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飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

  • 摘    要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
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擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動操作

  • 　　模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動電壓應(yīng)用設(shè)計的N 溝道增強模式 MOSFET。 　　這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關(guān)功能，可以使用兩個1.2V 電池或一個鋰離子電池驅(qū)動。其超低柵極驅(qū)動意味著可
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飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動器

  • 能夠驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成， 為設(shè)計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

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利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制,

  • 傳統(tǒng)上，開關(guān)電源（SMPS）是用一個基本的模擬控制環(huán)路來實現(xiàn)的，但數(shù)字信號控制器（DSC）技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數(shù)字...
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智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

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英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件

  • 英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實現(xiàn)能效目標  英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應(yīng)用于計算機、電信設(shè)備和消費電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標上達到業(yè)界領(lǐng)先水平。 許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產(chǎn)
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單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設(shè)計

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MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費下載！

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簡易鋰電池保護IC測試電路的設(shè)計

  • 由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機、PDA和數(shù)碼相機等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護電路的設(shè)計中被廣泛采用。 然而，目前無論是正向（獨立開發(fā)）還是反向（模仿開發(fā)）設(shè)計的國產(chǎn)鋰電池保護IC由于技術(shù)、工藝的原因，實際參數(shù)通常都與標準參數(shù)有較大差別，在正向設(shè)計的IC中尤為突出，因此，測試鋰電池保護IC的實
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TOPSwitch-GX開關(guān)電源在牙科X光機中的應(yīng)用

  • 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3 A時，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設(shè)計，使得設(shè)計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號處理器(DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開關(guān))DC／DC變換器的效率高達90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
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Vishay提供免費在線MOSFET熱模擬工具

  •     Vishay推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計人員詳細模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運行時的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。             Vishay 新推出的 ThermaSim™（可從 http://www.vishay.
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ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

  •  意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應(yīng)用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術(shù)極限的實例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
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