(chǎn)。
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DRAM錢坑 臺(tái)塑集團(tuán)進(jìn)退兩難

  •   聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智暗指臺(tái)塑集團(tuán)可以出面集成臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè),南亞科表示,無法評(píng)論此事;存儲(chǔ)器業(yè)界則認(rèn)為,臺(tái)塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚,但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題,沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵,現(xiàn)在就算再投錢集成,也未必拼得過韓廠,而臺(tái)塑集團(tuán)這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)投資并沒有得到等值回報(bào),或許茂德財(cái)務(wù)狀況圓滿解決后,有非常劃算的機(jī)會(huì)可取,臺(tái)塑才會(huì)考慮與美光(Micron)合作切入,否則光是投錢集成,臺(tái)塑意愿恐怕不大。
  • 關(guān)鍵字: 臺(tái)塑  DRAM  

英特爾致力削減能耗 新10億PC機(jī)首當(dāng)其沖

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾日益關(guān)注綠色科技,并致力于削減其產(chǎn)品的生態(tài)足跡。公司估計(jì)截至到2007年,公司共售出超過10億部PC機(jī),每小時(shí)耗能約320 太瓦,而接下來的10億部PC機(jī)耗能則為151太瓦,同時(shí)計(jì)算能力是之前的17倍。英特爾預(yù)計(jì)達(dá)到20億銷量要到2014年。
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  PC  

存儲(chǔ)器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  •   存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng),但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧,7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價(jià)格可止跌,但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn),且恐有續(xù)跌的可能性,整體來看,下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè),但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)。
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場(chǎng)過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  光刻  

茂德再度減資85%

  •   茂德再度啟動(dòng)2次減資計(jì)劃,繼2010年4月宣布減資65%后,2011年7月6日董事會(huì)中再度通過減資85%,預(yù)計(jì)將在第3季底前完成減資程序,之后將辦理增資引進(jìn)策略性投資人,市場(chǎng)屢次點(diǎn)名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團(tuán),再度被提出來討論。   
  • 關(guān)鍵字: 茂德  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速

  •   最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極,但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場(chǎng)過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
  • 關(guān)鍵字: Inotera  DRAM  

存儲(chǔ)器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  •   存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng),但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧,7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價(jià)格可止跌,但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn),且恐有續(xù)跌的可能性,整體來看,下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè),但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)?!?/li>
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聯(lián)想NEC完成合資公司組建

  •   聯(lián)想集團(tuán)4日宣布,日本最大的個(gè)人電腦集團(tuán)——NEC聯(lián)想日本集團(tuán)正式宣告成立。數(shù)據(jù)顯示,新集團(tuán)將占據(jù)日本PC市場(chǎng)近25%的份額。   NEC聯(lián)想日本集團(tuán)由三家公司組成:控股公司為聯(lián)想NEC控股公司,于7月1日成立;其下有兩家全資子公司——NEC個(gè)人電腦有限公司和聯(lián)想日本有限公司。其中,NEC個(gè)人電腦有限公司是從NEC個(gè)人產(chǎn)品有限公司分拆個(gè)人電腦業(yè)務(wù)而新成立的公司。聯(lián)想已通過發(fā)行股票向NEC支付了1.75億美元,完成這項(xiàng)交易。   
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)想  PC  

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場(chǎng)過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。   雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極,但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  50納米  

傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠

  •   茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后,引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急,業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德,或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣,近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn),內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)幣100億元,想買茂德12吋廠,且推測(cè)背后應(yīng)是獲得臺(tái)積電默許,主要系因驅(qū)動(dòng)IC未來采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢(shì),世界先進(jìn)可趁此機(jī)會(huì)撿便宜。不過,茂德和世界先進(jìn)對(duì)此事都予以否認(rèn)?!?/li>
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瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

  •   瑞晶董事會(huì)日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案,并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬片,成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外,董事會(huì)也通過,向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元,持續(xù)添購(gòu)重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤(rùn)機(jī)臺(tái)等。 
  • 關(guān)鍵字: 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

  •   力成科技積極自內(nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動(dòng)土,預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示,實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶圓級(jí)封裝、3D IC及銅柱凸塊等,估計(jì)開發(fā)時(shí)程約1年,屆時(shí)新竹廠正好開始啟用,新產(chǎn)品效益可望適時(shí)于2012~2013年發(fā)酵?!?/li>
  • 關(guān)鍵字: 封裝  DRAM  
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